多并发流无线网状网中的机会路由算法

现有机会路由选择未考虑数据流的分布,可能使候选节点空闲或过载,导致网络吞吐量提升有限.本文将多并发流的机会路由描述成一个凸优化问题,基于对偶和子梯度方法,提出分布式联合候选节点选择和速率分配的多流机会路由算法(Opportunistic Routing for Multi-Flow,ORMF).该算法迭代进行流速率分配,并在速率分配过程中完成候选节点选择.实验结果表明,与基于期望传输次数和期望任意传输次数指标的机会路由相比,ORMF平均可提高33.4%和27.9%的汇聚吞吐量.     

WiFi-Mesh网络规划方法研究

本文主要针对WiFi-Mesh网络的规划方法进行分析和研究,对规划过程中所涉及到的各种实际问题——如跳数选择、站址选择、频点规划等方面进行分析总结.     

基于ZigBee的井下人员定位系统设计

针对现有煤矿系统产品的不足,提出将ZigBee和嵌入式技术运用于井下人员定位系统中,并较详细地介绍了系统的硬件和软件设计分析.实验结果表明,该系统能够实现对井下人员的定位与管理,提高了煤矿安全和生产工作.     

基于SVM的近红外黑木耳多糖含量分类

黑木耳作为一种胶质食用菌,富含多种营养物质,其中多糖是其中所占比重最大、含量最高的功能性成分之一。针对黑木耳多糖的分类,区别于传统的化学方法检测操作复杂、检测速度慢的问题,文中利用红外光谱技术,对东北黑木耳样本进行多糖成分进行无损检测,并利用支持向量机(SVM)的算法进行建模仿真。通过选定核函数的最优惩罚系数C=100、正则化系数V=10 ^-1,测得黑木耳多糖分类模型的识别结果的精确率为85.7%,召回率为87.3%,F1-score为0.864,达到了预期目标。试验证明,相比较于常规的黑木耳多糖检测方法来说,根据支持向量机算法建立的高精度黑木耳近红外光谱多糖分类模型是可行的。     

国外电子任务飞机现状与发展趋势

机载电子任务系统以其高灵活性和强适应能力成为世界各军事强国装备体系的重要组成部分,在历次局部战争中展现出越来越重要的价值,发挥了重要的作用。近年来,随着人工智能技术的不断发展和成熟,无人化装备迅速发展,但在一定时期内依然是有人、无人并存,各有侧重,共同组成完整的航空装备体系。分析了世界军事强国典型任务电子飞机的发展现状、作战运用方式,并总结了当今任务电子飞机发展的几个重要趋势。     

激光退火硅晶圆温度场分布的数值模拟研究

目前,激光退火技术被广泛应用于半导体加工领域,但对如何选择激光条件进行相应的退火并没有系统清晰的准则可以参考,尤其是在硅的深注入杂质激活方面。本文通过对激光照射在硅晶圆上形成的温度场分布进行数值模拟研究,分析了激光波长和脉冲宽度对加热深度以及晶圆背面温度的影响。结果表明,延长激光波长或脉冲宽度,都有助于增加激光退火的加热深度。而对于特定的激活深度需求,存在着最优的激光波长和脉冲宽度组合,可以使退火所需要的激光脉冲能量最低,硅晶圆背面的温升最小。本文通过模拟仿真给出了激活深度在1～10μm范围内的最优波长和脉宽值,可为实现高效的深硅注入激光激活工艺提供重要的条件参考。     

键盘式薄膜开关的制造工艺研究

讨论了制造薄膜开关的材料性能与网印工艺条件,通过金相显微镜观察并分析了印刷层的厚度与均匀性关系,研究了薄膜开关导电银浆线路的电阻性能。选择恰当的印刷工艺参数,如括板压力0.3～0.4MPa、移动速度0.2～0.3m/s等,制造出厚度均匀、与电阻匹配的薄膜开关,其导电银浆各处线路的参数均匀,方阻为28.01mμ/□,厚度为4.33μm,锯齿边缘的平均深度约为23.53μm,且外观无明显色差,实现了薄膜开关的低成本与高可靠快速制造。     

MOSFET栅下碰撞电离与击穿研究

研究了场板终端技术对改善 MOSFET栅下电场分布和碰撞电离率的作用 ,结果表明 ,MOSFET在高压应用时 ,漏极靠近表面的 PN结处电场最强 ,决定器件的击穿特性。通过对实验研究与计算机模拟结果的分析 ,表明在不同的栅压下 ,此处场板长度的大小对栅下电场强度有直接的影响 ,合理地控制场板长度能有效地提高器件的击穿电压。     

As在HgCdTe分子束外延中的表面粘附系数

报道了用二次离子质谱分析 (SIMS)方法对As在碲镉汞分子束外延中的掺入行为的研究结果 .发现As在CdTe、HgCdTe表面的粘附系数很低 ,并与Hg的介入密切相关 .对于单晶HgCdTe外延 ,在 170℃生长温度下As的粘附率相对于多晶室温淀积仅为 3× 10 -4,在此生长温度下 ,通过优化生长条件获得了表面形貌良好的外延材料 .通过控制As束源炉的温度可以很好地控制As在HgCdTe层中的原子浓度 .     

分子束外延生长3英寸HgCdTe晶片

报道了用分子束外延的方法制备 3英寸HgCdTe薄膜的研究结果 ,获得的HgCdTe外延材料均匀性良好 ,在直径 70mm圆内 ,组份标准偏差率为 1.2 % ,对应 80K截止波长偏差仅为 0 .1μm .经过生长条件的改进 ,表面形貌获得了大幅度改善 ,缺陷密度小于 30 0cm-2 ,缺陷尺寸小于 10 μm ,可以满足大规模HgCdTe焦平面列阵的应用需求