灯泡贯流式机组大件设备的卸船经验

汉江王甫洲水利枢纽电站位于湖北省老河口市境内、丹江口水电站下游约30km处的汉江上,为径流式低水头电站,目前正在建设。电站设计安装4台单机容量27.25MW贯流式水轮发电机组,每台机组重约1000t,其中发电机定子单件重102t。电站4台机组系奥地利依林公司产品。1994.10～1997.1全部设备共分12批在上海港入关后,经水路     

砂砾石灌浆在卧车湖水电站坝基防渗中的应用

砂砾石帷幕灌浆是一项比较成熟的技术，在处理坝基砂砾石层渗漏中，已被广泛利用，绰乐河砂砾石基础帷幕灌浆达到了预期的效果。     

手机软件自动化测试的接口方式

介绍了手机软件自动化测试的三种接口方式,分析并比较了这三种接口方式的优缺点,对如何使用三种接口方式搭建自动化测试系统,提出了一些参考意见。     

基于LSTM模型的动态转发路由协议

文中将容忍延迟网络(Delay Tolerant Network,DTN)应用于船舶通信,提出了一种基于长短时记忆网络(Long Short-Term Memory,LSTM)模型的动态转发路由协议LSTM-DRA(Dynamic Distri-bution Routing Algorithm Based on LST...     

氧化锌基薄膜晶体管制备与研究

以玻璃为衬底,利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法,在360℃附近实现ZnO薄膜的生长.利用ZnO为有源层制备底栅型薄膜晶体管.SiO2 被用作栅绝缘材料以有效的抑制漏泄电流的产生,达到氧化锌薄膜晶体管 (ZnO-TFT) 成功运作目的.ZnO-TFT 的电流开关(on/off)比达到104以上.ZnO-TFT 在可见光区平均光透过率大约为80%.以上表明利用ZnO 替代传统 Si 材料作有源层材料制备透明薄膜晶体管是可能的.     

Bi系超导体中界面的高分辨电子显微术研究

Bi系超导体是一种类钙钛矿型体心四方结构,元胞参数为:a=b=5.41A,c=30.8A(对应于T_c～85K或c=37.1A(对应于T_c～110K),而且存在无公度调制结构,这种结构可以用两上独立的调制波矢q_1和q_2描述,本文利用高分辨电子显微术对两种界面进行了研究。图1是90°扭转界面的高分辨像。界面上侧不出现超结构调制网格,对应于a-c面,c方向周期为30.8A。界面下侧出现了二维调制网格,对应于b-c面,这种调制可用上述两个独立的调制波矢q_1和q_2     

Y1Ba2Cu3O7—8超导体层错的高分辨电镜研究

我们在运用高分辨电子显微术,在T_c为90K通过固态反应制备的YBaCuO超导体中观察到两种类型的层错,其层错面均为(001)面。结构象衬度及晶体周期性分析表明层错均为附加Cu-O链插入包含基本Cu-O面的两层Ba-O层之间所致,两种层错分别具有位移矢量R_1=[0,/2,c/b]和R_2=[a/2,b/2,c/b]。图1为[100]带轴的高分辨象,图中显示了R_1型层错并标出了层错附近原子排列情况,结构模型在[100]方向的投影如图4A区所示。图2是与图1同一样品稍不同区域不同欠焦量的[100]带轴高分辨象。图中B区沿水平方向晶格参数与A区相同,故A、B两区具有相同的晶带轴B区显示的层错与A区不同,具有位移矢量R_2,图中标出了原子排列情况,结构模型如图4B区所示。(001)层错可以穿过整个晶粒,也可中止在其中。在层错中止处,存在伯格斯矢量和层错位移矢量相同的不全位错。图     

多种物质的远红外吸收研究

根据散射理论,描述了多种物质对红外入射的吸收问题。首先通过计算单个粒子的有关参数,推导出了一定条件下气悬体粒子随参量变化时的透射关系,进而计算出一定入射波长条件下某些远红外材料的最低透射率,从绘制的透射率曲线看出,每个连续的透射率曲线都有一个最小值。显然,选择对应的粒子直径可以为烟幕加工提供理论上优化的依据。最后给出了实验结果。     

驱动AM-OLED的2-a-Si:H TFT的设计与制作

a-Si：H／SiNx：H TFT在长时间栅偏应力作用下，会产生阈值电压漂移，这主要是由绝缘层电荷注入和有源层亚稳态产生而引起的。针对电荷注入现象，文章首先通过控制源气体SiH4和NH3流量的不同，利用PECVD制作了不同N／Si比（0．87～1．68）的氮化硅绝缘材料，对其进行了椭偏、红外和光电子散射能谱（EDS）测试。制作了不同的MIS结构电容，对其进行老化实验和C-V测试分析，结果表明稍富氮（N／Si比稍大于标准Si3N4的化学计量比1．33）的氮化硅做成的M1S样品在老化前后C-V曲线偏移不是很明显，表明其缺陷态密度相对较小，能够有效减小半导体／绝缘层界面间的电荷注入。设计了驱动OLED的2-a-Si：H TFT像素电路及其阵列版图，优化了电路中的几个关键参数，即T1的W／L=2．5、T2的W／L=25和存储电容Cs=0．8pF。运用7PEP生产工艺，制作了13cm（5．2in）的TFT阵列样品。对TFT进行I-V特性测试，其开态电流为10μA，开关比为10^6；对AMOLED显示屏样品进行了静态驱动下的亮度测试，其最高亮度为341cd／m^2。     

准一维半导体纳米材料的研究进展

探索准一维纳米结构材料的维数和尺寸,对其光学、电学和力学等性质的影响有很大的研究价值。介绍了半导体纳米棒、纳米线、纳米带等典型准一维纳米材料的一些最新研究进展,并对准一维纳米材料的研究趋势作了展望。