全文获取类型
收费全文 | 15924篇 |
免费 | 1370篇 |
国内免费 | 665篇 |
专业分类
电工技术 | 921篇 |
技术理论 | 2篇 |
综合类 | 912篇 |
化学工业 | 2756篇 |
金属工艺 | 956篇 |
机械仪表 | 1020篇 |
建筑科学 | 1201篇 |
矿业工程 | 569篇 |
能源动力 | 467篇 |
轻工业 | 938篇 |
水利工程 | 272篇 |
石油天然气 | 1247篇 |
武器工业 | 131篇 |
无线电 | 1748篇 |
一般工业技术 | 1967篇 |
冶金工业 | 872篇 |
原子能技术 | 173篇 |
自动化技术 | 1807篇 |
出版年
2024年 | 83篇 |
2023年 | 313篇 |
2022年 | 506篇 |
2021年 | 722篇 |
2020年 | 553篇 |
2019年 | 481篇 |
2018年 | 540篇 |
2017年 | 552篇 |
2016年 | 470篇 |
2015年 | 634篇 |
2014年 | 814篇 |
2013年 | 874篇 |
2012年 | 998篇 |
2011年 | 1063篇 |
2010年 | 928篇 |
2009年 | 893篇 |
2008年 | 920篇 |
2007年 | 782篇 |
2006年 | 813篇 |
2005年 | 668篇 |
2004年 | 537篇 |
2003年 | 447篇 |
2002年 | 453篇 |
2001年 | 377篇 |
2000年 | 356篇 |
1999年 | 411篇 |
1998年 | 308篇 |
1997年 | 297篇 |
1996年 | 248篇 |
1995年 | 216篇 |
1994年 | 176篇 |
1993年 | 123篇 |
1992年 | 104篇 |
1991年 | 66篇 |
1990年 | 65篇 |
1989年 | 45篇 |
1988年 | 28篇 |
1987年 | 25篇 |
1986年 | 17篇 |
1985年 | 12篇 |
1984年 | 13篇 |
1983年 | 5篇 |
1982年 | 5篇 |
1981年 | 7篇 |
1980年 | 3篇 |
1979年 | 3篇 |
1977年 | 1篇 |
1970年 | 1篇 |
1959年 | 1篇 |
1951年 | 1篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 15 毫秒
41.
42.
43.
Advances in selective wet oxidation of AlGaAs alloys 总被引:3,自引:0,他引:3
Choquette K.D. Geib K.M. Ashby C.I.H. Twesten R.D. Blum O. Hou H.Q. Follstaedt D.M. Hammons B.E. Mathes D. Hull R. 《IEEE journal of selected topics in quantum electronics》1997,3(3):916-926
We review the chemistry, microstructure, and processing of buried oxides converted from AlGaAs layers using wet oxidation. Hydrogen is shown to have a central role in the oxidation reaction as the oxidizing agent and to reduce the intermediate predict As2O3 to As. The stable oxide is amorphous (AlxGa1-x) 2O3 which has no defects along the oxide/semiconductor interfaces but can exhibit strain at the oxide terminus due to volume shrinkage. The influence of gas flow, gas composition, temperature, Al-content, and layer thickness on the oxidation rate are characterized to establish a reproducible process. Linear oxidation rates with Arrhenius activation energies which strongly depend upon AlAs mole fraction are found. The latter produces strong oxidation selectivity between AlGaAs layers with slightly differing Al-content. Oxidation selectivity to thickness is also shown for layer thickness <60 nm. Differences between the properties of buried oxides converted from AlGaAs and AlAs layers and the impact on selectively oxidized vertical cavity laser lifetime are reported 相似文献
44.
分析了卫星测试无线转发中一点对多点通讯系统中的关键性技术:包括硬件连接、通讯方式及有关技术,并给出了具体方案。 相似文献
45.
高校学生公寓是学生学习、生活的重要场所,引导学生养成良好的行为习惯有助于学生公寓管理工作的顺利开展。文章从维护高校稳定、增强大学生的法律意识和法制观念、促进大学生自我发展、实现学生公寓“管理”、“育人”职能等方面论述学生行为习惯养成的重要性,并从制度建设、环境教育、文化熏陶、组织保障等方面提出具体对策措施。 相似文献
46.
47.
Static cracking agent(SCA) is actively investigated as an alternative to explosive blasting for rock breakage due to its immense expansion property. SCA can eliminate the negative effects of shock, noise and harmful gases encountered in explosive blasting processes. Accurate measurement and deep understanding of the expansive properties of SCAs are important in their industrial application. An improved outer pipe method(OPM), termed the upper end surface method(UESM), is proposed in this paper t... 相似文献
48.
从介绍苏制 6 M W 汽轮机主轴推力盘结构和运行中出现的问题着手,提出了改造推力盘的措施和方法。运行实践表明,机组运行的稳定性和带负荷响应能力有了明显的改善 相似文献
49.
铌酸锂(LN)单晶薄膜具有较高的机电耦合系数(k2 eff>30%),其水平剪切(SH)声学模式常被应用于开发具有大机电耦合系数的薄膜声学谐振器和超宽带滤波器。但LN 的频率温度系数较大(TCF > -50×10-6/℃),这不仅会降低滤波器的可用有效带宽,同时也会限制器件的功率处理能力。采用3D周期有限元模型对基于X 切LN/SiO2/Si结构SH 声表面波(SH-SAW)谐振器进行了优化研究。研究结果表明,当SH-SAW 传播角ψ=-10°~-20°、LN和SiO2 膜厚分别为hLN=0.1λ 和hSiO2 =0.2λ(λ 为叉指换能器周期)、铝电极金属化率η=0.4、电极相对厚度hAl/λ=5%~10%时,SH-SAW 谐振器的 k2 eff 约为30%,且其TCF<-20×10-6/℃,有望用于开发新一代的低温漂、超宽带5G SAW 滤波器。 相似文献
50.
Runnan Yu Huifeng Yao Zhenyu Chen Jingmin Xin Ling Hong Ye Xu Yunfei Zu Wei Ma Jianhui Hou 《Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)》2019,31(18)
Fine‐tuning of the nanoscale morphologies of the active layers in polymer solar cells (PSCs) through various techniques plays a vital role in improving the photovoltaic performance. However, for emerging nonfullerene (NF) PSCs, the morphology optimization of the active‐layer films empirically follows the methods originally developed in fullerene‐based blends and lacks systematic studies. In this work, two solid additives with different volatilities, SA‐4 and SA‐7, are applied to investigate their influence on the morphologies and photovoltaic performances of NF‐PSCs. Although both solid additives effectively promote the molecular packing of the NF acceptors, due to the higher volatility of SA‐4, the devices processed with SA‐4 exhibit a power conversion efficiency of 13.5%, higher than that of the control devices, and the devices processed with SA‐7 exhibit poor performances. Through a series of detailed morphological analyses, it is found that the volatilization of SA‐4 after thermal annealing is beneficial for the self‐assembly packing of acceptors, while the residuals due to the incomplete volatilization of SA‐7 have a negative effect on the film morphology. The results delineate the feasibility of applying volatilizable solid additives and provide deeper insights into the working mechanism, establishing guidelines for further material design of solid additives. 相似文献