CVD温度对钨沉积层组织性能的影响

以WF6和H2为反应气体,采用化学气相沉积法在纯铜基体上沉积出难熔金属钨涂层.分析研究了沉积温度对沉积层组织、结构、表面形貌及涂层致密度、硬度、耐磨性能的影响.试验结果表明:随着温度升高,沉积速率加快,涂层组织逐渐由柱状晶转变为树枝晶,表面粗糙度显著增加,膜层致密度、硬度下降,耐磨性降低.化学气相沉积钨的最佳工艺温度范围为550～650℃.     

多弧离子镀制备TiN-Cu超硬纳米复合涂层的研究

采用多弧离子镀技术制备了TiN—Cu超硬纳米复合涂层,并对涂层断口形貌、相组成、择优取向、硬度等进行了测试分析。试验结果表明,用多弧离子镀技术的分层沉积和混合沉积方式都可以制备出硬度高达40．8GPa以上的TiN—Cu超硬复合纳米涂层。涂层中TiN晶粒尺寸普遍〈15nm,达到了纳米晶水平,且涂层中的Cu含量、TiN择优取向等因素均对涂层硬度有重要影响。     

化工新材料补短板路径研究

研究了我国化工新材料产业发展现状,分析了供应短板情形及成因,并结合高端装备制造业、环保产业等下游发展需求,提出我国化工新材料产业的发展方向。并根据各子领域发展现状、存在问题和差距,指出了补短板的重点。     

超结DMOSFET元胞区与终端区的耐压匹配优化设计

雪崩耐量是表征超结双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管(SJ-DMOSFET)可靠性的重要指标。寻找提高SJ-DMOSFET雪崩耐量的方法一直是学术界和产业界的研究热点。通过对SJ-DMOSFET器件-电路联合仿真,深入分析了非钳位感性开关(UIS)过程中雪崩击穿点在元胞区和终端区之间的转移。结果表明元胞区和终端区的耐压匹配状况对SJ-DMOSFET的雪崩耐量具有显著影响。将元胞区耐压设计为略低于终端区耐压,是兼顾SJ-DMOSFET击穿电压和可靠性的最优方案。通过器件制作并测试,器件的雪崩耐量平均值由原来的0.65 J提高到0.89 J,验证了新设计的正确性。     

网络中光盘资源的共享

20世纪80年代,伴随着光存储技术的应用,日益发展的计算机存储系统又达到了一个新的高峰,光盘的出现将存储容量推向了新的顶点。文件存储系统的需求为光存储设备开辟了广阔的市场,这些系统要求有很大的存储容量,光盘库成为十分合适的候选对象。     

基于ARINC429总线接口板卡的驱动程序设计与实现

在介绍ARINC429总线接口板卡体系结构的基础上,重点阐述了Windows2000下,该型板卡驱动程序的设计与实现.驱动程序的应用程序接口开发采用WinDriver设备驱动程序工具包,详细介绍了板卡设备注册,存储器访问以及中断处理的实现机制.板上程序则结合板卡的硬件设计,介绍自测试以及数据收发功能的实现.     

粉末溅射平面薄膜型SnO2/CeO2酒敏元件性能测试

给出了SnO2/10?O2(0.4mm×0.6mm×0.4mm)元件的温耗特性曲线,研究了老化的温度和时间,研究了气敏电流Ig与气体浓度C的关系,并给出了一个普遍适用的规律.     

高性能霉乳胶涂料防霉时效性测试方法初探

介绍了防霉乳胶涂料防霉时效性的意义、测试方法.给出了防霉乳胶涂料与国外防霉乳胶涂料的对比检测结果.     

PDC钻头内镶式二级齿新技术

PDC钻头不适宜钻硬地层,尤其是高强度、高研磨性的砾石层,因为在极其恶劣的工作条件下,PDC齿的冲击破损严重,热磨损及磨料磨损往往同时存在,齿的磨损速度快,钻头的工作寿命急剧缩短.研究了一种新的PDC钻头技术--内镶式二级齿技术,可以使PDC钻头在极限应用条件下的持续破岩能力显著增强.内镶式二级齿是在常规的切削结构基础上增加的后备PDC切削结构,二级齿位于主切削齿的上方,除金刚石表面外,齿的其他部分全部隐藏在胎体内部,为负出露切削齿.主切削齿和二级齿相组合,构成了可连续接替切削岩石的复合切削结构.在主切削齿的切削破岩能力丧失或接近丧失时,二级齿开始工作,显著增加了钻头的工作寿命.新技术应用于渤海LD油田钻底砾岩,提高了钻井时效,降低了钻井成本.     

纯钨的空心阴极等离子烧结研究

为了探讨空心阴极等离子烧结方法应用于烧结难熔金属粉末制品的可行性及工艺特点,选用纯钨粉末样品进行了空心阴极等离子烧结试验.结果表明:在烧结过程中通过合理控制工艺条件.可以获得高的截面收缩率和致密度的烧结试样.在合适的工艺条件下,所烧结的样品密度达到17.9g/cm3,晶粒度为5级.空心阴极等离子烧结方法适宜于难熔金属纯钨粉末样品的烧结.