低堆密度Claus尾气加氢催化剂制备方法研究

目的 制备一种低堆密度高强度的Claus尾气加氢水解催化剂,以解决尾气加氢水解催化剂堆密度高所造成的成本高的问题。方法 考查对氧化铝粉体和载体性能影响最大的焙烧过程,采用TG、SEM、XRD等表征手段,研究低堆密度克劳斯尾气加氢水解催化剂的制备方法,筛选出最优控制条件,提升催化剂综合性能。结果 所制备的三叶草形催化剂堆密度仅为0.50 g/cm³,载体强度达到189 N/cm,比表面积达到312 m²/g。结论 通过浸渍法制备的低堆密度催化剂显示出良好的尾气加氢水解性能,可大大降低催化剂装填成本。     

基于IDEF0模型的装备维修规划流程

依据装备维修规划流程的定义、任务及目标,运用IDEF0建模方法,首先确定装备维修规划流程中功能结构树明确流程中各个模块的纵向联系.然后在每个层次上绘制功能活动关系图,用于描述该层次上模块之间的横向关系.由此理顺维修规划流程中各工作和活动间的逻辑顺序关系,规定各种信息流、控制流和资源流的内容和属性,最终建立维修规划流程的规范化模型.     

豪迈走过67载

国营三五六厂坐落于春城昆明。提起她的历史,要追溯到烽火连天的抗日战争时期,当时该厂制造的武器输送到抗日前线,为中华民族取得抗战胜利做出了突出贡献。建国以来,三五六厂得到阔步发展,为人民解放军奉送了一批批优秀武器,56式7．62mm轻机枪、67式7．62mm轻重两用机枪、75式14．5mm高射机枪……,特别是近年定型的88式5．8mm通用机枪、02式14．5mm高射机枪等等,都诞生于这个厂,且许多轻武器都占据了我国轻武器发展历程中的“第一”。三五六厂建厂至今,已走过67载岁月。67岁,对于一个人来说已步入花甲之年,而对于一个企业来说,正在走向她的成熟。让我们一同走进三五六厂,追寻她的历史足迹,重温过去的辉煌,期待着拥有光荣传统的三五六厂为我国轻武器发展继续谱写新的篇章。     

裂解汽油一段选择加氢催化剂研究进展

概述了裂解汽油一段选择加氢钯系和镍系催化剂在我国的工业化应用情况,并从载体材料、制备工艺优化以及添加助剂改性3个方面,综述了此系列钯系和镍系催化剂在国内外的研究进展,预测了今后需持续注重及改进的相关方面;最后展望指出,针对特定原料性质开发与之相匹配的选择加氢工艺及其配套专用催化剂,将是未来裂解汽油一段选择加氢催化剂研发的主方向。     

催化裂化装置应用MFP技术的工业试验

介绍了多产丙烯和低硫燃料油组分的催化裂化与加氢脱硫(MFP)技术在催化裂化装置的改造内容、工业试验以及工业应用。以MIP-CGP工艺为空白标定,对比了在专用催化剂占系统藏量50%和80%时MFP工艺操作条件和产品分布的变化。结果表明,采用MFP技术后,产物氢分布改善,液化气中丙烯和异丁烯含量大幅增加,低碳烯烃收率和选择性得到提高,并且维持了干气量和生焦量的稳定。催化裂化技术从追求高转化率向高选择性的转变,实现了碳氢资源高效利用;同时可以根据市场需求变化灵活调整生产方案,实现经济效益的最大化。     

国内外难处理金矿资源的开发利用

本文介绍了难处理金矿的特点，国内外研究概况及发展趋势，并指出开发利用我国难处理金矿资源亟待解决的问题。     

地球反照辐射对太阳探头影响的研究

太阳探头响应的能量是太阳可见光辐射.在卫星轨道,地球大气和表面产生的反射光照也能进入太阳探头的视场.针对风云一号C星和风云三号气象卫星,综合考虑了卫星发射的窗口、轨道、大气漫反射和太阳直射等因素,从理论上分析和推算了太阳探头响应地表及大气反照的各种结果,并作为风云一号C星姿控系统复核复算的依据.也可为风云三号卫星姿控系统提供参考.     

像法国人一样生活

欧洲之西,地中海之北,那个菱形的国家,有我曾经5年的生活,这个坐落在德国和西班牙之间的国家,一向以生活节奏缓慢,国民热爱度假,喜欢休闲著称,是的,它就是法国,那个可以颠覆你想像的国家,在这里首先要做的是学会轻松,放下,一切从容,因为从戴高乐机场开始,便已经与世隔绝,放下香港的快节奏、忘记的繁忙,这里是法国,是巴黎,要学会Vivre comme un francais（像法国人一样生活）     

微波反射光电导衰减法测量InGaAs 吸收层的均匀性

外延材料的均匀性对制备大型线列和二维面阵焦平面阵列(FPA)探测器非常重要.用微波反射光电导衰减法(μ-PCD)分别在300 K和85 K温度下测量了用分子束外延技术生长的p-InP/n-InGaAs/n-InP双异质结中掺杂InGaAs吸收层的载流子寿命分布图,并详细论述了这种测试技术的理论基础.在300 K和85 K时,平均寿命分别为168.2 ns和149.4 ns,结果与ZnS/n-InGaAs/n-InP的基本一致.寿命变温曲线表明,中等掺杂InGaAs载流子寿命在低温下变化较小.μ-PCD法可以非接触无损伤快速测量p-InP/n-InGaAs/n-InP双异质结中InGaAs的寿命图,对于表征InGaAs吸收层的均匀性有潜在的应用,这对研制均匀性良好的InGaAs焦平面探测器非常重要.     

激光辐照对长波HgCdTe光导探测器电学参数的影响

对长波HgCdTe光导探测器进行了低于其永久损伤阈值的变功率激光辐照,测量辐照前后器件的电阻-温度特性,用电阻-温度特性研究材料参数的方法对实验结果进行拟合,结果表明辐照后HgCdTe探测器件的组分变大,并由此计算得到探测器性能突变后,器件的电子迁移率与电子浓度均有一定程度减小.认为这可能是由于激光辐照的热效应使N型HgCdTe光导器件的表面及体内均产生的一定的变化所致.