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31.
综述了精馏系统中多目标的优化问题,分析列举了人工神经网络、正交设计、响应面、遗传算法和粒子群算法在精馏系统多目标优化中的应用,旨在总结精馏系统中的优化算法,寻求最优操作条件的解法,为精馏塔的多目标优化提供参考。结果表明,针对于目前精馏系统的复杂多变性及混合规划问题,这些算法可以很好地对精馏系统进行建模,预测精馏模型,预测值与模拟值拟合较好,有较高的精度。且可用于求解精馏过程中的最优操作条件,降低系统的不可逆性,实现了精馏系统的节能优化,提高了产品质量,降低了能耗。最后指出了多目标优化精馏系统方法的可行性,也表明在实际生产中将多种优化算法相结合进行多步优化的可行性。 相似文献
32.
工科基础课程化工类CAl系列课件的研究开发 总被引:1,自引:0,他引:1
按照国家教育部高教司[1995]58号文件(关于组织<面向21世纪高等工程教育教学内容和课程体系改革计划>)的通知,1995年6月,天津大学等多所院校提出了"工科基础课程化工类CAI系列课件的研究开发"的立项申请书,经教育部高教司组织专家评审,1996年14号文件被批准列入计划中03-9项--基础课程系列课件的研制开发,该项目中含计算机、电子电工、物理实验、化工类、机械设计类、制图类、力学类七大类基础课程,其中"工科基础课程化工类CAI系列课件的研究开发"项目主持单位为天津大学,参加单位为清华大学、华东理工大学、上海交大、华南理工大学、南京理工大学、浙江大学、北京化工大学等学校. 相似文献
33.
对我国某厂研制的 ZG32MnMoNiCu 铸钢和生产中应用的 ZG25 Ⅰ的疲劳性能进行了对比研究。用常规单点试验法测定了两种材料的 S—N 曲线(带缺口试样),用成组对比试验法对两种材料的疲劳寿命进行了对比分析。试验结果表明:ZG32MnMo-NiCu 铸钢的拉—拉疲劳极限(带缺口试样)比 ZG25 Ⅰ提高25.6%,对称拉压疲劳极限提高23%:在成组对比试验的载荷工况下,当置信度为95%时,ZG32MnMoNi Cu 铸钢的中值疲劳寿命是 ZG25Ⅰ材料中值疲劳寿命的3.6~6.1倍。 相似文献
34.
采用气态源分子束外延(GSMBE)技术,以四溴化碳(CBr4)作为碳杂质源,系统研究了InP衬底上碳掺杂p型InGaAs材料的外延生长及其特性,在AsH3压力5.33×104Pa,生长温度500℃条件下获得了空穴浓度高达1×1020/cm3、室温迁移率为45cm2/Vs的重碳掺杂p型In0.53Ga0.47As材料。研究了CBr4和AsH3束流强度以及生长温度等生长条件对碳掺杂InGaAs外延层组份、空穴浓度和迁移率的影响,并对不同生长条件下的氢钝化效应进行了分析。 相似文献
35.
为了解决现有判别分析算法对残缺和遮挡等外部干扰比较敏感的问题,从局部稀疏表示的角度,提出一种基于稀疏重构的判别分析(SDA)降维算法。该算法首先利用稀疏表示完成各个类内局部稀疏重构,然后通过非所在类内的样本均值完成各样本的类间局部稀疏重构,最后在降维过程中保持类间和类内的稀疏重构信息之比。在AR和UMIST人脸库人脸数据集上的实验结果表明,与基于图优化的Fisher分析(GbFA)算法和基于重构判别分析(RDA)算法相比,该算法提高了基于近邻分类的最高识别准确率2%~10%。 相似文献
36.
导助航信息的三维可视化为船员提供清晰、直观的画面,方便船员准确地判断和掌握船舶所处的空间位置、水文环境、行进方向等重要信息。分析了整个三维可视化系统的体系结构;对导助航信息三维可视化的关键技术进行了研究,通过斜墨卡托投影实现地理坐标系到世界坐标系的坐标转换;提出一种方法计算航标位置、偏转角度用以指示锚地位置、船舶停靠方式;通过几何对象可视化进行导助航信息的动态展示。实验结果表明,该系统能够很好地解决船舶雾天通航因能见度低所造成的滞航问题,引导船舶航行和定位。 相似文献
37.
38.
39.
糖尿病心肌病(diabetic cardiomyopathy, DCM)作为糖尿病的心血管并发症,严重影响糖尿病患者的预后。近年来,糖尿病心肌病的发病率和死亡率持续增高,成为人们重点关注的研究问题。糖尿病心肌病的发病机制复杂,多种信号通路参与其进展过程。核因子E2相关因子2(nuclear factor NF-E2-related factor 2, Nrf2)作为一种强效抗氧化基因,通过与其他信号因子相互关联增强心肌抵抗氧化应激的能力,并发挥抗炎症反应、抗心肌纤维化以及抗细胞凋亡等作用。大量研究文献显示,中药有效成分可以通过增强Nrf2的表达,影响Nrf2与其他信号因子的相互关联来改善糖尿病心肌病的心肌损伤。故本文就Nrf2在糖尿病心肌病中的作用及中药干预研究进行文献综述,为糖尿病心肌病的防治提供参考。 相似文献
40.
本文建立了包括空间电荷区复合电流在内的缓变异质结双极晶体管(HBT)的分析模型.对AlGaAs/GaAsHBT特性的分析表明,缓变发射结虽可有效地消除导带边的势垒尖峰,但也会大大增加空间电荷区中的复合,导致小电流情况下电流增益的明显下降.发射结界面附近的不掺杂隔离层会进一步增大空间电荷区内的复合,加剧电流增益的下降.因此在器件的设计和制作过程中,应精确控制组分缓变区和不掺杂隔离层的厚度,以减小空间电荷区中的复合电流,获得较好的器件特性. 相似文献