Si衬底上外延3C-SiC薄层的XPS分析

采用 HFCVD技术 ,通过两步 CVD生长法 ,以较低生长温度 ,在 Si( 1 1 1 )和 Si( 1 0 0 )衬底上同时外延生长 3C- Si C获得成功 .生长源气为 CH4 + Si H4 + H2 混合气体 ,热丝温度约为2 0 0 0℃ ,碳化和生长时基座温度分别为 950℃和 92 0℃ ,用 X射线衍射 ( XRD)和 X射线光电子能谱 ( XPS)等分析手段研究了外延层的晶体结构、组分及化学键能随深度的变化 .XRD结果显示出 3C- Si C薄层的外延生长特征 ,XPS深度剖面图谱表明薄层中的组分主要为 Si和 C,且 Si/C原子比符合 Si C的理想化学计量比 ,其三维能谱曲线进一步证明了外延层中 Si2 p和与 Cls成键形成     

在硅衬底上用HFCVD法生长的纳米SiC薄膜及其室温光致发光

用热丝化学汽相淀积(HFCVD)法在硅衬底上生长具有纳米晶粒结构的碳化硅薄膜.用X射线光电子谱仪(XPS)、X射线衍射(XRD)、傅里叶红外吸收光谱(FTIR)、紫外光Raman散射谱和高分辨透射电子显微镜(HRTEM)对薄膜样品进行了结构和组分分析,并在室温条件下观察到了薄膜的高强度可见光发射.     

ANSI／ASQCZ1．4没有界限数复合操作特性的研究

本利用ANSI／ASQCZ1．4没有界限数的模型，根据MASON的流向图原理，给出计算Z1．4没有界限数各状态的平均链长，及最终转移概率的一个新方法，该方法比ROGER B．GRINDE所用的方法简洁、明Liao。     

用ECRCVD法制备的纳米碳化硅薄膜及其室温下的强光发射

用电子回旋共振化学气相沉积(ECRCVD)方法制备了纳米碳化硅薄膜.实验中发现:在高氢稀释反应气体和高微波功率条件下,可以得到结构上具有纳米碳化硅晶粒镶嵌在碳化硅无序网络中的薄膜.用高分辩透射电子显微镜、傅里叶红外吸收谱、Raman散射和X射线光电子谱等分析手段对薄膜的结构进行了分析.在室温条件下,薄膜能够发出强烈的短波长可见光,发光峰位于能量为2.64eV处.瞬态光谱研究表明样品的光致发光寿命为纳秒数量级,表现出直接跃迁复合的特征.这种材料有希望在大面积平面显示器件中得到应用.     

多晶SiC梳齿驱动器的模态分析

碳化硅以其优异的电学、机械和化学性能成为极端条件下MEMS器件应用的首选材料。梳齿驱动器的固有频率是MEMS器件结构设计中的一个重要参数。采用有限元分析方法,对多晶SiC梳齿驱动器进行了模态分析,得到了前六个模态的固有频率,并与相同结构的硅基梳齿驱动器的固有频率进行了比较,计算结果与理论预言十分吻合。     

氢化松香改性轻质纺锤体碳酸钙和KH-550增韧环氧树脂胶粘剂的研究

在环氧树脂(EP)中添加氢化松香改性的轻质纺锤体碳酸钙和硅烷偶联剂KH-550,制备了改性的EP胶复合材料,考察了改性碳酸钙添加量和相对于EP质量2％的KH-550对EP胶无缺口冲击强度、弯曲强度及耐腐蚀性能的影响,比较了性能最优的EP胶复合材料与纯EP胶的断面形貌和耐热性.研究结果表明:随着改性碳酸钙的填充量逐渐增大...     

毕业设计质量管理与控制体系的探索与实践

毕业设计是高等学校本科教育的一个综合性实践环节,是本科专业人才培养的一个重要组成部分。本文针对毕业设计中的质量管理兰控．制,题,利用系统论和控制论的方法,对毕业设计质量与控制体系的基本构成、实施内容、关键环节的管理与控制方法等进行了深入地研究,为建立和完善高等学校毕业设计质量监控体系提出了基本思路和方法。     

硅熔体中3C—SiC的生长及6H—SiC晶型的抑制

论述了从硅熔体中生长3C－SiC晶体过程中6H－SiC晶型控制的一般原理,采用将硅置于高纯石墨坩埚中使其在高温条件下熔化。坩埚内壁石墨自然熔解于硅熔体中形成碳饱和的硅熔体,在石墨表面形成厚约0．2mm的SiC薄层。X射线衍射（XRD）、X射线光电子能谱（XPS）、Raman散射等分析表面所制备样品为3C－SiC多晶体,实验结果进一步证明从硅熔体中生长3C－SiC晶体过程中,通过适当调整工艺参数可以抑制6H－SiC晶型的形成。     

在硅衬底上用HFCVD法生长的纳米SiC薄膜及其室温光致发光

用热丝化学汽相淀积(HFCVD)法在硅衬底上生长具有纳米晶粒结构的碳化硅薄膜.用X射线光电子谱仪(XPS)、X射线衍射(XRD)、傅里叶红外吸收光谱(FTIR)、紫外光Raman散射谱和高分辨透射电子显微镜(HRTEM)对薄膜样品进行了结构和组分分析,并在室温条件下观察到了薄膜的高强度可见光发射.     

用ECRCVD法制备的纳米碳化硅薄膜及其室温下的强光发射

用电子回旋共振化学气相沉积(ECRCVD)方法制备了纳米碳化硅薄膜.实验中发现:在高氢稀释反应气体和高微波功率条件下,可以得到结构上具有纳米碳化硅晶粒镶嵌在碳化硅无序网络中的薄膜.用高分辩透射电子显微镜、傅里叶红外吸收谱、Raman散射和X射线光电子谱等分析手段对薄膜的结构进行了分析.在室温条件下,薄膜能够发出强烈的短波长可见光,发光峰位于能量为2.64eV处.瞬态光谱研究表明样品的光致发光寿命为纳秒数量级,表现出直接跃迁复合的特征.这种材料有希望在大面积平面显示器件中得到应用.