基于变论域模糊PID的混炼造粒机机筒温度控制

针对混炼造粒机机筒工作过程中温度控制存在大滞后、时变性和非线性等典型特性,从传热学的角度分析了机筒的传热过程,理论解释了机筒热场分布的基本规律,确定了机筒温度滞后、非线性变化的主要原因。基于变论域思想,提出了一种基于变论域模糊PID的机筒温度控制策略,设计了基于函数定制的伸缩因子控制器,实现了实时动态调整控制器的量化因子和比例因子。在Simulink仿真环境中,分别搭建了基于常规PID、模糊PID和变论域模糊PID的机筒温度控制系统。仿真结果表明,对于大滞后、非线性系统,所提出的变论域模糊PID控制策略相对于常规PID和模糊PID具有更优的动静态特性和自适应能力。     

掺杂方式对FeCo/SiO2复合薄膜择优取向的影响

采用溶胶-凝胶工艺将Al均匀掺入FeCo/SiO_2复合薄膜中,与Al作为籽层掺杂相比,研究不同的掺杂方式对FeCo(200)择优取向的影响。结果表明,不同的制备方式和Al掺入含量在薄膜中造成的晶格畸变不同引起择优取向变化趋势的不同。     

中水回用在康居示范工程中的应用

简单介绍了小区中水回用，中水处理流程。重点介绍中水回用在金厦新都庄园康居示范工程中的应用。     

图形法中节点对交叉的处理

本文利用合成节点对的概念将节点对的交叉情况变换成节点对的嵌套情况,然后就可以应用图形法像处理嵌套的情况那样进行模拟。从而改进了图形法的算法,使之能模拟更复杂结构的电路故障。     

废塑料催化热解催化剂的进展

塑料的高消耗量和不可生物降解性,导致其对环境具有潜在的危害。与传统的废塑料处理回收方法相比,催化热解法在较低温度下可得到高品质热解油。基于常用的催化剂类型,从孔结构、酸碱度、比表面积等角度阐述了不同催化剂种类废塑料的催化热解性能;基于聚烯烃的空间结构的差异,分析聚乙烯(PE)、聚丙烯(PP)、聚苯乙烯(PS)和聚氯乙烯(PVC)的催化热解机理;根据不同聚烯烃的特性,重点综述了近年来国内外常用的废塑料催化热解催化剂,基于不同催化剂酸碱性、孔结构等影响因素进行分析,从液体收率、单体选择性评价了催化剂的催化性能,提出未来研究应致力于混合废塑料催化热解催化剂的开发和利用。     

一种便携式能量色散X射线荧光分析仪的设计

研制了一种便携式能量色散X射线荧光分析仪(EDXRF)。激发源采用国产小口径Mo靶X线管,以变频技术设计了配套的高压电源和灯丝电源,探测器为电制冷半导体探测器。通过元素Cu、Zn、Ni、Pb的能谱测量,研究了该分析仪的检测性能和能量定标曲线,并且从理论上分析了其最佳元素分析范围。     

十年跨越 勇争一流——安徽省濉溪县铝产业基地发展纪实

按照安徽省"南铜北铝"的发展战略,十年间,濉溪经济开发区抢抓发展机遇,实现转型跨越,打造了一个以铝深加工为主的产业集聚区。凭借优势的交通区位、丰厚的资源沃壤、快捷的物流配套、难逢的市场机遇,一个科技含量大、产品起点高、产业关联度强的铝深加工产业基地正在濉溪这片热土上快速崛起。濉溪县位于安徽省北部,黄淮之间,地处苏鲁豫皖四省交界,是淮北市唯一市辖县,辖区面积1987平方公里,人口107.2万人。县城依市而建,全县辖11个乡镇和3个省级经济开发区。濉溪承东启西,区位优越,东与江苏徐州、连云港、盐城、淮安、宿迁相连,北与山东泰安、菏泽、济宁、临沂接邻,西与河南周口、     

多相流量计在渤海稠油油田的应用研究

针对渤海稠油油田稠油普遍存在乳化现象,对于稠油的计量,为避免因油水密度差小难以进行重力分离以及流体黏度高所导致的计量结果误差大的问题,选择了多相流量计。论述了多相流量计的计量原理、模型处理方法,并与HPT(高性能分离测试装置)的计量数据进行了对比。现场试验表明,在进行监测的9个月时间内,QHD32-6油田的计量校正系数在0.9～1.1之间波动,验证了MFM-2080/M-2多相流量计单井计量结果的准确性。同时,通过对计量校正系数的跟踪,验证了MFM-2080/M-2多相流量计的稳定性较好,能够满足现场需要。     

泄漏油品在雨水作用下渗透范围模拟计算

对埋地管道下部泄漏油品在雨前、雨中和雨后的不同水分分布土壤中油品渗透扩散进行模拟分析,借助CFD软件建立土壤多孔介质中油水两相流动的三维流动传质耦合模型。模拟计算结果表明:油品在地下渗透扩散范围受水分分布影响明显,泄漏油品在下雨前的土壤中地下扩散区域以不倒翁状向四周渗透;雨中泄漏油品受雨水冲带后在地下四处流窜并以极不规则形状区域向四周扩散;雨后泄漏油品以烧瓶状区域向四周扩散。在雨前、雨中和雨后三种工况下,扩散速率稳定后,雨后的泄漏范围及地表扩散面积均是最小;雨中油品泄漏范围最大且增长速率比雨前高约3%;雨前油品地表扩散范围最大且增长速率比雨中高约2%。     

SiC肖特基二极管势垒不均匀分布理论与研究进展

碳化硅(SiC)半导体具有宽禁带、高临界击穿电场、高热导率等优异的性能,在高温、高频和大功率器件领域具有广阔的应用前景.SiC肖特基二极管是最早商用化的SiC器件,然而,由于决定金属接触性能的肖特基势垒无法得到有效控制,高性能的SiC欧姆接触和肖特基接触制备仍然是SiC肖特基二极管研制中的关键技术难题.基于此,首先对金...