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112.
采用Cr_(25)Al_5合金进行煤渣/种子条件下静态腐蚀试验(温度1373-1573k,时间50-150hr),试验后得出三种温度下腐蚀重量变化与腐蚀时间的关系,并借助金相显微镜、扫描电镜和俄歇分析进行有关形貌及成份分析,试验表明,温度是材料腐蚀的主要因素,在1473k条件下材料的抗蚀性最好,Al、Si元素在腐蚀过渡层中富集,Cr元素变化不大,但有从基体向外扩散的趋势。由此,这一材料若能进一步改进,可望在控制壁面温度的半热壁型通道中进行试验研究。 相似文献
113.
利用垂直阵列构作了一类Cartesian认证码,计算了它们的参数,并且在编码规则按等概率分布选取时,成功的模仿攻击和成功的替换攻击概率也被算出。 相似文献
114.
115.
过共晶铝硅合金细化初晶硅的研究 总被引:3,自引:0,他引:3
研究了ZL8604过共晶铝硅合金初晶硅细化剂和加入方式与加入量以及影响细化效果的冶铸工艺因素,实验结果达到了技术指标要求。 相似文献
116.
117.
Dependence of ion-pair induced self-pulsing in Er-doped fiber lasers on emission to absorption ratio 总被引:1,自引:0,他引:1
Ming Ding P.K. Cheo 《Photonics Technology Letters, IEEE》1996,8(12):1627-1629
We show theoretically that the ion-pair induced self-pulsing in Er-doped fiber lasers depends largely on the ratio of emission to absorption cross sections, and can be significantly suppressed as this ratio is increased. Our experimental results agree qualitatively with this prediction. This result is important for stabilizing Er-doped fiber lasers where short-cavities and high-gain fibers are required. 相似文献
118.
119.
120.
Feng M. Scherrer D. Kruse J. Apostolakis P.J. Middleton J.R. 《Electron Device Letters, IEEE》1995,16(4):139-141
We present experimental evidence that the noise figure (NF) and associated gain equal to those achieved with GaAs pseudomorphic high electron mobility transistors (GaAs p-HEMT's) can also be accomplished by ion implanted GaAs metal-semiconductor field-effect transistors (GaAs MESFET's). These measured noise figure results as a function of low temperature for GaAs MESFET's and p-HEMT's clearly suggest that the transport properties of the two-dimensional electron gas in HEMT's and p-HEMT's do not make a significant contribution to the noise reduction at high frequency operation of these devices 相似文献