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31.
研究实现了基于子域连接的迭代加速方法,用于舱室内场强分布仿真计算.针对某缩比舱室模型,开展了不同频率下的场强校验测量.测量结果与本文方法仿真结果间差异小于3.1dB,验证了本方法的正确性,说明这是一种预估电大尺寸舱室高强度辐射场(HIRF)场强的有效途径.  相似文献   
32.
社会主义核心价值体系与中国传统文化是相互贯通的,二者密切联系。中国传统文化是社会主义核心价值体系的重要思想源泉,社会主义核心价值体系是对中国传统文化的继承和发扬。在中国传统文化的视角下来理解社会主义核心价值体系有利于增强社会凝聚力,进一步发扬中华民族的传统美德。  相似文献   
33.
以轧钢生产线改造为例,详细描述SIEMENS SINAMICS DCM 6RA80的12脉动并联电控系统在轧钢系统中的设计,以及整流变压器、整流装置、平波电抗器等主要器件计算选型。重点阐述了6RA80在12脉动并联系统中的主从装置间并行通讯、主机与励磁装置的点对点通讯,以及整流系统中的主从装置电流平衡、过压保护、过流保护功能,并对各种保护功能的必要性进行详细说明。  相似文献   
34.
为解决我国大额实时支付系统节点强度分布的测算问题,提出用复杂网络的理论和方法对其建模的研究思路。经验证,基于地区间支付数据,这两个网络的节点强度分布都服从幂律分布,但幂指数不同。另外,这两个幂指数会随着设置的阈值变换而变化。同时,这两个支付系统网络都不具有小世界特性。  相似文献   
35.
分析了金刚石线锯多线切割150 mm SiC晶片的表面形貌及质量,通过测试SiC片Si面和C面的表面粗糙度(Ra),发现C面Ra值约为Si面的2倍。在切割过程中晶片向Si面弯曲,使锯丝侧向磨粒对Si面磨削修整作用更强,从而使晶片Si面更加光滑。此外,通过显微截面法测试了SiC晶片两面的损伤层深度。结果表明,Si面损伤层深度约为7.89 μm,明显低于C面的13.8 μm,显微镜下观察到截面边缘更加平整。该方法进一步证明了多线切割时晶片向Si面弯曲,使锯丝侧向磨粒对Si面的磨削效果更强,从而造成SiC晶片两面表面形貌和质量存在差异。  相似文献   
36.
为了开发出更适合β-Ga2O3晶片切片的切削液,探讨金刚石线锯切片过程中不同切削液对β-Ga2O3晶片表面质量的影响,通过测量接触角和表面张力,研究不同切削液对β-Ga2O3晶片表面的润湿性。采用粗糙度测量仪、非接触式测厚仪和扫描电镜(SEM)对晶片表面进行测试表征,研究去离子水、添加AEO-9的水基切削液和乳化切削液在不同工艺参数下对切割(010)面β-Ga2O3晶片的表面粗糙度、表面形貌、总厚度变化以及亚表面损伤层深度的影响。结果表明:与去离子水相比,添加AEO-9的水基切削液和乳化切削液均能有效降低β-Ga2O3表面的接触角和表面张力,表明2种切削液均可提高晶片表面润滑性;乳化切削液的效果随着工艺参数的变化而波动很大,只有在低切削热和大切削力的条件下,才能明显优化晶圆表面质量,而水基切削液可稳定地获得较高的晶片表面质量,更适用于β-Ga2O3晶片切割。  相似文献   
37.
本文介绍了一种现有的有机场效应晶体管(O F E T)及其制备方法.采用参数分析仪对该方法制备的OFET进行了特性分析,得到其输出特性曲线.根据测量得到的输出特性曲线,验证了OFET的输出特性曲线满足P型金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)输出特性曲线特点.进而利用已知的MOSFET的数学模型对OFET进行近似数学...  相似文献   
38.
基于桥墩局部冲刷原理,在水平护圈防冲措施的基础上,设计了一种能改变桥墩周围水流流态的新型防冲设施—钩环式护圈。为探究钩环式护圈对圆柱形桥墩局部冲刷的防护效果,采用不同形状的钩环式护圈进行室内物理模型试验,分析了桥墩周围的冲刷特征和水力特性。试验结果表明:当钩环式护圈的高度为1 cm、角度为135°且安装在床面时,防护效果最好;与光墩相比,桥墩安装钩环式护圈后,最大冲刷深度最多可减小62.2%,桥墩底部垂向流速、垂向紊动强度均明显减小。通过多元回归分析建立了计算桥墩周围无量纲最大冲刷深度的经验方程,该方程对明流和冰盖条件下水流均适用。  相似文献   
39.
多无人机协同编队是无人机技术发展的重要方向,相比于单架无人机,编队协同能够增大搜索面积,提高无人机执行任务的效率;为了提高编队控制算法的控制效果和执行效率,以一致性理论为基础,针对无人机的特点和实际飞行情况,设计了改进的一致性编队控制算法,对一致性变量的边界问题进行平滑设计以及限幅处理,设计了σ-范数来调整合适的控制量,通过分段规划获得最佳的轨迹控制效果,并在控制协议中加入对目标点控制,同时对控制算法中的参数进行优化设计,从而实现无人机一致性的稳定控制;最后根据无人机领航—跟随的控制逻辑设计了一致性编队算法,实现了不同紧密编队队形任务;仿真结果表明了经过改进的一致性编队控制算法的有效性。  相似文献   
40.
化学机械平坦化(CMP)是实现65 nm及以下技术节点多层铜互连表面全局平坦化的唯一可靠工艺。络合剂为抛光液的主要组分,对材料去除速率、表面完整性起着至关重要的作用。综合分析了不同官能团的络合剂在铜互连CMP工艺中的应用研究现状,探究了不同官能团络合剂的作用机理,分析了络合剂与其他试剂的兼容性,总结了络合剂的发展趋势。  相似文献   
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