Phase change memory

Phase change memory (PCM) is a non-volatile solid-state memory technology based on the large resistivity contrast between the amorphous and crystalline states in phase change materials. We present the physics behind this large resistivity contrast and describe how it is being exploited to create high density PCM. We address the challenges facing this technology, including the design of PCM cells, fabrication, device variability, thermal cross-talk and write disturb. We discuss the scalability, assess the pe...     

IBM助您顺利跨越2000年

ＩＢＭ公司自１９９５年起一直在和于２０００年问题的解决，致力于协助客户顺利实现千年之交的转换。本文简要介绍解决２０００年问题的测试计划和应急计划方面的考虑，希望有助于您的企业确保业务的持续运作。     

Menschen in der Box

Alpha Versionen sind Lehrbücher, Gesetze, Produkthochglanzprospekte, Aktienneuemissionsanzeigen, Regierungserklärungen. Dahinter ist das Reale. Hinter den Lehrbüchern die vorlesende Forscherpersönlichkeit, hinter dem Prospekt der Rat des erfahrenen Fachverkäufers. Alpha Versionen meiden Urteile, Meinungen und Leidenschaftlichkeit. Diese Kolumne ist kompromißlos beta.     

Advanced strain engineering for state-of-the-art nanoscale CMOS technology

The introduction and advancement of strain engineering has been one of the most critical features for the state-of-the-art nanoscale CMOS transistors. This paper provides an overview of the major strain engineering techniques that have remarkably re-shaped the advanced CMOS transistor architecture, including embedded SiGe (eSiGe), embedded Si:C (eSi:C), stress memorization technique (SMT), dual stress liners (DSL), and stress proximity technique (SPT). The advent of high-K/metal-gate (HKMG) also brings in a...     

Deutschland in der Billigenz-Falle

Alpha Versionen sind Lehrbücher, Gesetze, Produkthochglanzprospekte, Aktienneuemissionsanzeigen, Regierungserklärungen. Dahinter ist das Reale. Hinter den Lehrbüchern die vorlesende Forscherpersönlichkeit, hinter dem Prospekt der Rat des erfahrenen Fachverkäufers. Alpha Versionen meiden Urteile, Meinungen und Leidenschaftlichkeit. Diese Kolumne ist kompromisslos beta.     

CATIA V5的创成式外形设计实例(2)

二、六倒圆曲面交汇处的曲面处理方法 本例将介绍六个不同半径值的倒圆曲面交汇处的曲面处理方法.如图1所示,曲面分别用S1、S2、S3、S4、S5和S6表示,倒圆曲面用F1、F2、F3、F4、F5和F6表示,其详细数据如下.     

Der Mensch in artgerechter Haltung—SSL

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Simply Satisfying Quality (SSQ)

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3D integration review

3-D integration delivers value by increasing the volumetric transistor density with the potential benefit of shorter electrical path lengths through use of the shorter third dimension. Several researchers have studied various aspect of 3Di such as bonding level, through silicon via processes and integration, thermomechanical reliability of the vias, and the impact of the vias on devices. In this paper, we review some of the literature with a view to understanding the key options and challenges in 3Di. We al...