全文获取类型
收费全文 | 119篇 |
免费 | 1篇 |
国内免费 | 26篇 |
专业分类
电工技术 | 5篇 |
综合类 | 5篇 |
化学工业 | 7篇 |
金属工艺 | 4篇 |
机械仪表 | 11篇 |
建筑科学 | 17篇 |
能源动力 | 10篇 |
轻工业 | 3篇 |
石油天然气 | 8篇 |
武器工业 | 1篇 |
无线电 | 37篇 |
一般工业技术 | 23篇 |
冶金工业 | 3篇 |
自动化技术 | 12篇 |
出版年
2023年 | 2篇 |
2021年 | 3篇 |
2020年 | 1篇 |
2019年 | 3篇 |
2018年 | 6篇 |
2016年 | 3篇 |
2015年 | 1篇 |
2014年 | 7篇 |
2013年 | 8篇 |
2012年 | 9篇 |
2011年 | 2篇 |
2010年 | 5篇 |
2009年 | 1篇 |
2008年 | 2篇 |
2007年 | 11篇 |
2006年 | 9篇 |
2005年 | 14篇 |
2004年 | 16篇 |
2003年 | 9篇 |
2002年 | 11篇 |
2001年 | 3篇 |
2000年 | 1篇 |
1999年 | 3篇 |
1998年 | 6篇 |
1997年 | 2篇 |
1995年 | 2篇 |
1991年 | 2篇 |
1989年 | 4篇 |
排序方式: 共有146条查询结果,搜索用时 15 毫秒
101.
Amorphous Tin(a-Sn) film deposited by vacuum evaporation is reported and its properties are researched in this paper. X-ray diffraction for specimens prepared at lower rate of evaporation and substrate temperature demonstrates that the Sn film has amorphous structure. The temperature dependence of d.c. conductivity of the a-Sn film shows semiconductor properties the measurements of optical absorption made on each specimen, determine the optical gap. This paper interprets the experimental results in terms of theory of Anderson localization and the Mott amorphous semiconductor. 相似文献
102.
柔性衬底铝掺杂氧化锌透明导电膜的特性研究 总被引:5,自引:0,他引:5
室温下采用射频磁控溅射法在有机薄膜-聚丙烯己二酯(polypropylene adipate,PPA)衬底上制备出了ZnO:Al(AZO)透明导电膜。其它制备参数保持不变的条件下通过改变淀积时间得到厚度不同的薄膜,并对不同厚度AZO薄膜的结构特性、光学特性和电学特性进行了研究。 相似文献
103.
薄膜厚度对ZnO:Al透明导电膜性能的影响 总被引:12,自引:4,他引:8
铝掺杂的氧化锌 (ZnO∶Al)透明导电膜是采用射频磁控溅射法在有机衬底 (Polypro pyleneadipate,PPA)和Corning 70 5 9玻璃上制备的。详细研究了薄膜的结构性质、光学和电学性质随薄膜厚度的变化关系。制备的ZnO∶Al薄膜具有 (0 0 2 )面的单一择优取向的多晶六角纤锌矿结构 ,性能优良的薄膜电阻率在两种衬底上分别为 2 .5 5× 1 0 - 3 Ω·cm和1 .89× 1 0 - 3 Ω·cm ,平均透射率达到了 80 %和 85 %。 相似文献
104.
105.
将Zn粉末置于流量为500ml/min的NH3气流中,在600℃氮化120min,制备出高质量的Zn3N2粉末。X射线衍射(XRD)表明Zn3N2粉末具有立方结构,其晶格常数为0.9788nm。扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜(TEM)观察发现Zn3N2粉末晶粒形状具有多样性。X射线光电子谱(XPS)表明Zn3N2的化学键状态与ZnO及金属Zn明显不同,表明N-Zn键的形成。用计算机模拟了Zn3N2晶体的立体结构,用高分辨电子显微镜(HRTEM)观察了Zn3N2粉末的内部结构,观察结果与Partin等提出的Zn3N2结构模型相符合。 相似文献
106.
退火处理对SnO2:Sb薄膜结构和光致发光性质的影响 总被引:4,自引:0,他引:4
用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备出SnO2:Sb薄膜,研究了不同掺杂和退火对薄膜结构的影响。制备薄膜是具有纯氧化锡四方金红石结构的多晶膜薄,晶粒生长的择优取向为(110)。室温下光致发光测量首次观测到392nm附近存在紫外-紫光发射,并对SnO2:Sb的光致发光机制进行了探索性研究。 相似文献
107.
真空退火对溅射淀积ZnO:Ga透明导电膜性能的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上低温制备出了镓掺杂氧化锌(ZnO:Ga)透明导电膜,研究了真空退火对薄膜结构、电学和光学特性的影响。结果表明:真空退火后,薄膜结构得到明显改善,电阻率由退火前的1.13×10-3?·cm下降到5.4×10-4?·cm,在可见光区的平均透过率也由未退火前的83%提高到退火后的90%以上。 相似文献
108.
109.
110.
辐射状配电网的潮流计算 总被引:4,自引:0,他引:4
针对传统辐射状配电网线损理论计算的不足,提出了一种新的算法——前推法.考虑了无功功率和线路电压损失对线损的影响,并且利用了简便的配网节点、分支线编号原理,使得程序的实现更加高效、准确.此算法被成功地应用在配电网测试系统中,具有简单实用的特点. 相似文献