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射频仿真暗室静区性能测量与优化 总被引:1,自引:0,他引:1
在评价射频仿真暗室性能的各项指标中以静区反射电平性能最为重要,实际应用中以实测的结果作为评价暗室性能和仿真试验结果评定的依据.研究了针对某特殊静区位置的某射频仿真暗室,阐述了采用自由空间驻波比法进行暗室静区反射电平测试方案,将测试得到的数据与仿真结果进行了相应的比对,重点分析了射频仿真暗室静区性能测试数据与仿真结果存在偏差的主要原因,并有针对性地提出了静区性能改善的几项可行措施,希望能够为国内射频仿真系统设计、建设和改造提供一定的借鉴和帮助. 相似文献
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随着高分辨率产品导入,TFT-LCD阵列段各项参数范围越来越小,工艺要求更为严格,为了更好地管控湿法刻蚀各项参数,本文以湿法刻蚀FI CD(Final Inspection Critical Dimension)均一性的影响因素及如何提高FI CD均一性为目的进行研究。首先,通过对湿法刻蚀设备参数(主要包括刻蚀液温度、流量、压力、浓度、Nozzle Sliding、Oscillation Speed、刻蚀时间等)进行试验,验证各项参数对FI CD均一性的影响。其次,对沉积工序、曝光工序以及产品设计等进行试验,获悉影响因素并进行改善。通过对湿法刻蚀设备自身参数的调整,如减少设备温度、流量、压力波动,使参数保持相对稳定状态,可有效改善湿法刻蚀FI CD均一性,FI CD的均一性可从1.0降低至0.5。通过对湿法刻蚀设备参数进行试验并做相应调整,湿法刻蚀FI CD均一性改善效果显著。 相似文献
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