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991.
992.
采用固相法制备(1-x)BaTiO3-xZnNb2O6 (x=0.5mol%, 1mol%, 1.5mol%, 2mol%, 3mol%, 4mol%) (简称BTZN)陶瓷, 研究了BTZN陶瓷的烧结温度、结构、介电性能和铁电性能。BTZN陶瓷烧结温度随着ZnNb2O6含量增加逐渐降低。XRD结果表明当ZnNb2O6含量达到3mol%时出现第二相Ba2Ti5O12。介电测试结果表明随ZnNb2O6含量的增加, BTZN陶瓷介电常数逐渐减小, 而介电常数的频率稳定性逐渐增强。介电温谱表明所有BTZN陶瓷均符合X8R电容器标准。BTZN陶瓷的极化强度值随着ZnNb2O6含量的增加逐渐降低。当x=4mol%时, BTZN陶瓷获得240 kV/cm的击穿电场和1.22 J/cm 3的可释放能量密度。 相似文献
993.
研究了一类具有非线性扰动的切换系统的异步控制问题,异步是指控制器的切换相对于子系统的切换经历时间延迟。利用异步切换系统状态方程的解析解直接研究系统动力学,无需构造任何李雅普诺夫函数。提出了保证闭环系统在模态依赖平均驻留时间(MDADT)方案下指数稳定的充分条件。MDADT意味着每个子系统都有自己的平均驻留时间(ADT),这比ADT更具一般性。此外,利用线性矩阵不等式方法设计了异步切换控制器。最后,通过数值算例说明了该方法的有效性。 相似文献
994.
利用EBSD技术统计了薄规格取向硅钢片中初次再结晶和二次再结晶前期组织中{411}〈148〉、{111}〈112〉、{100}〈025〉取向晶粒尺寸分布,分析了三种不同取向的晶粒对Goss晶粒异常长大的影响。结果表明:初次再结晶组织中不同的取向晶粒对应的平均晶粒尺寸(d)存在差异,{411}〈148〉取向晶粒的平均尺寸最大,其次为{100}〈025〉取向晶粒,{111}〈112〉取向晶粒的平均尺寸最小。Goss取向晶粒异常长大的过程中优先吞噬{111}〈112〉取向晶粒,其次是{411}〈148〉取向晶粒,最后是近{100}〈025〉取向晶粒和近黄铜取向晶粒。{111}〈112〉、{411}〈148〉取向晶粒对Goss取向晶粒异常长大的影响主要体现在二次再结晶的前期。因此,可以推断取向硅钢中最终残留的"岛晶"可能来源于近黄铜取向晶粒或近{100}〈025〉取向晶粒。 相似文献
995.
复杂柔性隔振系统研究概述 总被引:1,自引:0,他引:1
从研究对象,建模方法和评价指标三个方面阐述复杂柔性隔振系统,主要是浮筏隔振系统的研究概况。重点讨论隔振系统中的子结构弹性和隔振器的驻波效应;并讨论子结构方法,有限元法和功率流方法。 相似文献
996.
为了改善硅功率器件击穿电压性能以及改善IGBT电流的流动方向,提出了一种沟槽-场限环复合终端结构。分别在主结处引入浮空多晶硅沟槽,在场限环的左侧引入带介质的沟槽,沟槽右侧与场限环左侧横向扩展界面刚好交接。结果表明,这一结构改善了IGBT主结电流丝分布,将一部分电流路径改为纵向流动,改变了碰撞电离路径,在提高主结电势的同时也提高器件终端结构的可靠性;带介质槽的场限环结构进一步缩短了终端长度,其横纵耗尽比为3.79,较传统设计的场限环结构横纵耗尽比减少了1.48%,硅片利用率提高,进而减小芯片面积,节约制造成本。此方法在场限环终端设计中非常有效。 相似文献
997.
文章针对潘一矿采区煤仓损坏严重、修复难度大、工期紧的特点,认真选择方案,合理安排工序,采用顺序作业与平行作业相结合,成功地在规定检修期内完成煤仓修复和堵水任务。 相似文献
998.
给出一种新的、适合于仿射变换的局部不变量.基于该局部不变量,建立一种新的归一化的相似性度量函数.构造丢失特征向量判别函数,据此判断目标的各个局部是否被遮挡,并仅利用未遮挡部分的局部特征计算待识别目标和模型的整体相似度.比较相似度与给定的阈值,可以从单幅线图识别部分遮挡的平面多边形状物体.新的局部不变量具有仿射不变性,因而该方法适用于仿射变换.新的相似性函数和丢失特征判别函数综合考虑噪声和遮挡带来的影响,识别可靠性得到提高.实验结果表明本文的识别算法效果较好. 相似文献
999.
高福友 《计算机工程与设计》2011,32(3):887-891
基于低功耗SoC微控制器C8051F9XX及RF收发器,设计了指纹锁遥控无钥匙门禁的发射和接收硬件系统,阐述了无钥匙门禁系统事件匹配和定时唤醒的工作机制。根据密钥、伪随机数及AES加密算法研究制定了指纹锁无钥匙门禁系统学习协议以及遥控操作工作协议,并简要介绍了发射系统软件主要流程。实验结果表明,该指纹锁遥控无钥匙门禁系统功耗低,通讯协议安全可靠,实现了指纹锁遥控无钥匙开关锁的目标。 相似文献
1000.