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Multiple-access interference(MAI) and beat noise(BN) in chip-asynchronous coherent time-spreading OCDMA system are evaluated by the aperiodic cross-correlation function of up-sampled sequence.Relationship between the mean intensity of aperiodic cross-correlation and MAI and BN is deduced,and then the relationship between BER and mean intensity of aperiodic cross-correlation is discussed.For 127-long gold sequence,mean BER performance of chip-asynchronous coherent time-spreading OCDMA is derived and compared... 相似文献
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65.
传统的异常数据监测算法依靠单台计算机对异常数据进行识别,识别速度慢,且无法满足对数据处理的精确性要求。针对上述问题,文中构建了Hadoop分布式财务异常数据分析模型。该模型采用Hadoop中的MapReduce框架作为并行计算框架,同时在数据异常检测算法方面引入了邻域关系的LOF算法,有效避免了数据集元素边缘可能会出现误判的情况。数值实验结果表明,文中所提算法的准确率相比其他3种同类算法提升了5%以上,且算法的总运行时间也明显缩短。由此可见,文中所提模型可快速、准确地检测出财务异常数据,保障医疗系统的平稳运行。 相似文献
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研究了GaN/AlGaN异质结背照式p-i-n结构可见盲紫外探测器的制备与性能。GaN/AlGaN外延材料采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法生长,衬底为双面抛光的蓝宝石,缓冲层为AlN,n型层采用厚度为0.8 μm的Si掺杂Al0.3Ga0.7N形成窗口层,i型层为0.18 μm的非故意掺杂的GaN,p型层为0.15 μm的Mg掺杂GaN。采用Cl2、Ar和BCl3感应耦合等离子体刻蚀定义台面,光敏面面积为1.96×10-3 cm2。可见盲紫外探测器展示了窄的紫外响应波段,响应区域为310~365 nm,在360 nm处响应率最大,为0.21 A/W,在考虑表面反射时,内量子效率达到82%;优质因子R0A为2.00×108 Ω·cm2,对应的探测率D*=2.31×1013 cm·Hz1/2·W-1;且零偏压下的暗电流为5.20×10-13 A。 相似文献
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针对金属工件表面缺陷分割精度低的问题,通过对工件表面图像缺陷特征研究,提出以U-net为基础,结合多尺度自适应形态特征提取模块及瓶颈注意力模块的工件表面缺陷分割模型。首先,在网络中嵌入多特征注意力有效聚合模块,提高信息的利用率,提取更多相关特征,从而高精度地提取缺陷目标。然后,在网络中引入瓶颈注意力模块,增加缺陷目标的权重,优化特征的提取,获取更多的特征信息,从而获得更好的分割精度。改进后的网络平均精度达到0.8749,比原网络相比提高了2.92%,平均交并比达到0.8625,提高了3.72%。与原始网络相比,改进后的网络具有更好分割的精度,可以获得更好的分割结果。 相似文献
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采用ICP刻蚀(inductively coupled plasma etching)工艺制备了深台面n-on-p结构的可响应到2.4μm的延伸波长8×1元线列In Ga As探测器.器件表面采用ICP源激发的N2等离子体进行处理,然后再使用ICPCVD(inductively coupled plasma chemical vapor deposition)沉积一层Si Nx薄膜的钝化工艺.不同面积光敏元器件的电流—电压特性分析显示器件在常温和低温下侧面电流均得到有效抑制,激活能分析显示了器件优异的暗电流特性,在-10 m V偏压下,在200 K和300 K温度下暗电流密度分别为94.2 n A/cm2和5.5×10-4A/cm2. 相似文献
70.
采用光学发射光谱(OES)原位检测技术,对等离子体刻蚀机中的等离子体状态进行实时监控,讨论了其在故障诊断、分类、刻蚀终点的判断及控制方面的应用。实验平台为在新研发的高密度等离子体刻蚀机,采用化学气体HBr/Cl2为刻蚀气体进行多晶硅刻蚀工艺实验,实验过程中所采集的OES数据通过PCA法进行分析,得到与刻蚀过程相关的特征谱线。实验结果表明:OES技术适合于深亚微米等离子体刻蚀工艺过程的终点检测及故障诊断。最后就OES技术未来发展面临的挑战进行了讨论。 相似文献