CARS光谱测温及仪器狭缝函数对测量的影响

设计了一种利用光参量振荡器(OPO)来代替染料激光器的宽带相干反斯托克斯喇曼散射(CARS)光谱测温实验装置。为了提高CARS测量温度的精度,测量和分析了检测系统中狭缝函数对测量结果的影响,确定了狭缝函数的具体形式。将测量结果与热电偶读数比较,发现在温度范围300K～1200K内,温度测量的不确定度小于2%。     

多掺炼新疆渣油的催化裂化工业生产技术

兰州石化公司以加工新疆原油为主，重油收率高，平均在37％左右，所生产的重油主要靠催化裂化装置来加工，多余部分以低附加值重油出厂。随着涩宁兰天然气工程的逐渐建成，低附加值重油出厂将受到严重威胁，因此，催化裂化装置加工重油显得尤为重要。兰州石化公司炼油厂1.2Mt/a重催装置通过采用先进技术进行改造，使重油掺炼比由41.52%提高到52.20%，提高了10.68个百分点，年多加工重油14.95万t，产品收率达到79.20%以上，能够灵活调节产品结构，创造了良好的经济效益。     

Si衬底上横向外延GaN材料的微结构和光学性质的研究

用氢化物气相外延 (HVPE)方法在Si(III)衬底上成功横向外延生长出晶体质量较好的GaN薄膜材料。透射电子显微镜 (TEM )的研究结果表明 ,横向外延区域GaN的位错密度明显减小。由于SiO2 掩膜腐蚀角的不同 (分别为 90°和 6 6°) ,导致了横向外延GaN材料一些独特的微观形貌。微区拉曼光谱由数百条拉曼散射曲线组成 ,每一条曲线有三个振动模 ,分别对应Si振动模式 (5 2 0cm- 1) ,E2 模式 (5 6 6cm- 1)和E1(LO)模式(732cm- 1)。在垂直条纹方向 ,峰位和峰宽没有明显的变化 ,而峰强约 5 μm会发生周期性变化     

石油系油浆与煤系闪蒸油的焦化性能——I．热解条件的影响

通过偏光显微镜观察了石油系油浆（LH）与煤系闪蒸油（SN）焦化后所得焦块的光学结构。结果表明，在较宽条件下两种原料单独焦化均得不到取向度高的流线型结构。将两种原料以一定比例混合后先热解丙焦化所得焦块的光学结构明显好于二者混合后直接焦化所得焦块的光学结构，其中LH和SN以3：2的重量比混合后在440℃、1MPa下热解3．5h然后再在530℃、1MPa下焦化8h所得焦块为具有较高取向度的流线型结构，适合于作为针状焦的起始原料。     

多工况多级离心压缩机总体优化命题的建模与数值方法

介绍了多工况 点的压缩机最优模拟设计点的特点及相应的优化建模，包括目标函数的建立、约束条件的确立和计算方法，使满足该模拟设计点要求的压缩机在逼近优目标函数最大值的同时，兼顾各真实工况运行点都在较好效率下工作，并列出了基于模型级数据库的优化设计实例。     

Synteny mapping of four genes from the short arm of human chromosome 19 to bovine chromosome 7

Four genes on the short arm of human chromosome 19 (HSA 19p) were assigned to bovine chromosome 7 (BTA 7) using a bovine x rodent somatic hybrid cell panel. These four genes were cartilage oligomeric matrix protein (COMP), lymphoblastic leukemia derived sequence 1 (LYL1), lysosomal alpha-mannosidase (MANB), and RAS oncogene family member RAB3A. Bovine sequence tagged sites were developed for the four genes and used for screening a bovine x rodent somatic cell panel. All four genes were mapped to bovine synteny group U22 (BTA 7) with a correlation coefficient of 0.901-1.000. This study confirms that the centromeric region of BTA 7 is conserved with HSA 19p.     

轮式工程机械的行驶平稳性

根据振动理论建立了振动力学模型,并用等效刚度方法分析研究了弹性悬挂轮式工程机械行驶平稳性和振动特性。     

HCl氧化物MOS结构质子辐照诱导的界面陷阱效应

用微分电容法研究质子辐照HCl氧化物铝栅MOS结构诱导的界面陷阱,栅氧化层在1 160℃很干燥的、含0～10％HCl的气氛中热生长而成,质子辐照能量为120～300keV,注入总剂量范围为8×10~(13)～1×10~(16)p/cm~2。结果表明,辐照诱导的界面陷阱能级密度随质子能量、剂量增加而增加。然而,氧化层中掺入6％HCl时,辐照诱导的界面陷阱明显减少。这样,已能有效地改变MOS器件的抗辐照性能。实验结果可用H~+二级过程解释。     

GaAs亚微米自对准工艺技术研究

总结了在５０ｍｍＧａＡｓ圆片上实现自对准介质膜隔离等平面工艺技术的研究，着重描述了离子注入、自对准亚微米难熔栅制备、钝化介质膜生长、干法刻蚀、电阻和电容制备等关键工艺的研究结果。这套工艺的均匀性、重复性好，在５０ｍｍＧａＡｓ圆片上获得了满意的成品率。采用这套工艺已成功地研制出多种性能良好的ＧａＡｓＩＣ和ＧａＡｓ功率ＭＥＳＦＥＴ，证明国家自然科学基金委员会这一重大课题的选择对发展我国ＧａＡｓＩＣ确实具有重大意义。