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41.
Investigation of the tunneling conductivity σ
d(V) of structures made on a highly doped, narrow-gap p-type semiconductor HgCdTe reveals an abrupt increase in this quantity at voltages corresponding to the start of tunneling
into the conduction band. It is shown that the observed functions σ
d(V) cannot be described in the framework of a model based on single-particle tunneling. It is proposed that the abrupt increase
in σ
d(V) is attributable to tunneling into exciton states.
Fiz. Tekh. Poluprovodn. 32, 1069–1072 (September 1998) 相似文献
42.
国际乳业的热点论题:蛋白质标准化 总被引:1,自引:0,他引:1
介绍了蛋白质的标准化这一国际乳品界正热的研究和讨论题目,综述了蛋白质标准化的必要性和世界上目前采用的方法,展望了膜技术在蛋白质标准化上的应用前景。 相似文献
43.
地基设计是整个建(构)筑物设计中的重要组成部分,它关系到建(构)筑物的安全及其功能能否正常发挥。本文着重分析探讨了在地基设计中应遵循的原则及注意事项。以保证建(构)筑物的安全和正常使用,充分发挥地基的作用。 相似文献
44.
当地弹性地基梁法计算非岩石地基的水闸底板应力时,首先要求解出不平衡剪力,当闸墩截面选择梯形时(主要是边墩),常用方法是作图法,这既有误差又繁琐。所以就此推导出一个公式,可直接求解平衡剪力。 相似文献
45.
由于悬空侧壁部分的变形状态是圆锥形零件成形的关键,而径向拉应力是实现悬空部分成形的必要条件,同时也是该部分冲压成形成败的关键为此,经力学分析得出了侧壁部分径向拉应力的解析式和造成圆锥形零件破裂的最大径向拉应力的计算式。同时分析了圆锥形零件的成形载荷。 相似文献
46.
针对小卫星自主管理与自主决策的要求,简单介绍了多Agent技术和ObjectAgent开发环境,并以某小卫星为例,研究并设计了基于ObjectAgent的小卫星星务系统,给出了所涉及的Agent的自主决策、任务调度、信息交互等一系列问题的解决方案,最后,利用多台PC机组网进行了仿真,达到了预期的实验效果。 相似文献
47.
48.
49.
Degradation Behaviors of Metal-Induced Laterally Crystallized n-Type Polycrystalline Silicon Thin-Film Transistors Under DC Bias Stresses 总被引:1,自引:0,他引:1
Min Xue Mingxiang Wang Zhen Zhu Dongli Zhang Man Wong 《Electron Devices, IEEE Transactions on》2007,54(2):225-232
Device degradation behaviors of typical-sized n-type metal-induced laterally crystallized polycrystalline silicon thin-film transistors were investigated in detail under two kinds of dc bias stresses: hot-carrier (HC) stress and self-heating (SH) stress. Under HC stress, device degradation is the consequence of HC induced defect generation locally at the drain side. Under a unified model that postulates, the establishment of a potential barrier at the drain side due to carrier transport near trap states, device degradation behavior such as asymmetric on current recovery and threshold voltage degradation can be understood. Under SH stress, a general degradation in subthreshold characteristic was observed. Device degradation is the consequence of deep state generation along the entire channel. Device degradation behaviors were compared in low Vd-stress and in high Vd-stress condition. Defect generation distribution along the channel appears to be different in two cases. In both cases of SH degradation, asymmetric on current recovery was observed. This observation, when in low Vd-stress condition, is tentatively explained by dehydrogenation (hydrogenation) effect at the drain (source) side during stress 相似文献
50.
通过都昌县2000年旱情及受灾情况的分析,揭示了产生这种现象的原因,并且提出了相应解决问题的对策。 相似文献