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顾子悦吴灯鹏程新红刘晓博俞跃辉 《微波学报》2019,35(4):16-20
5G 通信中3. 4~3. 6 GHz 是主要使用频段。GaN 射频器件由于高频、低功耗、高线性度等优势,满足5G 通信应用需求。文中在高阻硅基GaN 外延片上研制了AlGaN/GaN 高电子迁移率晶体管(High Electron Mobility Transistor, HEMT),并分析了金属鄄绝缘层鄄半导体(Metal-Insulator-Semiconductor,MIS)栅对器件直流和射频特性的影响。研究发现:相比于肖特基栅结构,MIS 栅结构器件栅极泄漏电流减少2~5 个数量级,漏极驱动电流能力和跨导提高10%以上;频率为3. 5 GHz 时,增益从1. 5 dB 提升到4. 0 dB,最大资用增益从5. 2 dB 提升到11. 0 dB,电流增益截止频率为8. 3 GHz,最高振荡频率为10. 0 GHz。 相似文献
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设计异步集成电路时,常用的异步标准单元的分类、电路设计方法和电路结构.详细介绍了C单元和异步数据通路的设计与实现,提出了一种异步实现结构的异步加法单元、异步比较单元和异步选择单元电路.利用设计的异步标准单元构成了一个适用于Viterbi解码器的异步ACS(加法器一比较器一选择器),并通过0.6μmCMOS工艺进行投片验证.当芯片工作电压为5V,工作频率为20MHz时的功耗为75.5mW.芯片的平均响应时问为19.18DS,仅为最差响应时间23.37ns的82%.从而验证了异步标准单元的正确性和异步电路在性能方面较同步电路存在的优势. 相似文献
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设计了一种用于天文望远镜的低噪声电荷耦合器件(Charge Coupled Devices,CCD)读出电路.该读出电路主要包括电容增益电路、单端转差分电路、双斜率积分电路以及缓冲器电路.CCD读出电路采用SMIC 0.18μm1P6M CMOS工艺实现.后仿真结果表明,在电源电压3.3V,输入信号67kHz,输出信号80mV峰值时,输出信号动态范围86dB,等效输入噪声2.523nV/Hz1/2,整体功耗1.25mW. 相似文献
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提出了一种用于MB-OFDM UWB系统的高吞吐率低功耗Viterbi译码器结构.该结构利用基4蝶形单元的对称性,降低了Viterbi译码器的实现复杂度.采用SMIC 0.131μm CMOS工艺设计并实现了该译码器,在时钟频率为240MHz时,它的最大数据吞吐率为480Mb/s,功耗为135mW.在加性高斯白噪声信道下,它的误码率十分接近理论仿真值.该译码器可用于MB-OFDM UWB系统以及其他高吞吐率低功耗的通信系统中. 相似文献
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