复介电缺陷层镜像对称1维光子晶体特性研究

为了研究关于复介电常量缺陷层镜像对称的1维光子晶体的带隙结构和光传输特性,利用传输矩阵法,讨论了缺陷层的复介电常量的虚部为负值且光学厚度为λ0/2的情形对传输特性的影响。结果表明,当在光子晶体加入复介电常量的缺陷层后,在靠近光子带隙边缘,出现了较强的透射峰增益;随着缺陷层复介电常量的实部和虚部的增加,透射增益先增加后减少,中间存在一极值点,但缺陷膜的位置和高度不受复介电常量的实部和虚部的影响。这一结果为光子晶体同时实现超窄带滤波器和光放大微器件提供了理论基础。     

ESD保护器件GGNMOS二次击穿前的建模

基于ESD应力下GGNMOS的工作特性,从GGNMOS的内部物理过程,推导建立了二次击穿前GGNMOS的器件级模型,并给出了相应的参数提取方法;实现了输入工艺参数等到模型中,即可仿真GGNMOS二次击穿前的I-V特性.通过与TLP实际测试结果的比较,证实了所推导模型的可行性.     

晶界三叉处位错塞积的结构转变与能量分析

提出超细晶材料的三叉晶界处晶界位错塞积的结构转变能量模型.运用该能量模型,计算体系的晶界位错塞积能量,分析塞积头位错的结构转变的临界几何条件和力学条件,讨论塞积位错的数密度和三叉晶界处的二个分解位错Burgers矢量之间的角度对头位错转变模式的影响.结果表明,当晶界位错在三叉晶界处塞积,只要这二个位错Burgers矢量...     

两端对称复缺陷对光子晶体透射特性的激活效应

为研究和设计高品质、高性能的光学滤波、光学放大、光学衰减和全反射镜等器件,通过计算模拟的方式,研究两端对称复缺陷对光子晶体C(AB)n(BAB)(BA)nC光传输特性的激活效应,研究表明:在对称结构光子晶体的两端置入缺陷C,当缺陷C为实介质时,光子晶体透射谱中出现多条透射率为100％的分立透射峰.当C中掺入具有增益放大...     

SQ—86耐洗擦内墙涂料

本文介绍了以改性聚乙烯醇缩甲醛为主要成膜物质的耐洗擦内墙涂料的配方、工艺流程及涂料和涂膜的性能,并对耐冼擦内墙涂料的成本作了经济对比分析。     

挠性陀螺组件模拟再平衡回路的改进与实现

为了提高挠性陀螺组件动、静态性能,必须考虑传统再平衡回路中陀螺仪章动特性对组件性能的影响,需对挠性陀螺仪数学模型和校正网络进行优化.通过挠性陀螺仪运动方程分析和扫频试验测试,在原有挠性陀螺仪工程简化模型中增加了一个二阶振荡环节,得出了一种更能真实反映陀螺特性的精确数学模型.运用期望校正法对回路中校正网络进行了改进设计,...     

复介质光量子阱光传输特性的增益效应

利用传输矩阵法,研究复介质光量子阱光传输特性的增益效应机制,结果表明复介质对光量子阱内部局域电场和分立共振透射峰的透射率均具有增益放大作用:复介质光量子阱与实介质光量子阱一样,内部也存在很强的局域电场以及透射谱中也出现分立的共振透射峰,但复介质光量子阱的内部局域电场和分立共振透射峰会出现增益放大现象。在光量子阱的组成介质A中掺入具有增益效应的激活性杂质时,光量子阱的内部局域电场首先随着激活性杂质含量的增加而放大增强,但增益放大到极大值后又开始衰减下降,而且不同入射光波长,光量子阱内部局域电场增益放大的极大值及其对应的激活杂质含量不同,其中对处于短波方向的光入射时内部局域电场对激活杂质含量的响应最灵敏最高,而且内部局域电场增益放大的极大值最大,对处于长波方向的光入射时内部局域电场对激活杂质含量的响应灵敏度最低,内部局域电场增益放大的极大值最小。复介质光量子阱光传输特性的增益效应机制,对新型光学滤波器、光学放大器和激光器等光学器件的理论研究与实际设计,以及光量子阱光传输特性的内在机制研究等,均具有积极的指导意义。     

左右手材料光子晶体的双重光学滤波功能

为了设计高品质、高性能的光学滤波器件,采用传输矩阵法,研究左右手材料构成的光子晶体（HL）mDl（LH）m的窄带和宽带通道双重光学滤波功能,并进行了计算机仿真。介质层H是左手或右手材料时,随着排列周期数m增大,在频率ω/ω₀奇数倍处均出现单条窄透射峰;当m不等值变化时,ω/ω₀奇数倍处透射峰透射率均下降且下降速度相同,而ω/ω₀偶数倍处通带透射率不变;H为左手材料时,ω/ω₀偶数倍处还出现通带,且m越大透射峰或通带越窄,ω/ω₀奇数倍处及周围还出现多条窄透射峰。结果表明,光子晶体由左右手材料组成时将得到更好的宽、窄带双重光学滤波效果及调制方法。该研究对新型光学滤波器件的研究和设计具有指导作用。     

Atomic bonding and mechanical properties of Al-Mg-Zr-Sc alloy

The valence electron structures of AI-Mg alloy with minor Sc and Zr were calculated according to the empirical electron theory(EET) in solid. The results show that because of the strong interaction of AI atom with Zr and Sc atom in melting during solidification, the Al3 Sc and Al3 (Sc1-xZrx) particles which act as heterogeneous nuclear are firstly crystallized in alloy to make grains refine. In progress of solidification, the Al-Sc, Al-Zr-Sc segregation regions are formed in solid solution matrix of Al-Mg alloy owing to the strong interaction of Al atom with Zr, Sc atoms in bulk of alloy, so in the following homogenization treatment, the finer dispersed Al3Sc and Al3 (Sc1-xZrx) second-particles which are coherence with the matrix are precipitated in the segregation region. These finer secondparticles with the strong Al—Zr, Al—Sc covalent bonds can strengthen the covalent bonds in matrix of the alloy, and also enhance the hardness and strength of Al-Mg alloy. Those finer second-particles precipitated in interface of sub-grains can also strengthen the covalence bonds there, and effectively hinder the interface of sub grains from migrating and restrain the sub-grains from growing, and cause better thermal stability of Al-Mg alloy.     

低温下含Zn，Ag或Sc的8090合金正电子寿命谱分析

在２５—２７５Ｋ范围内，测量了正电子在８０９０合金和含Ｚｎ，Ａｇ或Ｓｃ的８０９０合金的湮没寿命．结果表明，τ１＝１７５—１８７ｐｓ是典型的正电子在共格粒子δ＇（Ａｌ３Ｌｉ）上的湮没寿命；τ２对温度Ｔ有明显的依赖关系．只要同时考虑空位、晶界对τ２的影响，就可以很好地对这四种样品的τ２－Ｔ曲线作出解释，并可对空位的存在形式作出推断．