平面桁架构建的定日镜面形支撑结构优化及实验

针对反射面成型的复杂影响因素，提出平面桁架构建的定日镜面形支撑结构优化技术路线. 利用模拟仿真、数值计算和优化算法等方法，解析20 m²定日镜面形定义技术路线的4个组成环节：面形规格及宽高比、上弦杆的截面矩、平面桁架组间距的最优值、机加工中工艺控制要点的量化. 试制小型定日镜进行实验，分析光斑形状和能流密度分布特性，并与理想球面形光斑比较，两者的拟合优度大于0.98. 实验结果表明，当反射镜宽高比取1.2，上弦杆截面矩取40 000 mm⁴，桁架组间距取950 mm，上弦杆和斜杆的开孔公差小于0.9 mm时，反射面形的质量提升. 研究从原理和实践上证明了该优化技术路线的可行性.     

脱硫活性焦水洗再生过程实验研究

对5种活性焦水洗再生前后的脱硫性能进行实验研究，通过比表面积（BET）、X射线光电子能谱（XPS）方法表征水洗再生工艺对活性焦孔隙结构和表面化学性质的影响，揭示影响活性焦水洗再生性能的关键因素。结果表明:活性焦脱硫硫容的大小和水洗再生率的高低没有直接关系；微孔比表面积较大的活性焦脱硫性能较好，中大孔孔容较大的活性焦水洗再生率较高，同时具备较大的微孔比表面积和中大孔孔容结构的活性焦适宜水洗再生工艺；活性焦表面极性含氧官能团含量越高水洗再生效果越好；活性焦AC5经过6次水洗再生循环，微孔中的硫酸经过多次累积后可以被水洗出，稳定再生率保持在45%~50%，最适用于活性焦水洗再生工艺。     

砾岩储层精细描述中标准测井资料的应用

克拉玛依油田七区的标准测井资料是指使用标准电极系视电阻率测井、自然电位测井和井径测井,以相同的1:500深度比例尺及相同的横向比例进行测井作业所取得的资料.这种资料本来并不具备定量解释储层孔隙度和含油饱和度的能力,但这种资料占该区测井资料总量的比率高达34%.利用标准电极系视电阻率资料和岩心分析资料建立了视电阻率-岩性图版,利用自然电位减小系数α和岩心孔隙度分析资料φ建立了α-φ图版,根据综合测井资料求出标准测井视电阻率校正系数,进而确定了饱和度计算方程的参数.与相应的综合测井资料计算结果相对比,用该方法得到的孔隙度平均绝对误差及相对误差分别为1.85%和11.88%;含油饱和度平均绝对误差及相对误差分别为9.08%和24.75%.将该方法有选择地应用到该区砾岩储层精细描述研究中,弥补了缺乏综合测井资料无法进行测井储层评价及参数研究的缺陷.     

超高压大容量铝电解电容器的研制

分析了大功率设备用超高压大容量铝电解电容器的特点,通过研制工作电解液、制订制作工艺及零部件设计方案,研制出的超高压大容量铝电解电容器具有损耗角正切小(tgδ为0.25)、承受纹波电流能力强(100 Hz,2.12～27.8 A)及寿命长的特点,耐久性达到85℃,5 000 h。     

图书在版编目研究

简述了英、美等国图书在版编目的发展和中国实施在版编目的意义、作用及特点,对中国实施图书在版编目提出了设想和建议。     

基于可靠性评价的含缺陷核压力管道疲劳寿命预测方法

含缺陷压力管道经缺陷评定合乎使用后,其疲劳寿命的估计具有重要的工程意义。将整个含缺陷压力管道作为一个整体,分析了含缺陷压力管道的疲劳裂纹扩展特点,提出了相应的含缺陷压力管道疲劳寿命的计算过程,并在基于可靠性评价的基础上,给出了核压力管道的可接受失效概率,最终得到了含缺陷核压力管道疲劳寿命预测方法。     

机械合金化Fe-Ni粉末的相结构

使用XRD和Moessbauer等方法，研究了在Ar气氛下机械合金化Fe—Ni粉末相结构的变化．结果表明，在机械合金化Fe64-Ni36粉末过程中，fcc相的数量随着球磨时间的增加先增加然后减少，与加乙醇球磨Fe64-Ni36的情形相同．当Ni的含量(原子分数)大于50％时，有fcc相、顺磁相和FeNi3形成，当Ni的含量低于50％时，bcc相的数量随着Ni含量减少而增加．Moessbauer谱的结果表明，因球磨时间或Fe、Ni比例的不同，Fe—Ni球磨粉末固溶体具有不同结构的原子配比。     

基于TMS320VC5410的最小系统设计

TMS320VC5410是TI公司生产的一款定点数字信号处理(DSP)芯片。基于DSP的最小系统是以其简洁的硬件结构来实现DSP的一般功能,广泛应用于工业生产、教学、科研、电子设计等领域。主要介绍了基于TMS320VC5410的最小系统硬件电路设计方案,阐述了重要电路部分的抗干扰设计和软件调试过程中应注意的若干问题。最后提出了简单易行的软件调试方法以及部分程序代码。     

大型连杆流线简易试验方法

介绍了一种大型连杆流线的简易试验方法及其评价原则。该方法可清晰显示流线，并适合任何尺寸和形状的锻造连杆的流线试验。     

纳米光电子器件的最新进展及发展趋势

主要介绍了纳米光电子学的基本概念、发展模式以及纳米光电子器件的最新进展和发展趋势。