一种带Cache加速的HyperRAM控制器设计与验证

针对目前可穿戴设备上对存储设备性能要求高、体积小、功耗低等问题,在FPGA上实现了一款可拓展的高性能HyperRAM控制器,并引入Cache缓存加速设计,以提高对频繁访问数据的命中率和优化存储器访问模式,实现更高速的数据传输和优化的系统性能。运用UVM验证方法学和FPGA进行验证,结果表明,带有Cache缓存的HyperRAM控制器相较于普通HyperRAM,在读写连续地址时性能提高61%,并具有较好的可靠性与有效性,可为嵌入式系统提供高效、灵活的存储器解决方案。     

一种新型的激光抽运原子磁力仪

依据磁光旋转原理研制了一种拥有自主知识产权的新型的激光抽运高灵敏度原子磁力仪.该原子磁力仪利用磁场中铷原子与光场的相互作用,极化铷原子在待测磁场中进行拉莫尔进动,利用铷原子磁光共振频率与外磁场之间的关系,通过高灵敏度低噪声弱磁检测技术实现磁场的准确测量.测试结果表明,该磁力仪灵敏度为1 pT/Hz1/2;测试过程中磁场波动范围小于0.4 nT.     

欧美3G业务市场初见曙光

一、欧洲3G用户市场开始放量增长欧美3G业务市场的主力在欧洲。欧洲是全球手机平均普及率最高的一个地区，初期对3G的发展热情也比较高。然而，欧洲的大部分移动运营商却迟迟不肯推出3G服务，造成这种局面的主要原因是巨额许可证费和投资费用的支出使它们再也不敢轻易推出有可能为它们带来沉重经济负担的新业务。据统计，欧洲的电信公司光在3G频段拍卖中就花掉了1000亿美元。据统计，整个欧洲电信业在2000年年底的债务总额高达25lO亿欧元，德国、英国、法国、荷兰等国电信公司的资本负债率达到120％-2lO％。可见，发展3G的正面效果尚未出现，而负面效果已经使一些企业受到重创。另一方面，3G的市场前景仍需得到进一步确认。目前3G业务市场的需求仍显不足，大约只有6％的移动用户有3G需求，而通常要使这一比例达到33％时，运营商才能实现盈亏平衡。欧洲的3G业务从内容和种类来说，与日韩的业务比较并没有太大的差异，但从业务收入贡献来说，则有很大的差距。这主要与欧洲移动运营商所采取的3G业务定位有关。在西欧3G市场，运营商推出的3G业务包括视频电话、位置定位、移动电视、电子邮件、高速互联网接人以及图片传输等，因为欧洲3G业务的主要用户群设定在高档商务用户上。     

簇间可分的鲁棒模糊C均值聚类算法

与经典的K均值聚类算法相比,模糊C均值(FCM)聚类算法通过引入模糊因子,考虑不同聚类数据簇之间的相互关系,得到可分性更好的聚类结果。但是模糊因子的引入,使得任意一个样本点都存在模糊性,造成FCM极易受到噪声和离群点的影响,聚类结果泛化性能较差。因此,该文提出一种簇间可分的鲁棒FCM算法(RBI-FCM)。RBI-FCM利用K均值算法对模糊隶属度的稀疏特征,降低不同数据簇之间的相互作用,突出不同数据簇相邻区域的可分性;另外,RBI-FCM在极小化数据簇内部散布度的条件下,考虑不同数据簇之间的可分性,可提高聚类模型的泛化性能。该文设计了有效的模型求解迭代算法。实验结果表明,RBI-FCM算法提高了FCM的鲁棒性,有效降低FCM对数据簇分布差异性和抽样不均衡的敏感性,得到理想的聚类结果。

     

钝化前表面预处理对AlGaN/GaN HEMTs性能的影响

提出一种新的钝化技术--采用盐酸和氢氟酸混合预处理溶液(HF:HCI:H2O=1:4:20)对AIGaN/GaNHEMTs进行表面预处理后冉淀积Si3N4钝化,研究了新型钝化技术对AlGaN/GaN HEMTs性能的影响并分析其机理.与用常规方法钝化的器件相比,经过表面顶处理再钝化,成功地抑制了 AIGaN/GaN HEMTs肖特基特性的恶化,有效地增强抑制电流崩塌效应的能力,将GaN基HEMTs的输出功率密度提高到5.2W/mm,并展现良好的电学可靠性.通过X射线光电子谱(XPS)检测预处理前后的AIGaN表面,观察到经过预处理后的AIGaN表面氧元素的含量大幅度下降.表面氧元素的含量下降,能有效地降低表面态密度和表面电荷陷阱密度,被认为是提高AIGaN/GaN HEMTs性能的主要原因.     

用电子束曝光方法在优化设计的绝缘体上硅脊状波导上实现布拉格光栅的制作和评价

报道了一种用电子束曝光的方法在绝缘体上硅的脊状光波导上制做布拉格光栅的技术.考虑到实际的光子学集成的应用,讨论了这个带有布拉格光栅的脊状光波导的优化设计,给出了该布拉格光栅的测试和理论模拟结果.通过薄化绝缘体上硅的波导层的厚度和光栅的深腐蚀加工,获得了高达30cm-1的光栅耦合系数.     

GaAs MMIC用无源元件的模型

制作了不同结构参数的GaAs MMIC无源元件,包括矩形螺旋电感、MIM电容和薄膜电阻,建立了无源元件的等效电路模型库,采用多项式公式表征无源元件的模型参数和性能参数,便于电路设计的应用.并提取得到MIM电容的单位面积电容值,约为195pF/mm2,NiCr薄膜电阻的方块电阻约为16.1Ω/□.分析结构参数对螺旋电感性能的影响可知,减小线圈面积相关的寄生损耗有助于获得高品质的电感.     

具有场板结构的AlGaN/GaN HEMT的直流特性

研制成功具有场板结构的AIGaN/GaN HEMT器件,对源场板、栅场板器件的性能进行了分析.场板的引入减小了器件漏电和肖特基漏电,提高了肖特基反向击穿电压.源漏间距4靘的HEMT的击穿电压由常规器件的65V提高到100V以上,肖特基反向漏电由37霢减小到5.7霢,减小了一个量级.肖特基击穿电压由常规结构的78V提高到100V以上.另外,还初步讨论了高频特性.     

信息系统安全风险评估研究

介绍信息系统安全风险分析的概念,分析安全风险评估的基本要素和常见的系统风险评估模式。文章在此基础上,系统性考虑了信息系统所面临的安全威胁、存在的脆弱性以及已经确知的安全控制策略等因素,提出一种信息系统安全风险评估的流程,从而提高风险评估的准确性。提出的安全风险评估流程,综合考虑了信息系统所面临安全威胁、潜在脆弱性以及安全防护确知等因素,可以在一定程度上提高安全风险评估的有效性和准确性。     

面向Libra区块链基础设施的安全分析与测试技术研究

针对Libra区块链系统,重点从数据结构、密码算法、安全协议、共识机制、智能合约、账本以及编程语言等方面进行安全性分析,通过深入研究Libra的组成与结构,原理与实现,挖掘Libra所存在的漏洞,设计相关安全测试与利用代码,实现Libra区块链的安全性分析与检测.除此之外,介绍相关技术发展和实际应用背景,基于成果设计安...