旅行商问题(TSP)的一种改进遗传算法

传统的序号编码遗传算法(GA)使用PMX、CX和OX等特殊的交叉算子，这些算子实施起来很麻烦。针对TSP问题的求解，提出了一种新的改进遗传算法：单亲进化遗传算法(PEGA)，PEGA是利用父体所提供的有效边的信息，使用保留最小边的方法进行个体的进化。与传统的遗传算法相比，PEGA算法弥补了它们的不足之处，简化了遗传算法。给出了PEGA算法的数值算例，仿真实验表明了该算法对于对称的TSP和非对称的TSP问题，都具有收敛速度快的特点，证明了该算法的有效性。     

楼宇自动化系统与Lon Works网络

建筑物的智能化往往是从楼宇自动化开始的,它利用集成的方法,将计算机技术、控制技术、通信技术、信息技术与建筑技术有机结合,通过对各种楼宇及动力设备的自动监控、信息资源的管理、使用者的信息服务及其与建筑的优化组合,获得投资合理、适合信息社会需要,并且具有安全、高效、舒适、便利和灵活特点的建筑物.因此,楼宇自动化系统(building automationsystem,简称BAS)作为智能建筑物的必备要素之一,在现代化智能建筑中正发挥着越来越重要的作用.     

87起硫化氢和疑似硫化氢急性中毒死亡事故分析

对2006年1月至2007年8月全国发生的87起硫化氢和疑似硫化氢急性中毒窒息死亡事故的行业分布、事故原因、发生地点等进行了统计分析。并针对因施救不当而致事故扩大等问题提出了对策建议。     

基于BIM的施工安全管理研究

近年来,随着建筑业从业人数不断增加,施工中的安全问题日益突出,事故发生率和死亡率居高不下,给社会的安定和谐带来许多不利影响。传统的安全管理模式已不能满足施工需求,而BIM技术的应用使施工安全管理有了新的发展方向。为探讨BIM技术在国内施工安全管理中的应用情况,文章对比传统安全管理方法从施工现场冲突管理、危险源辨识与管理和安全教育与交底三个方面进行了研究。结果表明:BIM技术在施工安全管理中具有十分广泛的应用,能有效地弥补传统安全管理中存在的缺陷,从而达到提高安全管理效率,减少安全事故发生的目的。     

基于透射槽波的采煤工作面陷落柱探测模拟研究

煤层中陷落柱严重影响采煤作业,会引起突水、瓦斯突出等安全事故,为此,基于物理模拟技术,根据煤层陷落柱的结构、物性参数以及声学特性特点,选择了煤粉、石膏、水泥为原料,设计并制作了"岩-煤(含陷落柱)-岩"3层煤层物理模型来模拟。根据物理模拟的相似原理,选择合适的声波频率,以可控频率振幅和可选子波的声波发射仪激发振动模拟槽波激发震源,利用透射法在煤层物理模型中采集槽波数据,模拟采煤工作面内陷落柱槽波探测装置,研究采煤工作面内陷落柱的透射槽波探测方法。利用实验透射槽波数据,计算出各通道的振幅能量衰减系数,利用槽波数据波形分析波速,使用平滑伪魏格纳威利分布(SPWVD)时频分析方法,最终确定陷落柱的存在位置。结果表明:对透射槽波的速度分析,利用SPWVD分析透射槽波能量特征,根据槽波最大振幅衰减系数,可以有效识别采煤工作面内的陷落柱。     

高质量浓度己内酰胺生产废水的预处理

分别采用萃取和厌氧的方法处理高质量浓度化纤废水，探索了处理高质量浓度己内酰胺生产废水的可行性。试验结果表明，采用萃取和厌氧的方法均能较好地去除废水中的有机物，尤其是苯甲酸；采用厌氧法处理高质量浓度己内酰胺生产废水成本更低而且效果更好，为处理该种废水的适宜方法。     

TD-SCDMA智能天线算法分析

一、基本原理 对于智能天线来说．事实上并不存在“智能”的天线设备，只有“智能”的天线系统。智能天线系统结合了天线阵列和使天线系统智能化的数字信号处理算法。     

分散控制系统中控制组态的设计

讨论了分散控制系统中组态设计的一些原则，由于分散诉广泛应用，对ＤＣＳ控制组态的设计也引起了重视，使它能适应生产过程控制的需要，取得较好的效果。     

城市基础设施建设筹资新模式——PFI

加强基础设施建设对改善居民生活水平、提高生活质量及提供舒适的人居环境、拉动内需有重要意义。基础设施的投资可以引发更大的投资需求,国外曾经做过统计,政府对基础设施投入1美元,引发的社会需求将达到 3.1～3.8 美元。但是,基础设施的投入需要大量的资金,周期长,传统的依靠政府投入只是杯水车薪,资金缺口成为日益严重的问题。另一方面,国有资金使用的低效率问题也亟待解决。将民间资本引入城镇的基础设施建设可以发挥其投入使用率高的优势,但要注意相应的融资体制和新的机制作保证。　　　　PFI(Private　FinanceInitiative)…     

阻挡层CMP中铜钴电偶腐蚀的影响因素北大核心

在Co化学机械抛光(CMP)过程中,Co的化学反应活性强于Cu,Co/Cu界面存在较大的电化学腐蚀电位差。采用动电位扫描电化学技术,表征金属铜钴表面的电化学反应。采用降低Cu/Co接触腐蚀电位差的方法,表征铜钴电偶腐蚀。研究了阻挡层CMP中影响铜钴电偶腐蚀的几个因素:pH值、H_2O_2和FA/O螯合剂;并对其控制机理进行了深入的研究。实验结果表明:pH值对钴的腐蚀电位影响较大,对铜的腐蚀电位影响不大,随着pH值的增加降低了铜和钴的腐蚀电位差;在碱性环境下,H_2O_2可降低Cu和Co的腐蚀电位差(最小可降到3 mV),可有效抑制Cu和Co之间电偶腐蚀现象的产生;在H_2O_2基电解液中添加适量的FA/O螯合剂有助于降低Cu和Co的腐蚀电位差,对抑制Cu和Co电偶腐蚀现象的产生具有重大的作用。