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961.
介绍了一种非接触式用于测量少子寿命的微波反射法,并与通常的光电导衰退法进行了比较。 相似文献
962.
本文主要研究了滤束扫描合成孔径雷达的杨像处理方法,分析了SCANSAR的工作原理、信号格式、信号结构和信号参数限制,成像处理算法包括块数据成像算法和块图像拼接算法两部分,频谱分析法和时域频域混合相关法被用于数据成像,块图像的拼接是利用时间有系剪裁块图像再顺次拼接,计算机仿真验证了本文提出的SCANSAR信号格式和成像算法的可行性。 相似文献
963.
Li Xi Zuoyan Peng Wei Fan Kui Guo Gu Jianmin Muyu Zhao Wu Guoqiang 《Materials Science and Engineering: B》1996,40(2-3):147-152
SrMgxTi1 - xO3 nanocrystals (x = 0.1–0.6) were synthesized by the stearic acid gel method. Powder samples were characterized by X-ray diffraction and X-ray photoelectron (XP) spectroscopy. The results showed that the lattice parameter a and the O 1s XP spectrum changed not only with the Mg content x but also with the grain size d of the samples. The conductivity of a thick film specimen fabricated on an aluminium oxide wafer was investigated in a nitrogen—oxygen atmosphere. 相似文献
964.
Weitang Li Zhenghui Li Shifu Zhu Shujun Yin Beijun Zhao Guanxiong Chen 《Nuclear instruments & methods in physics research. Section A, Accelerators, spectrometers, detectors and associated equipment》1996,370(2-3):435-437
Instead of the temperature oscillation method (TOM), a modified vapor growth method was applied in this paper to grow large HgI2 crystals with fewer lattice defects by providing a relatively stable temperature field during growth. And a new processing technique of HgI2 crystals was developed for detector fabrication by merging solution string-sawing and hand-cleaving. The lattice deformations caused during cleaving were reduced greatly by eliminating passivated layers on the sawed crystal platelets before cleaving. 相似文献
965.
966.
OntheRealizationofCurrent-ModeContinuousTimeOperationalTransconductanceCapacitanceFilter¥GuoJingboandHanQingquan(ChangchunPos... 相似文献
967.
968.
1μm宽硅深槽刻蚀技术 总被引:1,自引:1,他引:0
介绍了硅深槽刻蚀的基本原理和影响刻蚀效果的几个主要工艺因素。提出了一种实现1μm宽的硅深槽刻蚀工艺途径;并给出了1μm宽、8μm深、侧壁及底部光洁的硅深槽刻蚀工艺条件。 相似文献
969.
简要分析了白瓷双列直插外壳的失效模式和失效机理,并进行了模拟实验,通过对实验结果的分析,提出对成品微电路进行二次电镀能够提高其外壳的使用可靠性。 相似文献
970.
全耗尽CMOS/SOI技术的研究进展 总被引:2,自引:0,他引:2
SOI材料技术的成熟,为功耗低,抗干扰能力强,集成度高,速度快的CMOS/SOI器件的研制提供了条件,分析比较了CMOS/SOI器件与体硅器件的差异,介绍了国外薄膜全耗尽SOI技术的发展和北京大学微电子所的研究成果。 相似文献