紫外光截止镀膜玻璃的射频磁控溅射法制备及表征

制备了摩尔比为1：1的TiO2和CeO2陶瓷靶材。采用射频磁控溅射法在O2和Ar比例为5：95的混合气体中制备了玻璃基TiO2-CeO2薄膜。溅射过程中，工作气压保持在1．8Pa不变，玻璃基片温度从室温（RT）～220℃之间变化。用x射线衍射（XRD）、X射线光电子能谱（XPS）、扫描电镜（SEM）、透射电镜（TEM）和紫外-可见光谱仪研究了薄膜的物相结构、表面组成、表面形貌和镀膜试样的紫外-可见光透过率。结果表明，薄膜表面结构平滑、致密，呈微小晶粒结构，薄膜中Ti和Ce仅以Ti^4＋和Ce^4＋的形式存在；随着基片温度升高，薄膜中的细小晶粒略有长大；TiO2-CeO2镀膜玻璃可以有效地截止紫外线。     

射频磁控溅射法在玻璃基片上沉积CeO2 薄膜的研究

二氧化铈具有高折射率、介电常数和紫外吸收率,因此它广泛地应用于各种光学和电子器件.本文采用射频磁控溅射法在玻璃基片上沉积CeO2薄膜.溅射过程中,首先制备纯二氧化铈靶材,然后在不同的功率上调节不同的基片温度进行溅射.采用光电子能谱、X射线衍射、拉曼光谱和扫描电镜等测试方法表征薄膜的特性.     

釉面砖基SiO2／TiO2超亲水涂层的制备及其性能研究

用溶胶 -凝胶方法在釉面砖上制备了SiO2 /TiO2 超亲水涂层 ,用XPS、光学显微镜和SEM研究了涂层的表面化学组成、水润湿角和表面形貌。结果表明 ,水润湿角与SiO2 /TiO2 的摩尔比和SiO2 在TiO2 表面的分布有密切关系 ,当SiO2 /TiO2 的比值在 0 0 8-0 1 3时 ,涂层的水润湿角在 5°左右。     

直流磁控溅射工艺条件对TiN薄膜晶面取向及化学计量比的影响

最近的研究表明,TiN薄膜除了具有优良的化学稳定性和力学性能外,如果把它涂在显示器件上,TiN薄膜还具有良好的减反和抗静电性能.由于TiN薄膜的晶面取向和化学计量比影响它的面电阻,从而影响它的减反和抗静电性能.本文用直流磁控溅射法,通过改变基片温度、溅射总气压及氮气与氩气的比例,在玻璃基片上制备了一系列TiN薄膜试样.利用射线衍射仪(XRD)和X射线光电子能谱(XPS)对试样的晶面取向和化学计量比进行了研究.XRD的结果显示,在其它条件不变的情况下,随着基片温度的升高,TiN薄膜的(200)晶面与(111)晶面衍射强度的比值(R)升高,当基片温度大于330°C时,R值超过1;当N2与Ar的比例不变,增加溅射总气压时,R值逐渐增大,在总气压接近1.0 Pa时,R值接近1;当固定溅射总气压,加大溅射气体中N2的比例时,R值随N2比例的增加先增大,然后有所下降,当N2的比例大于10%后,R值几乎不再随N2比例的增加而变化.XPS的结果表明,所有试样的N与Ti的原子比均大于1;基片的温度对N/Ti原子比的影响不大,改变溅射气体中N2的比例可明显改变N/Ti的比值,当N2的比例在10%左右时,N/Ti的比值达1.3.(PH10)     

半水石膏与复水半水石膏的性能及工业意义

利用Ｘ射线衍射、电导率仪研究了半水石膏与复水半水石膏的物相组成和水化特性。探讨了ＨＨ与ＨＨ＇相的物理性能。结果表明，ＨＨ与ＨＨ＇均为半水石膏相，水化特性曲线符合溶解－过饱和－析晶机理；在物理性能方面，ＨＨ＇相优于ＨＨ相。这一研究，对熟石膏粉的生产具有一定的指导意义。     

基片温度对直流反应磁控溅射法制备氧化钨电致变色材料循环寿命的影响

通过选取室温、100℃、200 ℃三个不同基片温度制度来探讨基片温度对氧化钨薄膜电致变色循环寿命的影响.实验结果表明:当基片温度由室温提高至100℃后,氧化钨薄膜的循环寿命有较大的改善,循环次数由806次提高至3000次.当基片温度由100℃提高至200℃时,循环寿命反而有所衰退,循环次数由3000次减少至1000次.     

溅射时间对GZO薄膜光电性能的影响

采用射频磁控溅射法在普通玻璃衬底上制备了Ga2O3含量为3wt.％的掺镓氧化锌透明导电薄膜(GZO).通过X射线衍射仪(XRD)、场发射扫描电子显微镜(SEM)、四探针测试仪、台阶仪、UV-Vis-NIR3600型紫外-可见分光光度计研究了溅射时间对薄膜结构、表面形貌及光电性能的影响.结果表明,溅射时间为40 min时制备的GZO薄膜的光电综合性能最好,可见光区透过率峰值86％,方阻为16.4Ω/□,电阻率为1.18 ×10-3Ω·cm,性能指数ΦTc为4.73 ×10-3 Ω-1;随着溅射时间增加,薄膜光学带系从3.69 eV减少到3.56 eV.在溅射时间60 min时结晶度最高,方块电阻为9.0Ω/□,电阻率最低为9.7×10-4 Ω·cm,可见光透过率峰值为81％.     

Al2O3掺量及氧气分压对直流磁控溅射法制备铝掺杂氧化锌薄膜性能的影响

制备了掺杂质量数为1％,2％,3％和4％Al2O3的ZnO靶材。用直流磁控溅射法在玻璃衬底上制备了ZnO;Al(ZAO)透明导电薄膜试样。用X射线衍射和扫描电镜分析了薄膜的物相及表面形貌。用四探针法测试了薄膜的电性能。用紫外-可见光谱仪测试了试样的可见光透过率。结果表明：溅射气氛中氧气的存在降低薄膜的电导率,对薄膜试样的可见光透过率影响不大;用含3％Al2O3的ZnO靶材制备的薄膜的电导率最高。讨论了氧气分压和Al2O3的掺杂量对ZAO薄膜的结构和性能的影响。     

玻璃基TiO_2-SiO_2/SiO_2增透膜的溶胶-凝胶法制备和表征

采用溶胶-凝胶工艺,用提拉法在普通玻璃上制备TiO2-SiO2/SiO2复合增透膜。用紫外-可见光谱(UV-Vis)测试膜层的透射率,计算复合膜层的光学常数、折射率和膜层的厚度;用扫描电镜(SEM)观察膜层的表面形貌;研究TiO2-SiO2的比例以及热处理工艺对复合膜光学常数的影响。结果表明:溶胶的稳定性是整个工艺的关键与基础,溶胶中乙醇含量、陈化时间以及热处理制度会对膜层的折射率和厚度造成影响,从而导致整个复合膜的透过率变化。通过优化工艺,制备出在可见光范围最大透过率>98%、平均透过率约为95%的高增透膜,并对得到的结果进行详细地讨论。