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本文采用磁控溅射的方法,在In2O3掺杂的SnO2(ITO)衬底上制备了Ag掺杂ZrO2作为功能层的忆阻器器件ITO/ZrO2(Ag)/TiN。该忆阻器在退火前后的性能有较大差异,在500℃退火60分钟的条件下具有112的最大开关比,并且长期存放后仍具有5000+s以上的稳定性。通过对电流-电压(I-V)曲线进行分析拟合,提出了一个基于空间电荷限制电流(Space charge limited current, SCLC)机制和肖特基发射(Schottky emission)机制的物理模型来解释器件的复位/设置(Reset/Set, RS)记忆行为。通过X射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)分析了退火对器件微观结构和形貌的影响,发现退火后薄膜Ag结晶度增加和峰强比改变。结果表明,通过磁控溅射制备的薄膜通常存在大量缺陷,退火处理可以减少溅射薄膜的缺陷,提升器件的稳定性和开关比。 相似文献
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目的:以整合型载体p RS303K为框架,以来源于拟南芥的4-香豆酰辅酶A连接酶基因(4cl)和巨峰葡萄的白藜芦醇合酶基因(rs)为目标基因,采用一步等温法构建了表达白藜芦醇的整合型酵母表达载体p RS303KT4C-TRC。方法:采用Li Ac/SS carrier DNA/PEG转化法把表达载体成功转化酿酒酵母工业型菌株EC1118,经筛选和PCR鉴定获得酵母工程菌株EC1118-303K-T4C-TRC。酵母工程菌株采用添加和不添加抗生素的发酵培养。结果:在培养基添加抗生素和不加抗生素的发酵液中白藜芦醇的含量分别为3.4110 mg/L和3.4710 mg/L,两者差异不显著。结论:两个关键酶基因成功整合到酵母的染色体基因组中并得到表达,工程菌株在传代中不受选择压力影响,稳定组合表达白藜芦醇。 相似文献