分布式电源的本地电压控制策略

分布式电源(DG)发展迅速,给配电网带来的影响日益显著,其中对配电网电压的影响尤其明显。研究了配电网中DG的本地电压控制策略。首先,证明了配电网中DG接入点最容易出现电压越限,说明了本地电压控制的可行性。然后,提出了基于无功调节和有功调节的本地电压控制策略,推导出本地无功控制和本地有功控制的调节量表达式,得到调节量为节点电压测量值的线性函数,并给出本地电压控制策略的实现方法。最后,对IEEE 33节点配电系统进行算例分析,结果表明所提的本地电压控制策略可有效地消除DG接入带来的电压越限问题。     

限流器在大容量变压器低压侧的研究和应用

为提高大容量变压器低压侧的快速短路保护能力,将具有超高速开断和超强短路开断能力的新型DDXK1型大电流限流开断器(限流器)和通用真空断路器相串联,用作大容量变压器低压侧的短路保护,结合实际案例制定运行维护导则,完成大容量变压器低压侧快速短路保护成套装置典型示范工程的设计、安装及投运,为在电力系统推广应用该项先进技术提供经验。     

配电网的网损计算与降损措施分析

总结了国内外对配电网网损计算的研究情况,介绍了传统的配电网网损计算方法;提出采用最大电流法与新的数据处理方式相结合的线损计算方案,充分地利用了所能采集到的运行数据,采用持续负荷曲线直接求线损,提高了计算精度和计算效率,适用于10kV及以下的县级配电网的线损计算;并对电力市场化后,配电网经济运行所面临的新问题进行了分析。     

发电机轴瓦外油挡漏油原因分析及改造措施

以某电厂发电机5号轴瓦油挡存在严重漏油问题为例,通过对可能导致漏油的原因进行排查,确定排氢风机疏油管管路设计不合理是导致油挡漏油的主要原因,提出排氢风机疏油管管路改造方案并加以实施,彻底解决了漏油问题。     

一流城市配电网的灵活适应性评价指标及计算方法

一流城市配电网的建设是国家、城市、电网的共同战略需求,但多元分布式电源和新兴负荷的增多,增加了配电网运行的不确定性,再加上可能存在的各种扰动或故障,对一流城市配电网的灵活适应性提出了更高的要求。立足配电网发展现状,进行一流城市配电网的内涵分析;对一流配电网灵活适应性进行特性分析,从配网侧、负荷侧和电源侧阐述各类灵活性资源;面向配网侧、负荷侧和新能源发电,提出一流城市配电网的灵活适应性评价指标体系及计算方法;最后针对修正的IEEE 33节点算例系统,计算不同场景设定下的部分指标值,定量评估不同场景下配电网的灵活适应性。所提一流城市配电网的灵活适应性评价指标及计算方法,对当前一流城市配电网的推广建设具有重要的指导作用。     

碎渣机轴承密封系统优化改造

阳城电厂一期工程安装6台350MW火力发电机组,锅炉采用美国福斯特惠勒公司制造的亚临界、一次中间再热、自然循环汽包锅炉。灰渣排除方式为经捞渣机捞起,碎渣机粉碎后由渣管排入灰场。碎渣机在运行过程中跟随捞渣机连续运行,一旦碎渣机出现故障将迫使捞渣机停运,进行人工清渣,工作量很大。     

盘龙七中黄酮和多糖的 提取工艺研究

目的研究了超声提取盘龙七中总黄酮和多糖的最佳提取工艺。方法通过单因素和正交实验设计L9(34),以黄酮、多糖的提取率为指标,讨论了乙醇浓度、料液比、提取时间、提取次数对提取率的影响。结果各因素对总黄酮提取率的影响顺序为乙醇浓度提取次数料液比提取时间,最优工艺为乙醇浓度60%、提取3次、料液比1∶25、提取时间60 min,黄酮提取率为1.95%(RSD=1.8%,n=5);各因素对总多糖提取率的影响顺序为:提取时间提取次数料液比,最佳工艺为提取时间50 min、提取3次、料液比1∶30,提取率为1.50%(RSD=2.2%,n=5)。结论本实验为陕西地方药材盘龙七的深入开发利用和质量控制提供理论依据和实验参考。     

盘龙七中黄酮抗氧化活性的评价研究

以黄酮清除率为指标,以抗坏血酸为对照,运用紫外-可见分光光度法和荧光光谱法测定了黄酮对自由基的清除能力,评价盘龙七中黄酮的抗氧化活性。紫外-可见分光光度法测定黄酮对羟自由基的最大清除率达97.5%;对超氧阴离子的最大清除率达98.0%,对亚硝酸盐的最大清除率为60.0%;荧光光谱法测定黄酮对羟自由基的最大清除率为83.9%,对超氧阴离子的最大清除率为87.0%,且盘龙七中黄酮的抗氧化活性均优于抗坏血酸。盘龙七中黄酮对三种自由基的清除能力顺序为超氧阴离子羟自由基亚硝酸盐。对盘龙七中总黄酮的抗氧化活性进行了评价,可为盘龙七药材的抗氧化性能的深入开发和利用提供理论依据和实验参考。     

对高职院校教学督导工作的理性透视——以苏州工业职业技术学院为例

如何搞好高职院校教学督导工作,促进高职教育全面发展,是高职教育管理者应该深入思考的问题。对高职院校教学督导工作进行理性透视,结合苏州工业职业技术学院在教学督导工作实践中的经验和不足之处,尝试寻求高职院校教学督导工作创新发展的方法和对策。     

As代P点缺陷对KDP晶体近紫外光损伤的影响

通过基于第一性原理的CASTEP软件计算发现,KDP晶体中As代P点缺陷的形成能约是4.0 eV,说明晶体中比较容易形成这种点缺陷.通过模拟点缺陷形成前后晶体的电子结构和能态密度发现,As替代P后,晶体能带宽度变为6.2 eV,这有可能会造成晶体对波长为355 nm的双光子吸收.As替代P后,As—O四面体体积增加,有利于金属离子以填隙的方式进入晶体,间接影响晶体光损伤阈值.