嵌入式Web服务器的设计与实现

为解决远程访问、监测并控制嵌入式设备的需求,提出了基于Boa和CGI技术构建Web服务器的思想.在论证整体设计方案的基础上,以S3C2410处理器为硬件核心,以ARMLinux为操作系统平台,设计了嵌入式Web服务器,给出了系统的硬件结构组成.介绍了ARM Linux操作系统的移植过程,着重分析了Boa服务器的构建以及CGI应用扩展开发.最后对构建好的嵌入式Web服务器进行了运行测试,测试结果表明其运行稳定、控制方便、响应迅速,达到了预期的设计目的.     

同步数据流语言高阶运算消去的可信翻译

Lustre是一种广泛应用于工业界核心安全级控制系统的同步数据流语言,采用形式化验证的方法实现Lustre到C的编译器可以有效地提高编译器的可信度.基于这种方法,开展了从Lustre*(一种类Lustre语言)到C子集Clight的可信编译器的研究.由于Lustre*与Clight之间巨大的语言差异,整个编译过程划分为多个层次,每个层次完成特定的翻译工作.阐述了其中高阶运算消去的翻译算法,翻译过程采用辅助定理证明工具Coq实现,并进行严格的正确性证明.     

基于角色访问控制代理的研究技术

基于角色的访问控制RBAC是一种方便、安全、高效的访问控制,,可以控制不同级别的用户对系统应用程序和数据的访问,本文首先分析了RBAC的基本思想和模型,以RBAC的基本模型为依据,对多层次安全代理的集成访问控制系统安全机制进行了研究。     

一种处理等离子体密度的软件方法

介绍了一种软件计算远红外激光干涉仪相位差的方法。对比了软件程序与硬件相位计在HT-7实验中的处理结果,总结了软件处理所得相位差的特征,并在此基础上求出了真实的等离子体密度。最后,对实验结果进行了细节分析、误差分析,对软件处理时间进行了分析,得出软件方法可以获得更好的时间分辨率且具有进行实时处理的可行性。     

连续式离子层吸附与反应法沉积CuSCN薄膜及其微观结构、光学特性研究

采用乙二醇作溶剂,以连续式离子层吸附与反应法(SILAR)实现硫氰酸亚铜(CuSCN)薄膜在ITO、TiO2薄膜以及玻璃衬底上的沉积.通过X射线衍射、扫描电镜和紫外-可见光透过谱等手段表征薄膜结晶性、表面和断面微观形貌以及光学特性.结果表明,衬底以及溶剂性质均对SILAR法薄膜沉积过程存在重要影响.ITO衬底上获得的CuSCN薄膜更为致密,呈结晶态,而TiO2薄膜衬底上的CuSCN薄膜主要由颗粒组成,为非晶态.随沉积次数增加,薄膜表面粗糙度增大,光学透过率逐渐下降.在优化条件下(ITO衬底,20次沉积循环),所得CuSCN薄膜表面致密均匀,可见光透过率约60%.     

基于Pro/Mechanica的IPM散热分析及优化

建立了三菱IPM的简化热模型,利用有限元分析方法,运用Pro/Mechanica为对其工作温度场进行了分析。针对芯片自身结温超过芯片的最大可承受温度的情况,对IPM的散热性能提出了优化方案,采用针形散热器以实现其外表热量的快速散发。并提出一种新型的封装形式,即用塑封树脂和铝合金进行混合封装。通过热分析表明,该封装对于IPM芯片散热有着明显的作用。     

2000年NIM铯冷原子喷泉时间频率基准装置研究的进展

本文报导了中国计量科学研究院(MM)研制新一代"激光冷却铯原子喷泉"国家时间频率基准装置的进展实现了从磁光阱(MOT)过渡到光学黏胶(OM)装载-冷却铯(Cs)原子,利用飞行时间(TOF)法记录到信噪比优于40的原子云荧光信号;原子经后冷却达到(10～20)μK;用光学黏胶从铯蒸气直接获得了冷原子云.并给出了对实验的讨论.     

Zn2SiO4：Mn光致发光薄膜的溶胶-凝胶法制备及发光性质的研究

以乙酸锌、氯化锰、无水乙醇、正硅酸为主要原料,用溶胶-凝胶浸渍提拉法在石英片上制得Zn2SiO4：Mn薄膜前驱体,经高温煅烧获得到Zn2SiO4：Mn荧光薄膜,荧光分析其发光性能。     

环氧树脂包裹超微铁磁性复合粒子电磁参数的研究

用反相微乳液方法制备了环氧树脂(EP)包裹超微铁磁性复合粒子。用SEM、XRD进行了微观结构的表征,进行了复介电常数(ε=ε′-jε″)和复磁导率(μ=μ′-jμ″)的测试。结果表明复合粒子呈EP包裹α Fe结构;它能有效阻止超微铁粒子的氧化。随着复合时ATPU用量的增加,复合粒子的密度减小。ε和μ均随ATPU用量的增大而减小。ε′、μ′和μ″均随频率的增大而减小;当ATPU用量<2.32%时,ε″随频率的增大而减小,但当ATPU用量增大,ε″随频率的变化不明显。     

反应合成银氧化锡电接触材料抗熔蚀性研究

采用反应合成技术和传统粉末冶金技术制备银氧化锡(AgSnO2)电接触材料，利用千瓦级CO2激光器模仿电弧作用在试样表面产生局部熔化。对AgSnO2块体材料进行抗熔蚀性测试，对块体材料及冷拉拔的AgSnO2线材进行显微组织分析(扫描电镜、透射电镜)。研究结果表明，采用反应合成技术可以在银基体中合成尺寸细小、界面新鲜的SnO2颗粒，制备AgSnO2电接触材料；用反应合成法制备的AgSnO2材料中，微米级的SnO2颗粒系由纳米级的SnO2颗粒聚集而成；用反应合成法制备的AgSnO2电接触材料由于改变了银和SnO2的结合状态使材料的抗熔蚀性得到改善和提高。