一种面向MIS的数据库管理原型系统的设计方案

分析了管理信息系统(MIS)的数据特点并提出了一种面向MIS的数据模型,给出了在关系数据库管理系统(RDBMS)的基础上实现MIS数据模型的主要思路,设计了一个面向MIS的数据库管理原型系统。     

光码分多址中地址码性能研究

介绍了光正交码的容量、谱效率、误码率、系统吞吐效率等方面的性能,并进行了仿真计算.分析了码长、最大互相关值对地址码性能的影响.指出在光码分多址地址码的研究中,应当放宽最大互相关值的限制.     

适合批量生产的GaAs数字IC背面金属化工艺

当前,IC逐步向高集成度、高密度、多功能方向发展,管芯尺寸也在增大;剪切力是器件考核的基本项目,随管芯面积的增大而增大,这就对背面金属化可靠性提出了较高的要求.本文通过分析、实验、分析改进的方法,提出了适合批量生产又兼顾成本因素的数字背面金属化工艺,使背面金属化性能满足了器件可靠性要求.     

非相参信号在相参处理中的响应

分析了雷达相参处理的过程以及相参处理特点，仿真了非相参信号在相参处理器中的响应，对雷达对抗领域干扰信号的研究和设计具有一定的参考作用。     

InGaN/GaN多量子阱蓝光LED的p-GaN盖层的MOCVD生长研究

利用金属有机物化学气相淀积（MOCVD）生长了InGaN／GaN多量子阱（MQW）蓝光发光二极管（LED）,研究了不同Cp2Mg流量下生长的p-GaN盖层对器件电学特性的影响。结果表明,随着Cp2Mg流量的提高,漏电流升高,并且到达一临界点会迅速恶化;正向压降则先降低,后升高。进而研究相同生长条件下生长的p-GaN薄膜的电学特性、表面形貌及晶体质量,结果表明,生长p-GaN盖层时,Cp2Mg流量过低,盖层的空穴浓度低,电学特性不好;Cp2Mg流量过高,则会产生大量的缺陷,盖层晶体质量与表面形貌变差,使得空穴浓度降低,电学特性变差。因此,生长p-GaN盖层时,为使器件的正向压降与反向漏电流均达到要求,Cp2Mg流量应精确控制。     

ZnS:Er量子点材料制备及其受激发光特性研究

在水性介质中,制备了ZnS：Er量子点,并对其的X射线（XRF）谱、X射线衍射（XRD）谱、透射电子显微镜（TEM）图像和光致发光（PL）谱进行了研究,确定了所制备的ZnS：Er量子点材料中Er的浓度,观测到ZnS：Er量子点呈粒径为4nm的近球型结构。利用LD激发,在LD不同电流强度下得到ZnS：Er量子点从波长1500nm到1650nm的宽谱发射,并随着电流强度的增加ZnS：Er量子点的发射强度明显增加,当电流强度达到1．5A时,1545nm波长处的发射峰更明显。     

JAVA注释型并行模型实现线程同步

JAC技术扩展Java注释，赋予Java代码并行语义。文章讨论如何利用JAC注释针对典型的生产者／消费者问题、哲学家就餐问题，实现线程同步。由此阐述JAC把并发活动的线程控制留给了预编译器．把面向对象的并行逻辑从应用逻辑中分离出来的优点。     

2.4GHz动态CMOS分频器的设计

对现阶段的主流高速CMOS分频器进行分析和比较,在此基础上设计一种采用TSPC(truesingle phase clock)和E-TSPC(extended TSPC)技术的前置双模分频器电路.该分频器大大提高了工作频率,采用0.6μm CMOS工艺参数进行仿真的结果表明,在5V电源电压下,最高频率达到3GHz,功耗仅为8mW.     

薄栅氧化层斜坡电压TDDB寿命评价

随着超大规模集成电路的不断发展，薄栅氧化层的质量对器件和电路可靠性的作用越来越重要。经时绝缘击穿（TDDB）是评价薄栅氧化层质量的重要方法。文章着重于薄栅氧化层TD-DB可靠性评价的斜坡电压试验方法的研究，基于斜坡电压实验，提取模型参数，分别利用线性场模型和定量物理模型，外推出工作电压下栅氧化层的寿命。通过分析斜坡电压实验时氧化层的击穿过程，提出斜坡电压实验时利用统一模型外推栅氧化层的寿命比较合适。     

基于FFT实现短波扩频系统载波频差估计

短波扩频系统中,由于伪码速率低,加上频率源不稳定及多普勒频移的影响,收发端载波往往存在一定频差,使得PN码无法同步。针对这种情况,提出了对正交下变频后I,Q两路信号相乘的结果做快速傅立叶变换来估计频差的方法。这种方法简单易行,且不受PN是否同步的影响,可以把收发端载波频差控制在很小的范围内。