排序方式: 共有41条查询结果,搜索用时 31 毫秒
21.
22.
23.
为降低标签芯片功耗和提高无源超高频射频识别(UHF RFID)系统的识读距离,提出了一种全新的UHF RFID标签芯片架构.基于该架构设计的芯片能够根据读写器发送的命令,自动同步提取解码时钟用于命令解析,同时,能够根据启动盘点周期的query命令中的TRcal的长度以及DR值,生成满足反向散射频率要求的时钟.生成的反向散射时钟频率与制造工艺及芯片工作环境无关,工作中无需校准.相比传统的基于高频率采样时钟的结构,该设计架构不需要产生全局的用于采样数据的高频时钟,以及为自适应调整反向散射频率而在基带所作的复杂的分频,因此具有电路规模小、整体功耗低的优点.采用TSMC 0.18μm mixed signal工艺下的库文件进行仿真以及最终流片,仿真以及测试结果表明,基于该架构的芯片电路在完成相同功能的前提下,电路的整体规模是传统结构的90%,功耗是传统结构的70%. 相似文献
24.
对线性斜坡补偿与芯片峰值电流和带载的关系进行了论证,针对大负载低漏失工作,在分段线性斜坡补偿的基础上,提出了电流抵消电路,得到在箝位状态可调节的斜坡电流,延长了电池的使用寿命,利于便携式应用。电路紧凑简洁,易于实现,并在一款额定带载600mA的电流模降压DC-DC变换器中进行了验证,测试结果表明,达到了100%占空比时输出电压2.5V以及3.3V的600mA大负载低漏失工作。 相似文献
25.
26.
以正硅酸四乙酯(TEOS)为硅源、N,N-二甲基甲酰胺(DMF)为乳化致孔剂,采用酸催化法得到部分缩合的聚硅酸乙酯(PES),再经碱进一步催化得到介孔二氧化硅微球。分析了酸催化剂用量、旋蒸温度对PES粘度及聚合程度的影响以及PES粘度对二氧化硅微球粒径的影响,并研究了氨水用量、乳化致孔剂种类、乳化致孔剂用量以及搅拌速度和后处理方式对二氧化硅微球性质的影响。利用扫描电子显微镜、旋转粘度计、氮吹吸附仪、傅里叶变换红外光谱仪等对所得微球进行表征。结果表明,所制备的介孔二氧化硅微球球形完整,粒径分布均匀,纯度高,微球平均孔径为10.164 4 nm,孔体积为1.023 023 cm3/g,比表面积为396.528 1 m2/g。 相似文献
27.
即墨黄酒是采用黍米酿制的特色黄酒,其香气成分和陈酿过程中香气的变化目前研究较少。本研究采用顶空-固相微萃取(HS-SPME)结合气相色谱-质谱联用技术(GC-MS)分析即墨黄酒的挥发性香气成分。通过优化萃取探针、萃取温度、萃取时间以及NaCl添加量,确定即墨黄酒香气成分的最佳提取条件:ACAR/PDMS/DVB复合涂层的萃取探针在50℃条件下萃取60 min,NaCl添加量为0.15 g/mL。从2009年、2012年、2013年、2015年酒样中分别检测出16,15,15,19种香气物质。苯乙醇、苯乙酸乙酯、苯丙酸乙酯、丁二酸二乙酯在4份酒样中均有检出。苯乙醇和丁二酸二乙酯的相对含量随陈酿年份的增加逐年减少。2012年酒样中苯乙酸乙酯和苯丙酸乙酯的相对含量最高。 相似文献
28.
提出了一种满足ISO/IEC18000-6C标准的无源超高频RFID(射频识别)标签芯片的射频前端结构,该结构包括高效率电荷泵、解调器、调制器、阻抗匹配网络和ESD保护电路。电荷泵通过阈值补偿原理及精确控制补偿电压有效抑制反向漏电流,消除了传统电荷泵中的阈值损失。芯片经TSMC0.18μm CMOS mixed signal工艺流片,实测结果表明,标签最远读距离达7m,写距离为3m,可应用于识别与定位,同时满足HBM2 000V的抗静电指标。 相似文献
29.
实现了一个基于标准0.18µm CMOS工艺的2.4GHz高线性低噪声交叉耦合LC压控振荡器。基于三段分布式偏置的开关容抗管电路和差分开关电容电路,提出了一种调谐灵敏度补偿结构,减小了压控振荡器的增益变化,获得了高线性度和良好的相位噪声性能。与传统结构的压控振荡器相比,本文提出的压控振荡器在整个频率调谐范围内具有更加恒定的增益。当载波频率为2.42GHz 时,在100kHz和1MHz的频偏处相位噪声分别为-100.96dBc/Hz和-122.63dBc/Hz。工作电压为1.8V时,电路功耗为2.5mW。该压控振荡器面积为500×810 µm2。 相似文献
30.
This paper presents the design and implementation of a fully integrated multi-band RF receiver frontend for GNSS applications on L-band.A single RF signal channel with a low-IF architecture is adopted for multi-band operation on the RF section,which mainly consists of a low noise amplifier(LNA),a down-converter,polyphase filters and summing circuits.An improved cascode source degenerated LNA with a multi-band shared off-chip matching network and band switches is implemented in the first amplifying stage.... 相似文献