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11.
中国深层煤层气资源丰富,但总体勘探和认识程度较低,尚未形成较为系统的深层煤层气地质理论。通过解剖分析准噶尔盆地白家海凸起和鄂尔多斯盆地临兴区块深层"超饱和"煤层气井的试气/生产动态,估算原地游离气的含气量,分析了深层"超饱和"煤层气的形成条件。研究表明:①深层"超饱和"煤层气储层中除吸附气外,还含有原地游离气,用常规试气方法可直接获得气流,煤层气的产出不明显依赖于排水降压;②埋藏超过一定深度,在煤阶和温度的综合作用下,煤的吸附能力将随埋深的继续增加而降低,煤层中吸附气的饱和度有增加的趋势,在达到吸附饱和后,出现原地游离气并形成"超饱和"煤层气,盆地深层具有"超饱和"煤层气形成的优势条件;③由于地温梯度和压力梯度的不同,不同盆地"超饱和"煤层气出现的临界深度不同,异常高压和异常高热流可以降低深层"超饱和"煤层气形成的临界深度;④深层"超饱和"煤层气开发具有大大缩短见气时间、充分利用地层能量和累积产水量低等优势,有望成为未来煤层气勘探开发的一个重要领域。 相似文献
12.
Microsystem Technologies - Recently, nonlinear system identification has received increasingly more attention due to its promising applications in engineering fields. It has become a challenging... 相似文献
13.
氢型丝光沸石催化剂催化α-蒎烯合成α-松油醇 总被引:6,自引:0,他引:6
在相转移助剂苄基三乙基氯化铵(BTEAC)存在下,以氢型丝光沸石(HM)为催化剂,原料α-蒎烯经开环、重排及水合反应一步法合成了α-松油醇。研究了各种因素对α-蒎烯转化率及α-松油醇收率的影响,采用5因素4水平L16(45)进行了正交实验,得出最佳的工艺条件:反应温度80℃,w(BTEAC)=15%,m(HM)∶m(α-蒎烯)=0.6,反应时间40h,m(乙酸乙酯)∶m(α-蒎烯)=0.9。在此条件下,α-蒎烯转化率为75.2%,α-松油醇收率为42.0%。用气相色谱-质谱联用仪对反应产物进行分析,共鉴定出14种化合物,主要成分为α-松油醇、α-蒎烯、柠檬烯、桉叶油素、异松油烯、龙脑等。实验得到的α-松油醇具有光学活性,旋光值[α]=+61°,同时香气纯正,可用于制作香料。 相似文献
14.
φ90mm低铬铸球在做落球试验中过早出现开裂现象。将该铸球材质进行化学成分分析、力学性能测定及金相组织观察。分析结果表明,该铸球的材料中夹杂物含量较高,其硬度值又偏高,铸球内部又存在严重缩松及其铸态组织中存在大量奥氏体转变产物,致使铸球在落球试验中过早开裂。经过工艺措施的改进,解决了铸球出现过早开裂的现象。 相似文献
15.
16.
17.
用保角变换法对共面波导金属厚度效应进行了理论分析,编制了相应的计算机程序,给出了数值解,并对此进行了多元曲线拟合,导出了考虑金属厚度后的形状比k、有效介电常数、特征阻抗、损耗的闭定表达式。用此修正表达式求得特征阻抗及损耗的数值解,并与K.C.格普塔的修正值及实验测量值进行了详细比较,结果表明此修正公式与实验值相符较好。 相似文献
18.
研究了红外频段非线性s偏振表面波在反铁磁晶体和电介质交界面上的频率特性,求出了非线性色散方程,揭示了非线性s偏振表面波存在一个临界频率,低于这个频率,非线性s偏振表面波的频率范围,发现功率不再是决定导波频率范围的唯一因素,两种材料的介电常数比在这里起了至关重要的作用。 相似文献
19.
Jun-Fa Mao Zheng-Fan Li 《Microwave Theory and Techniques》1992,40(4):637-644
A new method for analysis of the time response of multiconductor transmission lines with frequency-dependent losses is presented. This method can solve the time response of various kinds of transmission lines with arbitrary terminal networks. Particularly, it can analyze nonuniform lines with frequency-dependent losses, for which no effective method for analyzing their time response exists. This method starts from the frequency-domain telegrapher's equations. After decoupling and inversely Fourier transforming, then a set of decoupled time-domain equations including convolutions are given. These equations can be solved with the characteristic method. The results obtained with this method are stable and accurate. Two examples are given to illustrate the application of this method to various multiconductor transmission lines 相似文献
20.
Modeling ion implantation of HgCdTe 总被引:2,自引:0,他引:2
H. G. Robinson D. H. Mao B. L. Williams S. Holander-Gleixner J. E. Yu C. R. Helms 《Journal of Electronic Materials》1996,25(8):1336-1340
Ion implantation of boron is used to create n on p photodiodes in vacancy-doped mercury cadmium telluride (MC.T). The junction
is formed by Hg interstitials from the implant damage region diffusing into the MC.T and annihilating Hg vacancies. The resultant
doping profile is n+/n-/p, where the n+ region is near the surface and roughly coincides with the implant damage, the n- region is where Hg vacancies have been annihilated revealing a residual grown-in donor, and the p region remains doped by
Hg vacancy double acceptors. We have recently developed a new process modeling tool for simulating junction formation in MC.T
by ion implantation. The interstitial source in the damage region is represented by stored interstitials whose distribution
depends on the implant dose. These interstitials are released into the bulk at a constant, user defined rate. Once released,
they diffuse away from the damage region and annihilate any Hg vacancies they encounter. In this paper, we present results
of simulations using this tool and show how it can be used to quantitatively analyze the effects of variations in processing
conditions, including implant dose, annealing temperature, and doping background. 相似文献