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121.
A new statistical micromechanical model of multiple cracking is proposed in which a general expression of the fiber bridging stress laws in the crack plane is established. In this model, the random distribution properties of fibers are considered. And the Weibull function is adopted to represent the flaw size distribution. The relationships of stress versus strain and crack width versus strain are proposed. The formulas of the crack width, crack space, strain capacity and fracture energy density at the end of multiple cracking processes are also deduced. The validity of the proposed model was demonstrated by experimental results.  相似文献   
122.
Hydrogenated nanoamorphous Si (na-Si:H) films have been fabricated by reactive pulsed laser ablation technique with hydrogen as reactive gas. It is found that the hydrogen pressure has a great effect on both the structure and photoluminescence (PL) properties of the films. Increasing the hydrogen pressure leads to a structural transition of the films from amphorous Si to na-Si:H, and the PL center wavelength of the na-Si:H films is varied with the hydrogen pressure. The PL decay times of the na-Si:H films are in the nanosecond scale and are shorter on the high energy side of their PL spectrum. The results demonstrate that the na-Si:H films are promising candidates for visible, tunable and high-performance light-emitting devices.  相似文献   
123.
The relationship between the embedding depth and the residual stress in the brazed cBN grains is analyzed experimentally in order to optimize the embedding depth of grains in the monolayer brazed abrasive tools. It is found that the residual stress is stable without remarkable gradient in the core zones of the brazed grains. However, the stress distribution gradient is rather great in the regions such as both ends of the central axis, the margin region of the central plane in the cBN grains, and the margin region of the section plane between the grains and the filler top. The maximum tensile stress in the margin zone of the brazed cBN grains has the most important influence on the mechanical property of the grains. The embedding depth is accordingly optimized at 30-40% of the total height of cBN grain.  相似文献   
124.
加强行业标准化工作 促进煤炭工业科学发展   总被引:1,自引:1,他引:0  
总结了近5年来煤炭行业标准制定修订情况,分析了煤炭行业标准在煤炭工业快速稳定发展中的地位和作用。探讨了煤炭行业标准化工作中存在的主要问题,并有针对性地提出今后煤炭行业标准化工作重点的建议。  相似文献   
125.
窃电与反窃电技术分析   总被引:1,自引:0,他引:1  
分析失压和欠压窃电、TA短接分流、电压相序颠倒等错误接线和强磁干扰的窃电方式,介绍窃电情况的检查判断与电量的追补计算方法,提出使用新一代多功能电能表、推广反窃电监测报警系统等防范窃电的措施.  相似文献   
126.
The proposed model solves the coordinated generation and transmission maintenance scheduling with security-constrained unit commitment (SCUC) over the scheduling horizon of weeks to months. The model applies the Lagrangian relaxation technique to decompose the optimization problem into subproblems for generation maintenance scheduling, transmission maintenance scheduling, and short-term SCUC. The decomposition and cooperation strategy is applied to the first two subproblems for the scheduling of generation and transmission maintenance. The SCUC solution is based on the mixed integer programming (MIP) technique. The optimal hourly results for maintenance scheduling, generation unit commitment, and transmission flows are obtained using a chronological load curve. Effective strategies are applied for accelerating the convergence of the hourly solution. The numerical examples demonstrate the effectiveness of the proposed model.  相似文献   
127.
重点研究了直拉(CZ)硅中氧沉淀在快速热处理(RTP)和常规炉退火过程中的高温消融以及再生长行为.实验发现,RTP是一种快速消融氧沉淀的有效方式,比常规炉退火消融氧沉淀更加显著.硅片经RTP消融处理后,在氧沉淀再生长退火过程中,硅中体微缺陷(BMD)的密度显著增加,BMD的平均尺寸略有增加;而经过常规炉退火消融处理后,在后续退火过程中,BMD的密度变化不大,但BMD的尺寸明显增大.氧沉淀消融处理后,后续退火的温度越高,氧沉淀的再生长越快.  相似文献   
128.
馈源阵面排列对偏置多波束天线特性的影响   总被引:1,自引:0,他引:1  
以37单元馈源阵为例,就用于卫星移动通信系统中的偏置多波束天线进行分析探讨:在原有两种馈源阵阵面排列形式的基础上,又提出了第三种排列形式,即馈源阵的球面排列形式,并对这三种形式下偏置多波束天线的远场特征进行了计算比较,得出了一些有益的结论;另外,将馈源阵阵面适当地偏离焦点也可使多波束天线的远场特性得以改善。  相似文献   
129.
本文提出了一种新型的人头脸三维标准模型建模方法。所建立的人头脸标准模型具有良好的准确度和可操作性。  相似文献   
130.
超光滑基片表面均方根粗糙度的测量   总被引:3,自引:0,他引:3  
探讨根据测量的总积分散射定标得到表面均方根粗糙度的问题。利用基片的表面模型和积分球本身的结构特征,对测量的表面有效均方根粗糙度进行修正,得到的表面均方根粗糙度与进口表面测量仪测量得的值相差为0.1nm 左右。  相似文献   
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