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101.
由液体聚丁二烯合成改性聚丁二烯胺化物,研究在常压下胺化反应中反应温度、反应时间、催化剂用量及胺化剂用量对胺化产物胺值的影响规律,发现催化剂的存在可以大大促进胺化反应的速率,并找到了合成不同胺值的配方及反应条件;还研究了在加压胺化反应中各因素对胺值的影响规律,并通过加压胺化合成法合成出胺值大小适宜的改性聚丁二烯的胺化物,用作阳离子电泳涂料的基体树脂成分。 相似文献
102.
为研究γ-氨基丁酸(γ-aminobutyric acid,GABA)处理对采后秋葵常温贮藏品质及生理特性的影响,分别用不同浓度(5、10、15 mmol/L)GABA水溶液浸泡黄秋葵3 min,以清水处理为对照,室温下(25℃)贮藏,并定期测定黄秋葵贮藏过程中失重率、叶绿素、VC含量、丙二醛含量、抗氧化酶活性等生理指标的变化。结果表明,10 mmol/L的GABA处理效果最好,能够明显减缓黄秋葵的采后失水,延缓叶绿素和VC的降解,能明显提高过氧化氢酶(Catalase,CAT)和超氧化物歧化酶(Superoxide dismutase,SOD)活性,降低过氧化物酶(Peroxidase,POD)活性和减少丙二醛(Malondialdehyde,MDA)的积累。其中贮藏21 d的叶绿素含量比对照组(0.074 mg/g)高出37.49%,VC含量比对照组(3.61 mg/100 g)提高了69.23%,SOD活性相比对照组(47.05 U/g)提高了30.35%。相关性和主成分分析表明,黄秋葵贮藏时间和失重率、MDA含量呈极显著正相关(P<0.01),与叶绿素含量、VC含量、CAT活性和POD活性呈极显著负相关(P<0.01);黄秋葵贮藏品质和综合评价指数均随贮藏时间增加而逐渐降低,而不同浓度的GABA处理能延缓黄秋葵贮藏品质的下降。这些结果表明适宜浓度的GABA处理可以延缓黄秋葵果荚的采后衰老,并保持良好的采后品质和营养价值,为GABA的应用及黄秋葵的采后保鲜提供理论依据。 相似文献
103.
公路双线连拱隧道施工技术研究及应用 总被引:3,自引:0,他引:3
公路双线连拱隧道以其占地少、与线路连接方便等突出优势在高等级公路建设中被越来越多的采用。本文就修建岵岫岭双线连拱隧道过程中开展的施工技术研究成果和应用情况做了介绍。 相似文献
104.
减碳、节水是黄河流域可持续发展面临的重要问题。从水资源生态及碳足迹角度出发,将区域水碳关系进行耦合研究,有助于揭示水资源质量与碳排放之间的关系,为宁夏沿黄城市带实现生态环境保护可持续均衡发展提供指导。基于水资源生态足迹与碳足迹理论,从时空分布差异、水碳关联性特征入手,计算并分析了2010—2019年宁夏沿黄城市带4个中心城市的碳足迹、水资源生态足迹及其时空变化趋势。结果表明:区域内已经形成了以吴忠市-银川市为重心的碳排放和水生态压力区,且与经济高度发展区域有空间重合,但不同地区由于产业结构及资源条件的不同,碳排放与水资源的关联性差异明显,其中水质生态足迹与碳足迹之间的关联性更显著,呈现出水、碳、环境、产业等发展的区域不均衡性。 相似文献
105.
106.
目的:为了研究不同品种苹果间多酚抗氧化能力的差异,试验选择了13种苹果进行总多酚和各单体酚抗氧化能力的测定。方法:采用蒸汽爆破协助超声波溶剂萃取苹果多酚,检测苹果多酚和各单体酚对DPPH自由基、NO2-自由基、O2-自由基、OH自由基的清除率,并对总还原能力进行测定。结果:13种苹果多酚含量在2.05~5.35 mg/g之间,对DPPH自由基清除能力最强,对NO2-自由基、O2-自由基和OH自由基的清除能力稍弱,总还原能力有一定差异,综合评价皮诺娃、长富二号、凯蜜欧、红盖露和玉华早富多酚抗氧化能力较强;在13种苹果中均检测出10种单体酚,鞣花酸、绿原酸、表儿茶素的含量相对较高,儿茶素、咖啡酸、原儿茶酸的含量相对较低;对10种单体酚进行抗氧化能力测定,发现原儿茶酸、表儿茶素、绿原酸综合抗氧化能力较强。结论:不同品种苹果多酚抗氧化能力与单体酚含量有相关性。 相似文献
107.
异步集成电路标准单元的设计与实现 总被引:1,自引:1,他引:0
设计异步集成电路时,常用的异步标准单元的分类、电路设计方法和电路结构.详细介绍了C单元和异步数据通路的设计与实现,提出了一种异步实现结构的异步加法单元、异步比较单元和异步选择单元电路.利用设计的异步标准单元构成了一个适用于Viterbi解码器的异步ACS(加法器一比较器一选择器),并通过0.6μmCMOS工艺进行投片验证.当芯片工作电压为5V,工作频率为20MHz时的功耗为75.5mW.芯片的平均响应时问为19.18DS,仅为最差响应时间23.37ns的82%.从而验证了异步标准单元的正确性和异步电路在性能方面较同步电路存在的优势. 相似文献
108.
对功率器件中常用的体连接技术进行了改进,利用一次硼离子注入技术形成体连接.采用与常规1μm SOI(硅-绝缘体)CMOS工艺兼容的工艺流程,在SIMOX SOI片上制备了LDMOS结构的功率器件.器件的输出特性曲线在饱和区平滑,未呈现翘曲现象,说明形成的体连接有效地抑制了部分耗尽器件的浮体效应.当漂移区长度为2μm时,开态击穿电压达到10V,最大跨导17.5mS/mm.当漏偏压为5V时,SOI器件的泄漏电流数量级为1nA,而相应体硅结构器件的泄漏电流为1000nA.电学性能表明,这种改善的体连接技术能制备出高性能的SOI功率器件. 相似文献
109.
110.