基于D-InSAR技术和灰色Verhulst模型的矿区沉降监测与预计

针对在地形复杂的矿区沉降观测资料不易获取的问题,将合成孔径雷达差分干涉技术（D-InSAR）与灰色Verhulst模型相结合,提出了一种矿山开采沉陷监测和预计方法。该方法首先对覆盖大柳塔煤矿某工作面的12景TerraSAR-X雷达数据进行D-InSAR处理,获取观测站沉降值;然后根据沉降量与时间的关系建立了基于灰色Verhulst模型的预测函数,对开采沉陷发展规律进行分析。试验结果表明：3个测试点D-InSAR监测数据的绝对和相对误差分别为2.8~15 mm,0.9%~6%;结合灰色Verhulst模型预测的绝对和相对误差分别为3.4~18.8 mm,1.2%~5.7%。上述研究结果进一步表明,所提出的方法可有效弥补矿区沉降实测数据的不足,为实现矿区开采沉陷监测和预计的一体化软件设计提供参考。     

大坝混凝土强度参数的统计分析

抗拉强度和抗压强度是常用的两种混凝土强度指标。抗拉强度可以采用轴向拉伸试验、弯曲试验和劈裂抗拉强度试验测定,抗压强度由立方体抗压强度试验测定。大坝混凝土的材料试验常采用全级配大试件和湿筛小试件两种形式。不同尺寸试件、不同类型试验的混凝土强度指标存在一定的统计关系。本文结合实际混凝土大坝工程,对全级配混凝土及湿筛混凝土的各种静、动强度试验结果进行总结,研究混凝土强度的率效应、尺寸效应,分析各强度指标之间的定量关系,并与国内、外规范及相关成果进行比较,为实际工程提供可参考的依据。     

铁路扣件图像边缘检测中LoG参数优化

边缘特征是铁路扣件缺陷分类的重要依据。高斯拉普拉斯（LoG）算子提取的边缘特征最接近扣件的真实边缘,但LoG参数的选取直接影响边缘检测效果。针对LoG参数的优化,采用基于布谷鸟搜索优化高斯拉普拉斯边缘检测的算法。利用布谷鸟优化搜索对阈值邻近像素值和标准偏差参数进行优化来提高拉普拉斯边缘检测性能。利用Pratt品质因数IMP值判定检测到的边缘是否最佳。实验证明,该方法有效优化了LoG参数的设置,得到的边缘特征提高了扣件缺陷分类准确率。     

低品位含铌矿物中铌的提取工艺研究进展

随着电子、材料等尖端行业的迅速发展,铌因其独特的物化性质已被视为关键战略性金属资源,其需求量逐年递增,铌的冶金提取技术也受到越来越多的关注。我国白云鄂博地区铌资源丰富,但因铌品位低、矿相复杂、选矿分离难度大,目前尚未有效地开发利用。研究开发适用于我国低品位铌资源的提铌技术,具有重要的研究价值和战略意义。综述了主要的低品位铌资源提铌技术的研究现状,包括火法还原法、酸分解法、碱分解法、氯化法和火法-湿法联合法等,探讨了各种技术工艺的优势和特点,以及铌低品位条件对提铌效果的影响。近年来开发的亚熔盐法和焙烧-酸浸联合法也用于低品位铌资源提铌,这两类方法展现了良好的提取效果和应用价值,具有较为广阔的前景。前者由于分解率高、环境负担小而具有较大的潜力。现有研究表明后者可以较为高效地分解低品位铌矿,铌浸出率可达到98%。最后,对目前低品位铌资源提铌方法存在的问题和未来研究发展方向进行了总结和展望。     

热交换器用镍基合金UNS N06600无缝管生产工艺研究

简述了热交换器用镍基合金UNSN06600无缝管的基本性能、制造技术特点以及开发UNSN06600无缝管生产工艺的过程,最后确定了采用“斜轧热穿孔开坯＋全冷轧”生产工艺。通过对成品管进行力学性能检测和微观组织分析可知,采用该工艺生产的镍基合金UNSN06600钢管满足ASMESB163标准的要求。     

Growth of strained-Si material using low-temperature Si combined with ion implantation technology

In order to fabricate strained-Si MOSFETs, we present a method to prepare strained-Si material with high-quality surface and ultra-thin SiGe virtual substrate. By sandwiching a low-temperature Si (LT-Si) layer between a Si buffer and a pseudomorphic Si0.08Ge0.2 layer, the surface roughness root mean square (RMS) is 1.02 nm and the defect density is 106 cm-2 owing to the misfit dislocations restricted to the LT-Si layer and the threading dislocations suppressed from penetrating into the Si0.08Ge0.2 layer. By employing P+ implantation and rapid thermal annealing,the strain relaxation degree of the Si0.08Ge0.2 layer increases from 85.09% to 96.41% and relaxation is more uniform. Meanwhile, the RMS (1.1 nm) varies a little and the defect density varies little. According to the results, the method of combining an LT-Si layer with ion implantation can prepare high-quality strained-Si material with a high relaxation degree and ultra-thin SiGe virtual substrate to meet the requirements of device applications.     

折射率可调的二维光子晶体设计与特性

光子晶体在传感、滤波和光子晶体激光器等方面具有很重要的应用价值。设计了一种基于改变缺陷介质折射率的可调谐二维正方晶格和三角晶格光子晶体激光器微腔,在平面光子晶体薄板中引入点缺陷磷酸氧钛钾(KTP),在KTP两端施加交流电场控制KTP晶体折射率变化。实验中随着KTP晶体折射率逐渐增大,正方晶格光子晶体禁带数量减少,归一化频率减小,禁带宽度基本不变;而三角晶格光子晶体禁带逐渐变窄,且向低频方向移动。最后,用平面波展开法分析了晶体的能带结构,得到理论上的描述,验证了实验结果。     

双层柱间支撑框架在循环荷载下的破坏机理

为研究双层柱间支撑框架(steel two-tiered braced frames,简称STBF)的滞回性能及在罕遇地震作用下的破坏机理,对1个1/2缩尺STBF进行了往复加载试验。在试验基础上,又对31个经试验验证的STBF模型进行了数值模拟。分析了STBF在循环荷载作用下的破坏模式、变形和内力变化规律,研究了柱顶荷载、支撑长细比、支撑截面径厚比和层高比等参数对STBF破坏机理的影响。结果表明：STBF在循环荷载作用下,支撑破坏主要集中在某一层,该层支撑会出现较大支撑平面外屈曲变形,并可能发展为断裂破坏;由于上、下层支撑不同时破坏,导致柱产生支撑平面内弯矩;随着层高比的增大,STBF的耗能能力提高;当轴压比大于0.5或层高比小于0.5时,STBF可能由于柱失稳而过早破坏,建议柱轴压比不应大于0.5,且层高比不应小于0.5。     

The external electric field effects on the morphology of phase separation in a mixture of liquid crystal/flexible polymer

In this article, the morphologies of phase separation in the mixtures of small molecular liquid crystal and flexible polymers with or without being subjected to the external electric field are preliminarily studied by polarized light microscope. It is found that the characteristic “Swiss cheese” morphology can always be observed for the case of zero field strength. For the case of 1.2 V/μm field strength, it is found that the external electric field make the binodal curves of the phase diagrams shift to higher temperature and the “Swiss cheese” morphology can never be observed. However, the domain growth rate is highly accelerated due to the fact that the electric field oriented liquid crystal phase excludes the polymer coils strongly. © 2002 Wiley Periodicals, Inc. J Appl Polym Sci 86: 250–258, 2002