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本文根据巴库斯—吉尔伯特反演理论,对重力相应的解释图件已用数字模型试验实现.我们采用水平棱柱体(网格状)二维线性模型解释了重力剖面。有一种应用线性逼近快速计算的反演技术,用合成地质体作了研究,因而在方法上得到了改进,主要是应用加权因子改进了计算工作最后几步的解法。我们根据著名的塞浦路斯岛正异常的重力资料作了反演,证实了此方法的可行性。 相似文献
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评价自适应增量调制器(Adaptive Delta MOdμlator:ADM)性能的项目有:信噪比(SN比)、动态范围、对波形急剧变化的瞬时跟踪特性、发生传输误码时的恢复性能等。在传统的二值ADM中,要同时满足这些性能,困难是不少的。因而研究了用三值来缓和二值的限制时,究竟能实现怎样性能的ADM?研究结果,增加了方式设计的灵活性,开发了上述各项性能全部良好的三值双积分形ADM。这种三值双积分ADM的主要特点是:①SN比高。特别是在取样速率低时,和传统方式相比,具有较高的SN比。对传输数码率的压缩是有效的。②发生传输误码时的自然恢复性能较好,③对信号的急剧变化,具有迅速而平坦的波形跟踪特性,④因阶跃响应而发生的瞬变收缩时间较短。本文阐述三值ADM的构成法和各种特性,以及方式设计的详细研究项目等。 相似文献
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高补偿硅的阻–温特性 总被引:3,自引:2,他引:3
采用5Ω·cm的p型单晶硅,通过在高温下扩散金属锰的方法,可以得到高补偿硅.笔者选择没有光照下,室温电阻率为5.84×104Ω·cm的样品,进行测量电阻随温度的变化关系(温度从77 K上升到300 K).测试结果表明:在没有光照条件下测试时,电阻随温度的变化同普通的半导体;但在受到光照时,却出现极不相同的情况,这种不同,可能来自所掺杂的硅是一种光敏材料及掺入的杂质是一种深能级杂质. 相似文献
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IR2233是IR公司生产的一种高压高边功率MOSFET和IGBT驱动器。该器件内部集成了互相独立的三组丰桥电路,并具有多种保护电路。文中简要介绍了IR2233的电气性能、工作原理,给出了IR2233的典型应用电路。 相似文献
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我国古代医药学家为了保健和治疗目的很早就利用中药作为日常食品的添加剂,制作了花样繁多的疗效食品。它是祖国医药宝库中的重要组成部分。为了继承和发扬我国这项珍贵遗产,我厂根据中医辨证论治的医理,结合儿童害怕吃药的心 相似文献
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