一种多晶硅高温压力传感器

制作压力传感器时，在二氧化硅层上淀积多晶硅膜，既可利用优良的机械特性，又可保证压敏电阻与衬底间具有良好的绝缘性，由此可大大提高器件的温度特性。介绍了一种多晶硅压力传感器的原理和设计。实验结果表明，这类传感器具有灵敏度好，精度高等特点，电路工作范围为０－２５０℃，且具有良好的温度稳定性。     

UHF频段卫星移动通信系统若干问题的探讨

本文根据我国陆海空移动用户的需求与特点，借鉴国外经验，提出了建设ＵＨＦ频段卫星移动通信系统的建议；对照已建成的Ｃ波段卫星固定通信系统，分析了其优缺点；最后深入探讨了应用中的若干技术问题。     

移动式宽频带高产额中子发生器

多用途中子发生器有着广阔的市场和应用领域 ,文章对移动式宽频带高产额中子发生器 ,在设计制造过程中所涉及到的技术难点 :绝缘尺寸小、频率适应范围宽、为中子管提供靶压的高压负载特性好等作了技术分析 ,使多用途中子发生器在更广阔的范围内应用 ,提供了广阔前景。     

实体造型中的几何约束

实体造型是一个基于约束的过程，完成从功能约束到几何约束、再到代数约束的转化而得到实体模型。本文讨论了几何约束的层次性及其表示，并且对几何约束同设计意图的关系进行了研究，提出了基于ＣＳＧ／ＧＣＧ／Ｂ－ｒｅｐ的模型表示。     

新型实用布线算法──L─M算法

本文提出新型布线算法，集李氏迷宫法与线搜索法的长处为一体，以饱和带法进行动态排序，以线搜索法确定借孔位置，然后用李氏法进行单层布线，获得最佳路径，从而达到线型好，布通率高的效果。     

EISA系统总经与VESA局部总线

本文主要介绍ＥＩＳＡ系统总线与ＶＥＳＡ局部总线的特点与区别．     

存在噪声和未建模动态系统传递函数的渐近无偏估计

存在未建模动态时，如何去除系统传递函数估计中噪声引起的偏差是系统辨识关心的重要问题。本文将我们已提出的ＢＥＬＳ方法进行推广得出：当系统未建模动态可用－ＦＩＲ模型描述时，应用本文的方法可得到系统传递函数的无偏辨识，而不需知道有关噪声和未建模动态概率分布函数的先验知识。     

聚氧乙烯油酸酯的合成与物性

论述了合成聚氧乙烯油酸酯的较佳反应条件,探讨了不同EO加成数的聚氧乙烯油酸脂的表面物性规律。     

An efficient technique for detecting catastrophic convolutional codes

Catastrophic convolutional codes (CC) cause an infinite number of decoded data bit errors when decoding a finite number of code symbols. A CC displays a catastrophic error propagation if the generating polynomials have a common factor. An efficient algorithm for polynomial factorization in GF(2^m) is used for detecting catastrophic CC for any rate n/m and constraint length k. A general formula is derived to calculate the number of catastrophic codes in any (m, n, k) CC.     

New concept for applying edge line phase-shifting masks to arbitrary mask layouts

This paper explains the principle of a method which avoids printing of phantom resist lines due to undesired intensity minima appearing on Cr-less edge line phase-shifting masks. The method combines principles of grey-tone lithography and attenuated phase-shifting masks to give, what we call, a Cr-Less Attenuated Phase-shifting mask (CLAP). Rules for generating a CLAP design and a paradigm setup of a CLAP mask are presented. The capabilities and possible limitations of the CLAP method based on simulated results for a standard wafer stepper setup using the SOLID lithography simulator are being assessed.