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甲烷无氧芳构化研究进展及其工业应用前景 总被引:5,自引:0,他引:5
综述了最近20多年来甲烷无氧芳构化催化剂的制备、积炭失活和再生方面的研究进展,特别分析了催化剂再生过程的工程化问题及反应器型式;还根据甲烷芳构化技术产业化的需要,分析了甲烷芳构化技术的发展趋势。 相似文献
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本文报道采用液相外延(LPE)生长和传统光刻制管工艺研制出引入多层(三层或三层以上)中间能带隙过渡的吸收区、倍增区分离的InGaAs(P)/InP雪崩光电二极管(简称InGaAs(P)/InPSAGMAPD),其技术指标为:击穿电压VB=40~90V;0.9VB时的暗电流Id最小可小于10nA;1.3μm时光响应度Re=0.6~0.8A/W,倍增因子M≥20(Mmax>40),过剩噪声因子F≌5和较宽频带响应特性。 相似文献
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传统的多载波调制都是采用对传输信道进行等带宽划分的方式。为了更好地适应信道传输特性,一个很有应用前景的发展方向是采用非等带宽划分信道的多载波调制方式。本文提出了一种利用正交小波包变换实现的非等带宽划分信道的多载波调制方法。理论分析和实验结果表明,这种方法对于提高信道的传输性能有很大的潜力。 相似文献
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采用ZG31Mn2Si替代ZGMn13生产拖拉机和推土机履带板.改进铸造工艺,可以生产出合格的铸件;经淬火、低温退火处理,其基体组织为马氏体,属强韧性钢种,能够切削加工. 相似文献
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制作压力传感器时,在二氧化硅层上淀积多晶硅膜,既可利用优良的机械特性,又可保证压敏电阻与衬底间具有良好的绝缘性,由此可大大提高器件的温度特性。介绍了一种多晶硅压力传感器的原理和设计。实验结果表明,这类传感器具有灵敏度好,精度高等特点,电路工作范围为0-250℃,且具有良好的温度稳定性。 相似文献
68.
Low temperature wafer direct bonding 总被引:11,自引:0,他引:11
Qin-Yi Tong Cha G. Gafiteanu R. Gosele U. 《Journal of microelectromechanical systems》1994,3(1):29-35
A pronounced increase of interface energy of room temperature bonded hydrophilic Si/Si, Si/SiO2, and SiO2/SiO 2 wafers after storage in air at room temperature, 150°C for 10-400 h has been observed. The increased number of OH groups due to a reaction between water and the strained oxide and/or silicon at the interface at temperatures below 110°C and the formation of stronger siloxane bonds above 110°C appear to be the main mechanisms responsible for the increase in the interface energy. After prolonged storage, interface bubbles are detectable by an infrared camera at the Si/Si bonding seam. Desorbed hydrocarbons as well as hydrogen generated by a reaction of water with silicon appear to be the major contents in the bubbles. Design guidelines for low temperature wafer direct bonding technology are proposed 相似文献
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