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991.
由乙酰乙酸乙酯(1)为原料经过肟化、还原缩合成环等反应首先合成knorr吡咯(4),然后再由knorr吡咯经氧化反应得到2,4-二乙氧羰基-3-甲基-5-甲酰基吡咯(5),5经皂化反应得到2-羧基-3-甲基-4-乙氧羰基-5-甲酰基吡咯(6),6再经溴化反应得到2-溴-3-甲基-4-乙氧羰基-5-甲酰基吡咯(7),最后,7通过皂化及脱羧得到托尼卟吩结构模型的重要中间体D环结构单元2-溴-3-甲基-5-甲酰基吡咯(Ⅴ)。合成产物的结构都通过1HNMR、IR和GC-MS或MS得到了表征。同时对第二步中氧化反应中的氧化剂以及第四步溴化反应中的溶剂进行了研究。结果表明,氧化反应中的最佳氧化剂为硝酸铈铵,产率达到91.5%,溴化反应中的最佳溶剂为甲醇,反应产率达到58%。 相似文献
992.
采用化学修饰方法,以二氧化硅为内层修饰材料,r-氨丙基三甲氧硅烷(APS)偶联剂为外层修饰材料,对磁性ZnFe2O4纳米粒子进行了双层修饰。并采用XRD、IR、Zeta电位对未包裹粒子,二氧化硅包裹的磁纳米粒子,APS和二氧化硅双层包修饰的纳米磁粒进行表征。同时也比较了三种粒子的耐酸性能。结果显示硅包裹的纳米磁粒Zeta电位明显向酸性方向移动,而双层的纳米磁粒Zeta电位向碱性方向移动。包裹的纳米磁粒在pH2.0的酸中具有很好的耐酸性能,而未处理的纳米粒子在酸溶液中发生了溶解。 相似文献
993.
994.
995.
提出了一种新的双簇头分簇算法,该算法在单簇头分簇算法的基础上增加了一个备用簇头节点,在簇头节点能量耗尽或出现故障时,备用簇头节点能够实时升成簇头节点以维持簇稳定工作,从而减少网络重建的次数,提後高网络稳定性,仿真实验表明,双簇头分簇算法比单簇头分簇算法有更好的稳定性和公平性. 相似文献
996.
Mo/Al/Mo结构金属作为TFT的电极,刻蚀后的坡度角和关键尺寸差是重要的参数。明确影响坡度角和关键尺寸差的工艺参数,进而控制坡度角和关键尺寸差,这对工艺制程至关重要。本文探究了膜层结构、曝光工艺、刻蚀工艺对坡度角和关键尺寸差的影响,并对刻蚀工艺进行正交试验设计。实验结果表明:Al膜厚每减小60nm,坡度角下降约9°,关键尺寸差增加0.1μm。曝光工艺中,显影后烘烤会增加光阻粘附力,导致关键尺寸差减小0.1μm,同时坡度角增加约9°。刻蚀工艺中,过刻量每增加10%,坡度角下降3.3°,关键尺寸差增加0.14μm;正交试验结果表明,对关键尺寸差、刻蚀均一性、坡度角影响因素的重要性顺序是:液刀流量Air Plasma电压水刀流量。经上述探究表明,坡度角和关键尺寸差呈负相关关系,刻蚀程度增加,关键尺寸差增加,而坡度角则减小。可以通过调节工艺参数对坡度角和关键尺寸差进行控制。 相似文献
997.
研究了用Ag-Sn作为键合中间层的圆片健合。相对于成熟的Au-Sn键合系统(典型键合温度是280℃),该系统可以提供更低成本、更高键合后分离(De-Bonding)温度的圆片级键合方案。使用直径为100mm硅片,盖板硅片上溅射多层金属Ti/Ni/Sn/Au,利用Lift-off工艺来形成图形。基板硅片上溅射Ti/Ni/Au/Ag。硅片制备好后,将盖板和基板叠放在一起送入键合机进行键合。键合过程在N2气氛中进行,键合过程中不需要使用助焊剂。研究了不同键合参数,如键合压力、温度等对键合结果的影响。剪切强度测试表明样品的剪切强度平均在55.17MPa。TMA测试表明键合后分离温度可以控制在500℃左右。He泄漏测试证明封接的气密性极好。 相似文献
998.
999.
为了提高确定性密钥分发效率,提出了基于GHZ态纠缠交换的量子确定性密钥分发(Quantum deterministic key distribution,QDKD)方案,方案充分利用量子力学纠缠交换的原理,通信双方通过共享一对GHZ粒子态,在纠缠、测量操作后接收者Bob可根据发送者Alice发送的经典信息推断出确定密钥,该协议与其他基于GHZ纠缠态的QDKD方案不同之处在于,使用的两个GHZ粒子态制备操作且粒子分发操作由Bob完成,安全分析表明窃听者的窃听行为会被及时发现。所提出的方案是高效的,除去用于窃听检测的粒子,所剩的粒子全部用于信息传输,能够达到60%的密钥分发效率,且方案可操作性强. 相似文献
1000.
Web上分布式领域组件的框架表示 总被引:1,自引:0,他引:1
文章采用知识表示中的框架表示法,结合谓词产生式,语义网络等手段,提出了一个具有网络分布式及Web化构造特性的领域构架及组件的表示方法FRDDC。应用FRDDC实现的AND-CASE模型表现了FRDDC的自然性,结构性,Web可操作性,容纳柔性及知识表达能力。 相似文献