一种采用多天线的OFDM超宽带通信系统的性能分析

本文首先研究了在典型室内信道下基于OFDM技术的超宽带（UWB）通信系统的性能，并提出了一种接收能量模型。在此基础上，推广到多天线的情况，得到了基于该系统的误码率表达式。最后，通过仿真验证了分析结果。结果表明本文的分析方法是准确合理的，天线的数目对系统性能有较大的影响     

MOS器件的ESD失效

静电放电(ESD)对半导体器件,尤其是金属氧化物半导体(MOS)器件的影响日趋凸显,而相关的研究也是备受关注.综述了静电放电机理和3种常用的放电模型,遭受ESD应力后的MOS器件失效机理,MOS器件的两种失效模式;总结了ESD潜在性失效灵敏表征参量及检测方法;并提出了相应的静电防护措施.     

发射组件监控模块的设计

监控模块是发射组件的重要组成部分,主要用于状态采集和开关控制。监控模块可实现发射组件的数字量采集、模拟量采集和信息处理。同时,上位机可通过控制局域网(CAN)总线获取发射组件的工作信息,并实现射频开关控制。文中介绍了监控模块的功能和组成框图,并对硬件电路设计和软件设计作了详细介绍,对监控模块的设计提出了一些有益的建议。     

非晶态Fe_(90-x)V_xZr_(10)合金吸氢现象及磁性变化的研究

利用Mossbauer谱、磁测量技术,X射线衍射以及二次离子质谱分析(SIMS)技术,对三元非晶合金Fe_(90-x)V_xZr_(10)吸氢现象及磁性变化进行了研究.实验结果表明:随充氢时间(相同的充氢电流密度)的增加,非晶态合金同质异能移位增加,表明充氢后Fe核处电子密度发生变化.随充氢量增加,室温下合金由顺磁状态转变为铁磁状态,超精细分布逐渐展宽,其最大值也向高场方向移动.吸氢后合金原子磁矩及Curie温度T_C有大幅度增加.0K时饱和磁化强度从未充氢合金的120emu/g增加到174emu/g.Curie温度T_C从257K增加到384K.吸氢导致磁性变化的机理,利用杂化理论模型能够给出很好的解释.     

控轧过程中Nb,V,Ti碳氮化物的应变诱导等温析出

利用STEM,EDAX,新的萃取复型技术和相分析方法,研究了Nb钢,V钢、Nb-V钢和Ti-V-Nb钢中的Nb,V,Ti碳氮化物在控轧过程中的应变诱导等温析出和颗粒粗化的规律。     

PHASE BOUNDARIES OF SINGLE-PHASE ε-AND γ′-FIELDS IN Fe-C-N PHASE DIAGRAM

由低温下的溶解度导出氮在α-Fe中的活度数据,求得了Fe-C-N三元系中各二元交互作用系数,并导出了该系中的分配方程组.依此在PDP-11/23计算机上计算了γ′及ε单相区界域.计算结果表明:原Naumann和Langenscheid相图中的γ′相区正确,但ε相区需修正.计算结果与Wells及Bell的大部分实验结果符合.采用石墨为标准态(见附录证明)的计算也得到相同结论.     

计算机故障的检测原则与方法

本文首先指出进行计算机故障检测之前，应做好有关的准备工作，然后较详细地论述了计算机故障的检测原则和一般检测方法。     

激光加电磁场诱变滇稻“三角大香糯”的育种初探

用He-Ne激光(1.5 mW,632.8 nm)辐照加电场磁场(电场强度1.2×106 m/V,2.0×106 m/V;磁感应强度4.8 T)激发处理了云南姚安三角大香糯稻种.通过育种和田间试验发现,多数处理种子仅产生非基因变异的表型变化,仅有5株发生性状变异.     

铁电存储场效应晶体管I-V特性的物理机制模拟

文章讨论的模型主要描述了铁电存储场效应晶体管（FEMFET）的I-V特性。从理论结果可反映出几何尺寸效应和材料参数对晶体管电特性的影响。传统的阈值电压的概念巳不再适用，由于铁电层反偏偶极子的开关作用，自发极化的增加对存储器的工作状态产生很小的影响。该模型可用于设计和工艺参数的优化，并由直观原型的方法得到了验证。     

具有多重PRF的雷达回波脉冲视频仿真电路的实现

在目标回波仿真原理的基础上，给出了一种新颖的脉冲多普勒雷达目标回波视频频脉冲仿真电路。通过计数分频和计数延时技术，该电路获得了大范围可变的脉冲重复频率和高精度的脉冲时延，能对距离不断变化的动目标进行实时模拟。给出了电路的结构框图，并对设计原理作了必要说明。