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981.
对新型蜗轮剐齿面啮合进行理论分析,指出它的一些特性:齿面容易获得较高精度;接触线走向容易形成油膜;齿面诱导曲率小,可承受较大载荷,使用寿命长。 相似文献
982.
Application of electromagnetic-assisted stamping (EMAS) technique in incremental sheet metal forming 总被引:1,自引:0,他引:1
C.N. Okoye J.H. Jiang Z.D. Hu 《International Journal of Machine Tools and Manufacture》2006,46(11):1248-1252
The application of high velocity electromagnetic-assisted stamping (EMAS) technique in incremental sheet metal forming has been proposed. EMAS whose principle is based on Lorenz force is a hybrid forming process that uses both quasi-static conventional stamping technique and electromagnetic forming actuators built into sharp corners and other difficult-to-form contours to form metals. The recent push to use more artificial intelligent (AI) aluminum alloys in automobile and aircraft industries as a result of increasing demand for fuel efficient cars and aircrafts, large size vehicle panels, improved formability limit of materials and weight reduction have placed EMAS as one of the best high velocity forming technique.It is believed that the end result of this vision will lead to more cost effective land and aerospace vehicles. 相似文献
983.
双相不锈钢腐蚀磨损机理初探 总被引:6,自引:0,他引:6
用稳态腐蚀磨损试验机研究了α+γ双相不锈钢在69%H3PO4介质中的腐蚀磨损行为,并与奥氏体和铁素体不锈钢对比.TEM研究结果表明,双相不锈钢中的γ相由于磨损变形促成高密度位错网络的胞状结构得到强化而具有优秀的耐腐蚀磨损性能. 相似文献
984.
985.
986.
研究了新近开发的Al-Ti-C-B中间合金细化剂,检查了其显微组织及细化工业纯铝及含Zr铝合金的性能,并与Al-Ti-B中间合金细化剂进行了对比。结果表明:Al-Ti-C-B中间合金细化剂含有Al3Ti、TiB2和TiC三种第二相,它们形成尺寸细小弥散分布的多相粒子团,其细化工业纯铝晶粒的能力明显优于Al-Ti-B中间合金细化剂,并克服了Al-Ti-B中间合金细化剂易被Zr原子毒化的弱点。分析认为,Al-Ti-C-B中间合金优异的细化性能归功于多相粒子团表面凹陷处的物理化学作用 相似文献
987.
本文就小电流空气等离子弧切割工艺的特性、切割质量、切割设备、存在问题和应用情况作了综合介绍。当工作气体含氧量为20%时,切割速度急剧增加,大大优于气割。 相似文献
988.
在稀盐酸介质中酚酞于-0.55V处产生一灵敏的单扫描示波极谱波。基于在稀盐酸介质中及100℃下,痕量Ru(Ⅲ)对高碘酸盐氧化酚酞这一缓慢反应的强烈催化作用,用自来水冷却中止反应,采用单扫描示波极谱波研究Ru这一新的指示反应,建立检出限和测定范围分别为0.05ng/mlRu的催化反应-示波极谱分析新方法,并用于实际试样分析,结果较好。 相似文献
989.
The influences of growth techniques of AP-MOCVD GaAs/AlGaAs silicon-doped multi-quantum wells(MQWs), heterostructure bipolar transistors (HBTs), double barrier resonant tunneling diodes(DBRTDs) ontheir structures and performances were studied. Continuously grown MQWs, that is, no growth interruption atthe heterointerfaces, shown blue-shifted, narrower and stronger photoluminescence(PL) compared withinterruptedly grown ones.TEM examination of the interrupted interfaces revealed a bright line correspondingto the compositional fluctuation and impurity adsorption, and indicated noncommutative structures ofAlGaAs/GaAs and GaAs/AlGaAs interfaces. High performance HBTs and DBRTDs were obtained bycontinuously grown method while growth interruption caused performance degradation. It was concluded thatgrowth interruption may cause accumulation of residua1 impurities in the ambient as well as compositionalfluctuation while continuous growth at very low growth rates can overcome such problems. 相似文献
990.