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991.
6~18 GHz超宽带微带均衡器设计与实现 总被引:1,自引:0,他引:1
6~18GHz超宽带微波组件幅频特性起伏比较大,采用幅度均衡器可有效改善增益平坦度,使其满足指标要求。根据谐振理论和传输线理论进行了6~18GHz超宽带微带幅度均衡器设计。利用ADS和HFSS仿真,采用λ/4的开路微带线和薄膜电阻构成谐振频率可调、品质因数可调、带宽可调以及均衡量可调的谐振单元,同时增加适当的调节块对谐振频率进行微调,设计出满足指标要求的小尺寸样件,得到了所需的均衡曲线。实验表明,可以在这个频段上高效、准确、灵活地设计出所需均衡器。 相似文献
992.
本文对江苏省广播电视总台广电城全台网设计和建设过程进行了总体描述。在重点分析该网集成架构选择、交换接口协议形成的基础上,对该网在质量控制、网络安全及互联效率等方面的特色进行了探讨。 相似文献
993.
With the rapid development of the Internet of Things (IoT), Location-Based Services (LBS) are becoming more and more popular. However, for the users being served, how to protect their location privacy has become a growing concern. This has led to great difficulty in establishing trust between the users and the service providers, hindering the development of LBS for more comprehensive functions. In this paper, we first establish a strong identity verification mechanism to ensure the authentication security of the system and then design a new location privacy protection mechanism based on the privacy proximity test problem. This mechanism not only guarantees the confidentiality of the user’s information during the subsequent information interaction and dynamic data transmission, but also meets the service provider’s requirements for related data. 相似文献
994.
995.
996.
本文提出了一个能在SPICE通用电路分析程序上运行的模拟相乘器的实用化动态宏模型.较好地模拟了相乘器的3dB小信号带宽、矢量误差、上升速率、满功率响应、输入输出阻抗等动态参数. 相似文献
997.
1机芯电路7001单碟机芯电路是飞利浦公司继6001单碟机芯电路之后,推出的新一代机芯电路,它与6001兼容,也采用CDM12机芯(LOADER)。7001机芯电路与6001机芯电路比较,其特点如下。(l)放大电路:7001机芯电路采用TDA1300T,而6001机芯电路采用TDA1302T,这M块集成电路的内部电路和引脚功能基本一致,并能相互兼容,但TDA1300T的性能优于TDA1302T。(2)伺服电路和DSP电路:7001的伺服控制和DSP处理由SAA7372GP一块集成电路完成,而6001机芯电路则分别由TDA130lT和SAA7345GP二块集成电路来完成。门)微处器(CPU):… 相似文献
998.
999.
近几年来,用作掺铒光纤放大器(EDFA)泵浦光源的半导体激光器,获得了积极的开发和使用。1.48μm 波长大功率激光二极管已商品化,并向更高水平发展。0.98μm 的应变量子阱结构器件也处在开发中,已有部分试用样品。文中介绍1.48μm 和0.98μm 波长大功率半导体激光器的主要结构和开发现状。 相似文献
1000.
推导出了直接栅MOSFET静电场传感器的温度漂移系数,并研究了温度漂移的主要原因。此研究工作对消除直接栅MOSFET静电场传感器的温度漂移有一定的帮助。首先,建立了直接栅MOSFET静电场传感器沟道中电荷随温度变化的模型。其次,根据直接栅MOSFET沟道载流子浓度和载流子迁移率都为温度的函数,将直接栅MOSFET静电场传感器的温度漂移定义为由沟道载流子迁移率随温度变化引起的温度漂移系数αμ和由沟道载流子浓度随温度变化引起的温度漂移系数αQ,并对它们与温度的关系作了推导和研究。最后,对沟道载流子迁移率随温度变化引起的温度漂移系数αμ和由沟道载流子浓度随温度变化引起的温度漂移系数αQ进行了模拟和比较。模拟结果表明,温度漂移系数αμ远小于温度漂移系数αQ。因此沟道载流子浓度随温度变化是直接栅MOSFET静电场传感器的温度漂移的主要原因。 相似文献