激光激活异步累加器硬件木马研究

随着集成电路设计制造的全球化,芯片存在被植入硬件木马的隐患.目前的硬件木马检测方法中,逻辑测试激活硬件木马的概率较低,侧信道检测受电路工艺偏差、硬件木马面积影响较大.本文提出基于激光注入的硬件木马检测方法,通过诱发数据翻转主动激活硬件木马触发逻辑,同时可以定位硬件木马触发逻辑的物理位置.采用1064 nm皮秒脉冲激光成功激活了基于FPGA的异步累加器型硬件木马.研究表明对于具有逻辑触发结构的硬件木马,激光注入方法与硬件木马的触发条件无关.通过设计高覆盖率的注入方式,能够高概率的激活硬件木马.     

深亚微米SRAM器件单粒子效应的脉冲激光辐照试验研究

利用脉冲激光模拟试验装置对IDT公司0.13 μm工艺IDT71V416S SRAM的单粒子效应进行了试验研究。在3.3 V正常工作电压下,试验测量了单粒子翻转阈值和截面、单粒子闩锁阈值和闩锁电流及其与写入数据和工作状态的关系。单粒子翻转试验研究表明,该器件对翻转极敏感,测得的翻转阈值与重离子、质子试验结果符合较好;该器件对多位翻转较敏感,其中2位翻转占绝大部分且其所占比例随辐照激光能量增加而增大,这与重离子试验结果也一致。单粒子闩锁试验分析了闩锁效应的区域性特点,发现了器件闩锁电流呈微小增大的现象,即表现出单粒子微闩锁效应,分析了这种现象对传统的抗闩锁电路设计可能造成的影响。     

光电耦合器4N49单粒子瞬态脉冲效应的试验研究

通过脉冲激光模拟单粒子效应,对光电耦合器4N49的单粒子瞬态脉冲（SET）效应进行了试验研究。在10V工作电压下,获取了4N49在特定线性能量传输（LET）值下的SET波形特征及其变化规律,得到了器件SET效应的等效LET阈值为10MeV•cm²•mg^-1,而饱和截面数值则高达1.2×10^-3cm²。试验验证了4N49的SET效应对后续数字电路的影响状况,定量研究了SET效应减缓电路的有效性,通过设计合理的电路参数可将器件在5V工作电压下的SET效应阈值由7.89MeV•cm²•mg^-1提高至22.19MeV•cm²•mg^-1。4N49的SET效应试验研究为光电耦合器SET效应的测试及防护措施的有效性验证提供了新的试验方法。     

用符合弹性前冲法测量硅中的氧含量及其分布

采用２７ＭｅＶ的＾１２Ｃ５＾５＋作为入射粒子，采用符合弹性前冲方法测量了５．６μｍ的硅样品中氧的含量及其深度分布。实验结果表明，采用＾１２Ｃ与＾１６Ｏ符合弹性前冲方法分析硅样品中的氧，其最小探测限可达２０×１０＾－６，深度分辨率为－４５０ｎｍ。该方法对于厚样品，尤其比常规弹性前冲优越。     

基于三维几何视觉重要性的纹理图像选择压缩算法

不同于传统二维图像,映射到三维模型上的纹理图像隐式包含了三维几何视觉信息. 然而,目前已有的纹理图像压缩方法并未考虑此特性. 本文提出了一种与三维模型几何视觉特性相关的纹理图像选择压缩算法. 首先给出一种结合纹理图像的显著性及其纹理走样的视觉重要性图构建方法, 将纹理图像划分为具有不同优先级别区域.之后,利用提出的选择压缩方法对它们进行不同比例压缩. 实验结果表明当选择本压缩算法时,纹理化三维模型能够获取较好的视觉效果.     

自动化技术在机械设计制造中的应用

本文介绍了全球制造业的发展趋势及未来的发展前景,着力阐述了自动化技术在机械制造的应用,分析自动化技术及机械制造业的发展趋势。     

25t焊接变位机焊接地线导电装置改造

介绍分析了25t焊接变位机在焊接地线导电装置设计中的问题，提出了解决问题的方案，给出了具体的实施方法以及使用效果。     

单粒子效应TCAD数值仿真的三维建模方法

文中探讨了单粒子效应数值仿真建模的问题.首先,基于对单阱N+-P结构的二极管在重离子辐照下的TCAD仿真,研究电流脉冲和电荷收集特性对器件模型几何尺寸与比例的依赖关系,进一步给出了精确仿真单粒子效应所需的模型尺寸的实用标准.其次,讨论阱接触电极的位置对电流脉冲和电荷收集的影响,指出对阱接触的正确建模的必要性.     

脉冲激光模拟SRAM器件单粒子翻转效应的试验方法研究

针对0.13 μm和0.35 μm工艺尺寸的两款商用SRAM器件进行了脉冲激光背部单粒子翻转效应试验方法研究。单粒子翻转效应主要测试单粒子翻转阈值和单粒子翻转截面,本文主要研究了激光聚焦深度、激光脉冲注量、测试模式和芯片配置的数据对测试两者的影响。试验结果表明：只有聚焦到芯片有源区才可测得最低的翻转阈值和最大的翻转截面,此时的结果与重离子结果基本一致;注量对翻转阈值测试无影响,但注量增大时翻转截面会减小,测试时激光脉冲注量应小于1×10⁷cm^-2;测试模式和存储数据对翻转阈值和翻转截面的影响不大,测试时可不考虑。     

基于激光背部辐照方法的小尺寸器件的单粒子效应特性

本文基于脉冲激光背部辐照试验方法,测试了小尺寸器件的单粒子翻转与闩锁特性,以克服高集成度器件日益增加的金属布线层对激光试验的影响。研究了SRAM器件存储的数据类型对器件单粒子翻转阈值与截面的影响特性。试验测试了深亚微米器件微闩锁效应的电流变化特征。建立了一种激光能量与重离子LET值对应关系的经验公式,用于评估小尺寸器件的等效激光LET值。此外,利用激光背部辐照试验方法,初步试验研究了90nmSOI工艺PowerPC微处理器的单粒子翻转特性。