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Seung-Hwan Kim Seung-Bok Choi Sung-Ryong Hong M.-S.Moon-Sik Han 《International Journal of Mechanical Sciences》2004,46(1):269-157
This paper presents vibration control of a flexible beam structure using a hybrid mount which consists of elastic rubber and piezoelectric stack actuator. After identifying stiffness and damping properties of the rubber and piezoelectric elements, a mechanical model of the hybrid mount is established. The mount model is then incorporated with the beam structure, and the governing equation of motion is obtained in a state space. A sliding mode controller is designed in order to actively attenuate the vibration of the beam structure subjected to high-frequency and small magnitude excitations. The controller is experimentally realized and measured control responses such as acceleration of the beam structure and force transmission through the hybrid mount are evaluated and presented in both frequency and time domains. 相似文献
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NMR束缚流体体积确定方法及其应用条件 总被引:4,自引:2,他引:2
NMR测井不能直接测定束缚流体饱和度(Swir)和束缚总流体(BVI)体积,而是根据T1分布和有效孔隙度(φe)间接确定。其精度取决于解释T2分布所选用的方法及其相关参数。NMR测井确定VBI方法有T21截止值方法,频谱BVI(简称SBVI)方法和BVI加权函数方法。 相似文献
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预应力钢-混凝土组合梁的应用与研究 总被引:1,自引:0,他引:1
回顾了预应力钢 混凝土组合梁国内外应用与研究历史 ,分析了现有规范及理论的不足 ,并指出了有待解决的问题。 相似文献
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采用二甲苯为溶剂,将不同乙烯含量(5% ̄15%质量)的抗冲聚丙烯用特定程序进行分级,将各样品分为室温下可溶于甲苯和不可溶于甲苯的两部分。使用^13C-NMR方法和FT-IR方法对各组分进行表征,明确了乙烯链段在聚丙烯链上的分布,并在此基础上提出了产生这种链结构的聚合工艺的特点。 相似文献
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Chao-Chi Hong Jenn-Gwo Hwu 《Electron Device Letters, IEEE》2003,24(6):408-410
The current-voltage (I-V) characteristics of metal-oxide-semiconductor tunneling diodes distributed over a 3-in Si wafer were analyzed to investigate the stress distribution on the wafer. Generally, the substrate injection saturation current (J/sub sat/) decreases as the gate injection leakage current (J/sub g/) increases, the latter being dominated by oxide thickness via a trap related mechanism. A universal curve to fit all analyzed data was found and it is suggested that devices with extremely high (low) J/sub sat/ at a given J/sub g/ should be located in areas of the silicon lattice with relatively high external compressive (tensile) stress because of the stress-induced bandgap variation effect. The mapped locations of the highly stressed devices on a 3-in [100] Si wafer correspond to the patterns of slips caused by thermal stress during rapid thermal processing, as described in previous reports. 相似文献