全文获取类型
收费全文 | 56279篇 |
免费 | 5101篇 |
国内免费 | 3230篇 |
专业分类
电工技术 | 3428篇 |
综合类 | 4629篇 |
化学工业 | 8592篇 |
金属工艺 | 3163篇 |
机械仪表 | 3619篇 |
建筑科学 | 4831篇 |
矿业工程 | 1510篇 |
能源动力 | 1749篇 |
轻工业 | 4460篇 |
水利工程 | 1312篇 |
石油天然气 | 2528篇 |
武器工业 | 529篇 |
无线电 | 6806篇 |
一般工业技术 | 6309篇 |
冶金工业 | 2728篇 |
原子能技术 | 821篇 |
自动化技术 | 7596篇 |
出版年
2024年 | 245篇 |
2023年 | 826篇 |
2022年 | 1650篇 |
2021年 | 2242篇 |
2020年 | 1673篇 |
2019年 | 1313篇 |
2018年 | 1419篇 |
2017年 | 1607篇 |
2016年 | 1509篇 |
2015年 | 2054篇 |
2014年 | 2727篇 |
2013年 | 3307篇 |
2012年 | 3726篇 |
2011年 | 3937篇 |
2010年 | 3552篇 |
2009年 | 3612篇 |
2008年 | 3525篇 |
2007年 | 3523篇 |
2006年 | 3359篇 |
2005年 | 2806篇 |
2004年 | 2051篇 |
2003年 | 1793篇 |
2002年 | 1987篇 |
2001年 | 1721篇 |
2000年 | 1388篇 |
1999年 | 1160篇 |
1998年 | 994篇 |
1997年 | 808篇 |
1996年 | 808篇 |
1995年 | 653篇 |
1994年 | 512篇 |
1993年 | 473篇 |
1992年 | 328篇 |
1991年 | 244篇 |
1990年 | 246篇 |
1989年 | 174篇 |
1988年 | 147篇 |
1987年 | 98篇 |
1986年 | 78篇 |
1985年 | 60篇 |
1984年 | 51篇 |
1983年 | 35篇 |
1982年 | 34篇 |
1981年 | 26篇 |
1980年 | 32篇 |
1979年 | 16篇 |
1977年 | 10篇 |
1976年 | 12篇 |
1973年 | 8篇 |
1970年 | 7篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 15 毫秒
21.
Buttari D. Chini A. Meneghesso G. Zanoni E. Moran B. Heikman S. Zhang N.Q. Shen L. Coffie R. DenBaars S.P. Mishra U.K. 《Electron Device Letters, IEEE》2002,23(2):76-78
Pre-metal-deposition reactive ion etching (RIE) was performed on an Al0.3Ga0.7N/AlN/GaN heterostructure in order to improve the metal-to-semiconductor contact resistance. An optimum AlGaN thickness for minimizing contact resistance was determined. An initial decrease in contact resistance with etching time was explained in terms of removal of an oxide surface layer and/or by an increase in tunnelling current with the decrease of the AlGaN thickness. The presence of a dissimilar surface layer was confirmed by an initial nonuniform etch depth rate. An increase in contact resistance for deeper etches was experienced. The increase was related to depletion of the two-dimensional (2-D) electron gas (2-DEG) under the ohmics. Etch depths were measured by atomic force microscopy (AFM). The contact resistance decreased from about 0.45 Ωmm for unetched ohmics to a minimum of 0.27 Ωmm for 70 Å etched ohmics. The initial thickness of the AlGaN layer was 250 Å. The decrease in contact resistance, without excessive complications on device processing, supports RIE etching as a viable solution to improve ohmic contact resistance in AlGaN/GaN HEMTs 相似文献
22.
高质量ZnO薄膜的退火性质研究 总被引:3,自引:0,他引:3
在LP-MOCVD中,我们利用Zn(C2H5)2作Zn源,CO2作氧源,在(0002)蓝宝石衬底上成功制备出皮c轴取向高度一致的ZnO薄膜,并对其进行500℃-800℃四个不同温度的退火。利用XRD、吸收谱、光致发光谱和AFM等手段研究了退火对ZnO晶体质量和光学性质的影响。退火后,(0002)ZnO的XRD衍射峰强度显著增强,c轴晶格常数变小,同时(0002)ZnOX射红衍射峰半高宽不断减小表明晶粒逐渐增大,这与AFM观察结果较一致。由透射谱拟合得到的光学带隙退火后变小,PL谱的带边发射则加强,并出现红移,蓝带发光被有效抑制,表明ZnO薄膜的质量得到提高。 相似文献
23.
在概括了自蔓延高温合成陶瓷内衬钢管的制备原理基础上,从降低陶瓷层孔隙率,减少陶瓷层裂纹和提高陶瓷层结合强度等方面,论述了提高自蔓延高温合成陶瓷内衬钢管性能的措施,对自蔓延高温合成陶瓷内衬钢管的应用现状及展望进行了评述。 相似文献
24.
25.
本文从应用角度出发,介绍了ADμ C845的主要特点、功能及其使用要点。在此基础上,根据配料生产的工艺要求,以ADμ C845为核心,设计了一种新型配料控制器。详细介绍了仪表的硬件电路设计,给出了A/D转换部分C51源程序。该仪表具有自动称重、配料控制和联机通信等功能,实际使用运行稳定、效果良好。 相似文献
26.
A novel combline filter is proposed for cellular‐radio base stations. The Q‐factor is significantly improved. The eigenvalue equation is expressed with the single‐team approximation in the gap region of the combline resonator. A two‐pole combline filter is designed. The calculation, simulation, and experiment results are presented and are in good agreement. © 2005 Wiley Periodicals, Inc. Int J RF and Microwave CAE, 2006. 相似文献
27.
提出企业培训中心的本质特征,并以此为基点阐述企业培训中心的六个主要特征;通过对企业培训中心的使命、培训对象的确定、培养目标、培训内容、组织设置、组织发展的分析,力求揭示企业培训中心组织构建和发展的自身规律。 相似文献
28.
29.
用迭代法消除数字图像放大后的模糊 总被引:7,自引:3,他引:4
用迭代法对数字图像经过插值放大后产生的模糊问题进行了研究,把数字图像插值放大造成的模糊看成是点扩散函数与清晰图像卷积的结果,根据插值算法可以得到点扩散函数,由于数字图像解卷积是典型的解线性方程组的问题,用雅可比(Jacobi)迭代法得到了很好的结果。与频谱空间变换的方法相比,迭代法没有分母为0的问题和空间变换过程造成的舍入误差。 相似文献
30.
介绍了天线近场测量的基本原理和HD-1型平面近场测试系统,并对近场测量在实际天线测试中的应用情况、发展方向和应用前景等作了简单的描述。 相似文献