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21.
目的研究蛋类礼盒包装结构的缓冲性能。方法以蛋类尺寸为基础,建立可发性聚乙烯(expandable polyethylene. EPE)缓冲单元结构和组合结构,进行静态仿真分析和实验验证,比较结构在形状、叠合层数、组合形式等参数变化时的载荷与位移。结果结构层数变化相同时,单元结构的极限载荷从143N增加到236 N,组合结构的极限载荷从224 N增加到476 N,均呈近线性增长。结论蛋类礼盒包装中,组合结构的承载能力优于单元结构,通过单元结构的组合,可满足不同蛋类的包装要求。  相似文献   
22.
为探讨喷油方式对齿面温度的影响,以斜齿轮为研究对象,通过CFD仿真和试验研究不同喷油方式对斜齿轮齿面温度的影响。针对斜齿轮喷油润滑过程的特点,分析其齿面摩擦生热量,简化轮齿喷油润滑计算模型,并基于CFX进行齿面对流换热仿真研究,得到了不同喷油方式下的齿面温度;基于功率开放式斜齿轮试验平台,对不同喷油方式下的齿面温度进行了试验测量,与仿真计算结果进行对比分析。结果表明:在高速重载斜齿轮传动系统中,啮出侧喷油润滑的方式比啮入侧喷油润滑方式的冷却降温效果要好。  相似文献   
23.
Yan  Jing  Zhu  Rongying  Wu  Fan  Zhao  Ziyin  Ye  Huan  Hou  Mengying  Liu  Yong  Yin  Lichen 《Nano Research》2020,13(10):2706-2715
Nano Research - Insufficient intratumoral penetration greatly hurdles the anticancer performance of nanomedicine. To realize highly efficient tumor penetration in a precisely and spatiotemporally...  相似文献   
24.
不同给液方式对铜电解过程中有重要的影响,不同的循环方式会影响槽内温度分布、电解液成分及阳极泥沉降等,因此,根据铜电解生产不同情况的需要,分析对比了多种给液方式在贵冶电解车间的应用,总结了这几种给液方式的优缺点和适用条件。  相似文献   
25.
Within the framework of the effective-mass approximation and the dipole approximation, considering the three-dimensional confinement of the electron and hole and the strong built-in electric field(BEF) in strained wurtzite Zn O/Mg0:25Zn0:75O quantum dots(QDs), the optical properties of ionized donor-bound excitons(D+, X)are investigated theoretically using a variational method. The computations are performed in the case of finite band offset. Numerical results indicate that the optical properties of(D+, X) complexes sensitively depend on the donor position, the QD size and the BEF. The binding energy of(D+, X) complexes is larger when the donor is located in the vicinity of the left interface of the QDs, and it decreases with increasing QD size. The oscillator strength reduces with an increase in the dot height and increases with an increase in the dot radius. Furthermore, when the QD size decreases, the absorption peak intensity shows a marked increment, and the absorption coefficient peak has a blueshift. The strong BEF causes a redshift of the absorption coefficient peak and causes the absorption peak intensity to decrease remarkably. The physical reasons for these relationships have been analyzed in depth.  相似文献   
26.
The crystallization of capped ultrathin polymer films is closely dependent on film thickness and interfacial interaction. Using dynamic Monte Carlo simulations, the crystallization behaviors of polymer films confined between two substrates were investigated. The crystallization rate of confined polymers is reduced with high interfacial interactions. Above a critical strength of interfacial interaction, polymer crystallization in the thin film is inhibited within the simulation time scales. An increase in film thickness leads to a rise in critical interfacial interaction. In thicker films, the chains have more space to change conformation to form crystal stems. In addition, there are fewer absorbed segments in confined chains for the thicker films, and thus the chains have stronger ability to adjust their conformation. Therefore an increase in film thickness can cause a reduction in the entropic barrier required for the formation of crystals and thus an increase in the critical interfacial interaction. © 2018 Society of Chemical Industry  相似文献   
27.
黎源兴  邓勇 《机械》2015,(1):39-45
分别使用AutoCAD、StruCAD 3D及Solid Works软件在石油井架、底座校核中进行强度分析,AutoCAD软件的主要优势在工程制图领域,兼具强度分析功能,适用于单个形状比较规则的型材强度分析;StruCAD 3D是专门针对大型钢结构进行强度校核的分析软件,具有强大的计算处理功能,兼具风载处理能力,在处理大型、复杂结构的时候应优先考虑应用该软件;当遇到需要进行实体造型、模拟实际情况进行校核时,SolidWorks软件较为方便,可以直观地看到应变情况。  相似文献   
28.
We investigate the effect of dopant random fluctuation on threshold voltage and drain current variation in a two-gate nanoscale transistor. We used a quantum-corrected technology computer aided design simulation to run the simulation (10000 randomizations). With this simulation, we could study the effects of varying the dimensions (length and width), and thicknesses of oxide and dopant factors of a transistor on the threshold voltage and drain current in subthreshold region (off) and overthreshold (on). It was found that in the subthreshold region the variability of the drain current and threshold voltage is relatively fixed while in the overthreshold region the variability of the threshold voltage and drain current decreases remarkably, despite the slight reduction of gate voltage diffusion (compared with that of the subthreshold). These results have been interpreted by using previously reported models for threshold current variability, load displacement, and simple analytical calculations. Scaling analysis shows that the variability of the characteristics of this semiconductor increases as the effects of the short channel increases. Therefore, with a slight increase of length and a reduction of width, oxide thickness, and dopant factor, we could correct the effect of the short channel.  相似文献   
29.
为提高电压跌落条件下双馈风电机组的运行稳定性,介绍了crowbar与chopper共同配合作用的低电压穿越技术,并从提高crowbar阻值整定上限这一角度通过理论分析与仿真验证说明了crowbar与chopper配合作用的优势。提出低电压穿越过程中机侧变流器的无扰切换控制方法,通过仿真验证了这种方法可以大大减少crowbar投切次数与低穿过渡时间,且控制简单可行。  相似文献   
30.
HPL500B2型弹簧机构支架(BA)螺栓断裂可能导致开关分合闸失败,对其原因进行分析,发现BA螺栓由于预紧固力矩过大,接近其扭断力矩,使得作用在BA螺栓上的力偏高,BA螺栓安全系数仅为12%,安全系数较低。列出BA螺栓更换步骤及注意事项,并详细介绍分闸、合闸弹簧调整步骤,为类似事件的处理提供参考。  相似文献   
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