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141.
红外/毫米波多模寻的系统关键技术分析   总被引:6,自引:0,他引:6  
概述了红外/毫米波多模寻的系统的主要技术特点,对多谱段头罩的选材,外形与厚度的设计进行了计算与理论分析;探讨了适宜于多模导引头的多种类型稳定位标器和复合天线系统系统方案;重点对外/毫米波融合处理器系统进行了研究,针对红外,毫米波探测系统的输出信息,确定了多模寻的系统的融合层次与融合准则。  相似文献   
142.
光电耦合器件g-r噪声模型   总被引:1,自引:0,他引:1  
在宽范围偏置条件下,测量了光电耦合器件的g-r(产生-复合)噪声.实验结果表明,随着偏置电流的增加,g-r噪声逐渐向高频移动,其噪声幅值呈现先增加后减小的变化规律.通过测量前级噪声和后级噪声,发现光电耦合器件g-r噪声来源于后级的光敏三极管.基于载流子数涨落机制,建立了一个光电耦合器件g-r噪声的定量分析模型.实验结果和本文模型符合良好.  相似文献   
143.
A polysilicon emitter RCA transistor (an ultra-thin interfacial oxide layer exists between polysilicon and silicon emitter) is presented which can operate at 77 K for the first time. An ultra-thin (1.5 nm) interfacial oxide layer is grown deliberately between polysilicon and silicon emitter using RCA oxidation and excellent device stability is obtained after rapid thermal annealing (RTA) treatment in nitrogen atmosphere. The RCA transistor exhibits good electrical performance at very low temperature for an emitter area of 3 × 8 μm2. The maximum toggle frequency of a 1:2 static divider is 1.2 GHz and 732 MHz at 300 K and 77 K, respectively  相似文献   
144.
本文给出了一种严格分析有限尺寸圆盘地面单极天线的新方法———模式匹配法 .该方法通过在天线上、下两边平行放置两个无限大良导电平面 ,以及合理划分区域 ,使得每个分区中的场分量能够采用柱谐展开式解析表示 ,且展开系数由导体表面边界条件及分区交界处场分量连续条件加以确定 .在此基础上 ,进一步分析天线的输入阻抗等电性能 .计算结果表明 :对不同尺寸圆盘地面单极子天线 ,理论分析与文献中的实验结果均十分吻合 .同时 ,由于场量的解析表示 ,使得计算速度较快  相似文献   
145.
该文提出了一种基于RELAX的自聚焦算法。根据多个特显点和杂波同时存在的模型,该算法交替迭代地进行相位校正和散射点参数估计,在精确估计出散射点子回波参数的同时估计出自聚焦所需的相位误差。由于该算法未对杂波和噪声模型作任何假设,可应用于绝大多数成像场景,同时该算法可用于估计任何类型的相位误差,因此是一种稳健的自聚焦算法。实际数据处理结果表明该方法是有效的。  相似文献   
146.
PFA算法的性能受到距离弯曲引起的成像误差的影响,传统的处理方法是限制场景的尺寸。本文从超分辨处理的角度出发,对距离弯曲引起的空变的二次相位误差(QPEs)采取精确估计和补偿的方法进行预处理,然后得到超分辨图像及目标特征参量。相位误差的粗估计采用离散多项式相位变换(DPT)方法,而误差精估计则基于RELAX类算法。仿真和实测数据证明了本文方法的有效性。  相似文献   
147.
介绍了几种加固和非加固 MOS电路的质子辐照总剂量效应实验 ,质子束的能量为 9、 7、 5、 2 Me V.实验结果表明 ,在相同的吸收剂量下 ,MOS器件累积电离辐射损伤与质子能量成正比 .还给出了栅极偏压对器件质子辐射损伤的影响 ,结果认为 ,对于 NMOSFET,不论是加固器件 ,还是非加固器件 ,在 +5 V的栅压偏置下 ,器件的辐射损伤比 0 V栅压下的损伤严重 ,对于加固器件 ,辐射感生界面态的密度也较高 ;而加固型 PMOSFET,在 0 V的栅压下 ,辐射损伤比 - 5 V下严重 ,且界面态的密度高  相似文献   
148.
低功耗IGBT(LPL-IGBT)及其仿真   总被引:2,自引:5,他引:2  
吴郁  陆秀洪  亢宝位  王哲  程序  高琰 《半导体学报》2001,22(12):1565-1571
提出了一种新结构的 IGBT,取名为低功耗 IGBT(L PL- IGBT) ,它具有离子注入形成的超薄且轻掺杂的背P型发射区 ,从而具有 NPT- IGBT的优点 ;同时具有由衬底预扩散残留层构成的 n型缓冲层 ,又具有 PT- IGBT的优点 .计算机仿真结果证明 ,它的关断损耗比 PT- IGBT和 NPT- IGBT降低一倍左右 .它的结构比 FSIGBT更适合于实际生产  相似文献   
149.
该文将大时宽带宽积的空间相位编码步进频率(PCSF)信号与m序列码相结合,应用于多发单收体制下的 分布式小卫星雷达系统,获得很好的距离和多普勒分辨率。仿真结果验证了该信号模型的可行性。  相似文献   
150.
该文提出了星/机双基地混合滑动聚束式SAR的距离-多普勒成像算法。文中首先通过级数反演法得到了此双基构型下场景目标的2维频谱,并通过解析近似得到随距离空变的频谱表达。在此基础上,提出了先根据谱分析技术对回波信号进行方位去混叠处理,再进行2维频域处理得到全孔径聚焦的双基地SAR 距离-多普勒成像算法。该算法不需要进行子孔径分块和插值操作,运算量小,效率高。最后通过仿真实验验证了算法的有效性。  相似文献   
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