激光辐照对长波HgCdTe光导探测器电学参数的影响

对长波HgCdTe光导探测器进行了低于其永久损伤阈值的变功率激光辐照,测量辐照前后器件的电阻-温度特性,用电阻-温度特性研究材料参数的方法对实验结果进行拟合,结果表明辐照后HgCdTe探测器件的组分变大,并由此计算得到探测器性能突变后,器件的电子迁移率与电子浓度均有一定程度减小.认为这可能是由于激光辐照的热效应使N型HgCdTe光导器件的表面及体内均产生的一定的变化所致.     

太周探测：从60年代四大天文发现说起(上)

介绍了高光谱用红外探测器的性能及使用情况,并将其与国外同类型高光谱红外探测器的关键指标(如信噪比、暗电流、读出噪声等)进行了对比测试分析。经过衬底去除工艺,短波探测器的光谱响应达到0.4~2.6 μm,平均量子效率超过75%,动态范围内响应线性度拟合曲线的R²值都大于 0.99,半阱信噪比可达到1600。该探测器的性能超过了国外报道的同类器件,满足我国高光谱应用需求。     

卫星目标光学测量大气折射修正

本文从实测的大气参数廓线出发,讨论了对卫星目标进行光学定位测量时,进行大气折射误差修正时的几个问题,如大气色散、大气湍流和大气水平不均匀性等对折射修正的影响。首先计算了不同仰角下卫星目标光学测量的大气折射修正量的大小,讨论了用不同波长测量时大气色散所造成的修正量的偏差。同时还讨论了大气湍流、大气水平不均匀以及大气条件及昼夜变化等气象因素所引起的折射修正误差。     

GaN紫外探测器的Ti/Al接触的电学特性

在非故意掺杂的和掺Si的GaN薄膜上蒸镀Ti(24nm)/Al(nm)薄膜,氮气环境下400～800℃范围内进行退火。实验结果表明,在非故意掺杂的样品上,随退火温度的升高,肖特基势垒高度下降,理想因子升高,表面状况逐渐变差,600℃退火形成较低接触电阻的欧姆接触,比接触电阻率为3.03×10-4Ωcm2,而载流子浓度为5.88×1018cm-3的掺Si的样品未退火就形成欧姆接触,比接触电阻可达到4.03×10-4Ωcm2。     

微波反射光电导衰退技术在InGaAs台面结器件工艺中的应用

微波反射光电导衰退法是一种非接触式的半导体材料少子寿命表征手段，本文用微波反射光电导衰减法测试了台面InGaAs光电器件制备中各单项工艺（刻蚀、腐蚀、硫化）中InCaAs样品的少子寿命分布，结果表明，离子刻蚀使得样品少子寿命降低，非均匀性增大，而湿法腐蚀能够在一定程度上修复离子刻蚀带来的损伤，损伤区域中心的少子寿命增大，寿命分布也更加均匀，硫化钝化能够进一步提高损伤区域少子的寿命，却使寿命分布均匀性变差。可见，微波反射光电导衰减法可以简单无损地得到样品少子寿命分布，对工艺改进具有重要的指导意义。     

平面型铟镓砷线列探测器的制备及伏安特性研究

通过闭管锌扩散制备了256元平面型铟镓砷(In0.53Ga0.47As)线列探测器,室温下焦平面平均峰值探测率为5.79×1011cmHz1/2W-1,不均匀性为31%,平均峰值响应率为0.33 A/W.并且通过拟合其伏安曲线得到了器件的理想因子和串联电阻,基于这两个相互独立的参数可以对器件不同区域的性质加以考查,结果表明器件材料具有较好的均匀性,而器件的欧姆接触电阻偏大,且不均匀性达到39%,为工艺的改进提供了重要依据.     

高速小目标成像系统中的探测器选型问题

探测器作为成像系统设计的"眼睛",其性能直接关系到成像系统的优劣.以高速小目标成像系统为例,介绍了实际应用中探测器选型的方法.以一特定系统为例,重点从探测器扫描方式,探测器结构及信噪比等方面做了详细介绍,并最终确定Kodak的KAI-4021作为该系统的选择.在实际的系统设计中,探测器的选择还综合考虑了许多其他因素,未在文中详述.     

不同介质层钝化的碲镉汞光导型探测器的氢化研究

利用氢等离子体对阳极氧化层和ZnS钝化的碲镉汞光导型探测器进行了氢化处理,发现对于阳极氧化层钝化的器件,氢化处理后性能衰退,表现在信号的降低和噪声的增加,从表面形貌的观察,发现原来呈蓝色的阳极氧化层在氢化处理后几乎完全消失,从光谱响应上表现为短波方向的响应下降,认为由于氢化过程中介质层的消失使得氢离子直接轰击碲镉汞表面,造成少子表面复合速度增加.对ZnS钝化的器件氢化处理后性能改善,表现为信号的提高和噪声的下降,从光谱响应上表现为短波方向的响应抬高,从表面形貌观察发现ZnS的颜色略有变化,台阶仪测试表明氢化后ZnS的厚度减薄了约70nm,通过SIMS测试分析发现氢化过程中H离子可以穿过ZnS层到达ZnS与碲镉汞的界面处,认为氢离子对界面态起到了钝化作用,降低了界面态密度从而提高了器件的性能.     

接收数值孔径和粗糙目标尺寸对稀疏限制的鬼成像影响研究

设计一种针对粗糙表面目标的基于稀疏限制的鬼成像(GISC)实验装置,研究并分析接收系统的数值孔径与粗糙目标尺寸对GISC成像性能的影响。结果表明,粗糙目标的GISC成像质量与接收系统的数值孔径和目标尺寸均呈正相关。本研究可以为GISC装置中接收系统的光路设计提供重要参考。     

台面型InP/InGaAs PIN光伏探测器的p-InP低阻欧姆接触

研究了电子束蒸发淀积的非合金膜系Au/Pt/Ti/p-InP(2×1018cm-3)接触的物理特性,通过450℃、4 min的快速退火,获得了欧姆接触,其比接触电阻为7.3×10-5 Wcm2.接触电极退火后,采用离子溅射法淀积加厚电极Cr/Au.利用俄歇电子能谱(AES)进行深度剖面分析,表明Pt层能够相对有效地阻挡...