Al-Ag合金γ相周围无沉淀带形成的机理研究

运用固体经验电子理论(EET)，对Al—Ag合金γ相的价电子结构以及γ相与基体的界面能进行了计算。结果表明，沉淀相与基体的界面处能量连续性较差，γ相的表面结合能高于基体的表面结合能，在界面处形成能量势阱。因此结合能大的γ相表面易吸附界面附近基体的Ag原子，引起γ相周围Ag原子的贫乏，出现γ相无沉淀带(PFZ)。     

入射角对光量子阱束缚态影响的研究

为了探讨入射角对光量子阱传输特性的影响,用传输矩阵法计算了不同入射角对光量子阱结构的传输特性,得到了光量子阱能应用于多通道滤波和光开关的结论.结果表明,光子的束缚效应将导致频率的量子化,通过微小地改变入射角可改变束缚态的频率,且入射角的变化与束缚态频率的变化呈3次多项式关系.此结果为该结构实现多通道滤波和方位开关提供了理论依据,也为得到所需要的束缚态频率提供了理论基础.     

含双负介质一维光子晶体量子阱的透射谱研究

用传输矩阵法研究一维光子晶体(AB)m(BACAB)n(BA)m的透射谱,研究发现：在双正介质和含双负介质情况下,归一化频率1.0ω0/ω处光子晶体(BACAB)n的能带皆处于光子晶体(AB)m(BA)m的禁带中,均构成以1.0ω0/ω处为对称中心的光量子阱结构。光量子阱透射谱出现对称分布的共振透射峰,呈现明显的量子化效应,透射峰数目和位置可由n调节控制,且双正和含双负光量子阱结构的透射谱结构相同,但后者的透射峰带宽、间距比前者大。该特性可用于设计微波范围内的可调性多通道滤波器和光开关等。     

ESD应力下深亚微米GGNMOS二次击穿物理级建模仿真

基于静电放电(ESD)应力下深亚微米栅接地N型场效应晶体管(GGNMOS)二次击穿的物理特性,将建立的热击穿温度模型、热源模型与温度相关参数模型相结合,提出了一种新的电热模型,并进行了优化。基于这些模型,可仿真出器件的二次击穿电流值It2(GGNMOS的失效阈值),进而模拟出GGNMOS全工作区域的VD-ID曲线。对两种不同的GGNMOS样品进行模拟仿真,将得到的结果与TLP(传输线脉冲)实验测试的结果相比较,证实了模型的可行性。利用该物理级模型,可快速评估GGNMOS的工艺、版图参数以及脉冲应力宽度对ESD鲁棒性的影响。     

两端对称缺陷对对称结构光子晶体透射谱的影响

通过传输矩阵法理论,研究两端对称缺陷C对一维光子晶体ACmB(AB)n(BA)nBCmA透射谱的影响,发现:当无缺陷C时,透射谱符合镜像对称结构光子晶体的透射谱特征。当引入缺陷C后,随着缺陷折射率nC的增大,禁带中的透射峰逐渐变宽的同时向高频方向移动。缺陷周期数m及其光学厚度DC对透射谱的影响,在数值上具有明显的奇偶特性,m为奇数或DC为奇数倍时,禁带中心均出现一个较宽的通带,且通带宽度随着m或DC的增大逐渐变窄,而且通带上方的振荡加快,但通带中心所处频率位置不变;m为偶数或DC为偶数倍时,禁带中心均出现一条细窄缺陷模,且缺陷模的宽度随着m或DC的增大缓慢变窄,但其位置不变;两端对称缺陷对对称结构光子晶体透射谱的调制规律,为光子晶体设计窄带、宽带光学滤波器或光开关等提供指导。     

Electronic bonding and property of FeAl

1　ＩＮＴＲＯＤＵＣＴＩＯＮＩｎｏｒｄｅｒｔｏａｄｖａｎｃｅｍａｔｅｒｉａｌｓｓｃｉｅｎｃｅｉｎｔｏａｓｙｓｔｅｍａｔｉｃｓｃｉｅｎｃｅｏｆｍａｔｅｒｉａｌｓａｎｄｅｍｐｉｒｉｃａｌｄｅｓｉｇｎｏｆｍａｔｅｒｉａｌｓｉｎｔｏａｓｃｉｅｎｔｉｆｉｃｄｅｓｉｇｎｏｆｍａｔｅｒｉａｌｓ,Ｘｉｅｆｉｒｓｔｅｓｔａｂｌｉｓｈｅｄｔｈｅｏｎｅａｔｏｍｓｔａｔｅｔｈｅｏｒｙ(ＯＡｔｈｅｏｒｙ)[1]ｏｆｐｕｒｅｍｅｔａｌｂｙａｂｓｏｒｂｉｎｇｑｕｉｎｔｅｓｓｅｎｃｅｓｏｆｔｈｅｅｎｅｒｇｙｂａｎｄｔｈｅｏｒｙ[2]ａｎ…     

晶界位错运动与位错反应过程的晶体相场模拟

采用晶体相场模型模拟了小角度对称倾转晶界结构及其在外加应力作用下的晶界演化消失过程,从位错的运动形式和体系自由能的变化,分析晶界的消失过程和位错的反应机理,并计算了位错分解的激活能.研究表明,具有二维三角晶格原于点阵结构形成的小角度对称倾转晶界是由配对的双位错按直线规则排列构成,可以看成由2套位错Burgers矢量组成.晶界的消失演化过程主要分为6个特征阶段,包括如下几方面的特征过程:首先晶界位错攀移,然后发生位错分解,晶界发射位错,位错由攀移运动转化为作滑移运动;接着滑移位错穿过晶粒内部,直到对面晶界上湮没,即被品界吸收与合并:剩余的晶界位错继续作攀移运动,然后又出现位错分解,晶界再次发射位错,使得位错转为作滑移运动,与其它作滑移运动的位错在晶内相遇湮没消失.最后,所有晶界和位错全部消失,双晶结构变成为完整的单晶结构.应用三角晶系的点阵位错的2套基本Burgers矢量的组合,可以有效地表示位错的发射、分解、合并、吸收、湮没的反应过程,并能够揭示出这些反应过程的新Burgers矢量的产生和原有的Burgers矢量的消失,以及Burgers矢量方向发生变化的机理.     

对称结构光子晶体表面Tamm态的光学性质

利用传输矩阵理论和等效原理,从能级的角度研究对称结构光子晶体表面Tamm态的光学性质,结果表明:在有限排列周期结构光子晶体中,介质表面可支持表面Tamm态的存在,且轴向传播时通带中出现TM和TE偏振的能级简并现象,离轴传播时从通带边缘分离出来的非简并能级被局域于光子晶体表面而形成了光学Tamm态；表面Tamm态内存在很强的局域电场,而且局域电场在介质界面处分布最强；表面Tamm态内的能量输运,对于低折射率介质可正反两方向输运,且输运速度快,对于高折射率介质只能正向输运,且输运速度较慢,故在高折射率介质界面处形成很强的局域光场。对称结构光子晶体表面Tamm态光学性质可为光子晶体光波导和表面波传感器的研究和设计提供指导。     

曲率驱动晶界迁移的晶体相场研究

采用晶体相场方法模拟U形半环双晶的演化过程,讨论晶界曲率对体系自由能及晶界迁移的影响。结果表明:在双晶演化过程中体系自由能不断降低直至演变成单晶,且晶界曲率越大自由能降低越快;半环晶粒在收缩过程中晶界迁移具有稳态性质,且迁移速度正比于晶界曲率。