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991.
由于随机微分方程(SDE)的解析解求解困难,所以推导SDE解的不等式估计式是十分必要的.在随机系统的稳定性分析和控制设计中,李亚普诺夫函数常常采用二次型函数.本文把SDE解的传统的欧几里德范数形式估计式推广到SDE解的二次型估计式,包括解的矩估计和几乎必然估计.我们分别在加权线性增长条件和加权单边增长条件下给出了二次型矩估计式以及样本李亚普诺夫指数的上界表达式. 相似文献
992.
(1-x)CaTiO3-xLi1/2Sm1/2TiO3陶瓷的微波介电性能研究 总被引:4,自引:1,他引:4
采用固相法制备了(1-x)CaTiO3-x(Li1/2Sm1/2)TiO3系列微波介质陶瓷材料,研究了该体系的相组成、烧结性能和微波介电性能之间的关系.结果表明:在x=0.1~0.9mol范围内,(1-x)CaTiO3-x(Li1/2Sm1/2)TiO3体系均形成了单一的斜方钙钛矿结构;x=0.1~0.5和x=0.6~0.9组分的最佳烧结温度分别为1250和1300°C;介电常数εr、无载品质因数与谐振频率乘积Qf值、谐振频率温度系数Tf均随着x的增大而减小.当x=0.7时, 1300°C下保温5h烧结得到的材料的微波介电性能为: εr=116.5,Qf=3254GHz,Tf=42.43 ×106/°C. 相似文献
993.
目的针对我国日益增长的冷链配送需求,解决短途冷链运输过程中"断链"的问题。方法设计一种采用拖车式结构的冷链配送机器人,同时基于ROS(Robot Operating System)设计了冷链配送机器人的控制系统。控制系统的下位机使用STM32控制器,实现机器人的运动控制,上位机使用MiniPC为核心,对算法中的回环检测方法进行改进。结果该机器人能够实现随时自动更换配送拖车及取物的功能,并实现了机器人的建图及导航功能。结论实验表明,该冷链配送机器人在长廊等相似特征值较多的环境中的导航避障较为及时准确,达到了实用要求,可实现短途冷链配送的需求。 相似文献
994.
(1-x)CaTiO3-xLi1/2Sm1/2TiO3陶瓷的微波介电性能研究 总被引:1,自引:1,他引:1
采用固相法制备了(1-x)CaTiO3-x(Li1/2Sm1/2)TiO3系列微波介质陶瓷材料, 研究了该体系的相组成、烧结性能和微波介电性能之间的关系. 结果表明: 在x=0.1~0.9mol范围内, (1-x)CaTiO3-x(Li1/2Sm1/2)TiO3 体系均形成了单一的斜方钙钛矿结构; x=0.1~0.5和x=0.6~0.9组分的最佳烧结温度分别为1250和1300℃; 介电常数εr、无载品质因数与谐振频率乘积Qf值、谐振频率温度系数τf均随着x的增大而减小. 当x=0.7时, 1300℃下保温5h烧结得到的材料的微波介电性能为: εr=116.5, Qf=3254GHz, τf=42.43×10-6/℃. 相似文献
995.
采用OM,SEM,EDS,XRD和硬度测试技术研究了EW83镁合金挤压板材的组织与性能不均匀性.结果表明,EW83合金挤压板材在成形过程中组织非均匀演变受再结晶与析出第二相的共同影响.在板材的边部,由于实际Z参数增大、析出相阻碍再结晶晶粒长大和粒子激发形核(PSN)再结晶等三类细化晶粒效应的耦合作用,实际晶粒尺寸小于平均Z-参数预测值约1倍;在板材的中部,由于温度升高引起的实际Z参数减小和静态再结晶晶粒长大效应的作用,实际晶粒尺寸大于平均Z-参数预测值约1倍.挤压态板材边部硬度值较中部高约5%;但时效处理后,其硬度值反而高出边部约10%. 相似文献
996.
测量60Si_2Mn钢在拉扭复合载荷作用下的低周微动疲劳特性,研究了不同轴向循环拉伸应力幅值对微动疲劳寿命、循环软化特性以及摩擦磨损表面和断口形貌的影响.结果表明,随着循环拉伸应力幅值的提高,60Si_2Mn钢的微动疲劳寿命降低幅度不同,发生循环软化的时期不断提前,完成循环软化的疲劳周期也不断缩短。同时,微动摩擦副产生的氧化物磨屑对微动磨损性能有重要影响,在疲劳前期加剧摩擦磨损,在疲劳后期减轻摩擦磨损。微动疲劳裂纹源形成于试样发生微动摩擦磨损的表面,并出现疲劳台阶。在扭矩产生的切向剪切应力作用下,疲劳裂纹沿着与轴向45°角的方向扩展,最终在断口上留下显著的舌状凸起,拉应力的幅值越大舌状凸起越明显。 相似文献
997.
998.
装备采购合同管理是一项复杂系统工程,目前常用的管理科学和系统工程的方法难以对其进行建模仿真并量化分析。基于Agent的仿真技术是研究复杂系统的一种有效、重要的方法。针对装备采办合同管理中的供应商选择问题,运用多Agent仿真技术建立模型并进行仿真。通过对仿真结果的分析,提出了有效选择供应商的合理建议。 相似文献
999.
超声喷雾热解法生长氧化锌同质p-n结及其电致发光性能研究 总被引:3,自引:0,他引:3
采用超声喷雾热解法在单晶GaAs(100) 衬底上生长ZnO同质p-n结. 以醋酸锌水溶液为前驱体, 分别以醋酸铵和硝酸铟为氮(N)源和铟(In)源, 通过氮--铟(N-In)共掺杂沉积p型ZnO薄膜, 以未故意掺杂的ZnO薄膜做为n型层获得ZnO基同质p-n结. 采用热蒸发工艺在ZnO层和GaAs衬底上分别蒸镀Zn/Au和Au/Ge/Ni电极而获得发光二极管原型器件, 在室温下发现了该器件正向电流注入下的连续发光现象. 相似文献
1000.