滴注式气体渗碳全脉冲信号控制研究

提出了滴注式气体渗碳采用全脉冲信号控制方式，并对其抗干扰性能和控制精度进行了分析，它能明显提高系统的控制精度和抗干扰性能。     

六自由度转台鲁棒控制的研究

本文针对六自由度转台（又称并联机器人），分析了它单自由度运动情况下负载质量与模拟台运动位姿的关系以及负载质量的变化范围，然后在系统鲁棒性分析的基础上，将负载质量按照变化区间进行划分，并会对每个变化区间设计了各自相应的鲁棒控制器，从而使设计出的系统在负载参数变化的整个范围内都具有良好的性能。最后通过仿真，验证了系统在该控制作用下，性能具有较强的鲁棒性。     

产业化影响下高校办学理念的思考

高等教育已经是一种产业，我们必须按产业化的规律来运作；高等教育是一种特殊的产业，我们必须凸现高等教育的特殊地位和特殊功能。以此为前提，在我们思考产业化影响下的高校办学理念时，应特别关注高等教育功能的前瞻性和先导性，强调以人为本，科学思维，体现哲学强校，在表述上要有特色和创新。     

Android手机中基带跟踪数据的导出功能设计

本文主要基于现有Android手机系统框架设计了一种基带跟踪数据导出方案。对方案的总体框架、AP侧的软件流程、CP侧跟踪数据发送流程、串口通信机制的设计进行了详细说明,并给出了方案验证。在由三星公司Exynos4412四核AP芯片和重邮信科公司C6310双模CP芯片组成的手机硬件系统上实现和测试了该方案。实验结果表明,该基带数据导出方案在实际产品中具有良好的可靠性和可行性。     

电子清纱器智能化中的抗干扰设计

描述一个基于单片机的智能型电子清纱器的系统结构和实现方案。系统采用RS-485总线技术,利用单片机改造传统的模拟电子清纱器,采用软硬件结合的抗干扰措施,实现了实时数据采集,数据存储、数据打印等高级功能。文中阐述了系统各组成部分的功能和实现方案,重点介绍了主、从机之间的通信规约以及通信软件模块的编程思路。     

新型LTCC高隔离低插损3dB90°电桥设计

基于宽边耦合带状线结构,该文设计了一种基于低温共烧陶瓷(LTCC)技术的高隔离低插损3 dB 90°电桥。该电桥使用螺旋耦合线有效地减小了器件尺寸,同时以对称式结构建模更便于后期的优化调整。在宽边螺旋耦合带状线垂直方向引入一个伸入式可调隔离电容,极大地提高了该电桥的隔离度,使其可达27 dB,且插入损耗≤0.2 dB,较之传统的定向耦合器结构,其在提升性能的同时大幅减小了器件尺寸。对耦合线直角拐弯处的电场强度进行分析与优化,采用45°斜切的方式使拐角处的电场强度与直线处大致相等。对上接地金属板进行环形镂空处理,这将改善带内的幅度平衡度。该文设计的3 dB 90°电桥通带为0.96~1.53 GHz,插入损耗≤0.2 dB,幅度平衡度≤±0.7 dB,相位平衡度为90°±1°,隔离度≥27 dB,其具有良好的应用市场。     

考虑车主多模式需求响应模糊意愿的优化调度策略

现代电动汽车(electrical vehicle, EV)用户需求响应具有多样性和意愿模糊性的特点,当实施单一激励政策时,EV响应将达不到预期效果。为此,提出了考虑车主多模式需求响应及其模糊意愿的含EV微电网的主从博弈优化调度策略。微电网主体针对净负荷制定多模式动态电价激励政策,引导EV在多模式电价中做出选择,促进EV有序充放电,实现其净负荷均方差和运行成本最小。车主从体基于模糊逻辑推理意愿决策,响应多模式动态电价,极小化车主成本。采用非支配排序遗传算法(NSGA-Ⅱ)求解优化模型,获得最优多模式动态电价和EV充放电策略。仿真结果验证了所提方法的有效性。     

基于自适应神经网络的磁编码器角度误差补偿算法

针对磁编码器中各类误差导致的解码精度低的问题,在神经网络原理的基础上提出单层自适应神经网络对正余弦信号中存在的幅值不相等、相位不正交、直流偏置、谐波与噪声等误差进行补偿。采用锁相环算法对补偿后的正余弦信号进行解码。电路中采用TLE5501磁阻芯片检测角度变化,利用TL082C运放芯片对信号进行调理,最后采用STM32G431单片机验证算法的性能。通过仿真与试验验证,证明了该算法的有效性与可行性。     

Solution-Mediated Hybrid FAPbI3 Perovskite Quantum Dots for Over 15% Efficient Solar Cell

Organic–inorganic formamidinium lead triiodide (FAPbI₃) hybrid perovskite quantum dot (QD) is of great interest to photovoltaic (PV) community due to its narrow band gap, higher ambient stability, and long carrier lifetime. However, the surface ligand management of FAPbI₃ QD is still a key hurdle that impedes the design of high-efficiency solar cells. Herein, this study first develops a solution-mediated ligand exchange (SMLE) for preparing FAPbI₃ QD film with enhanced electronic coupling. By dissolving optimal methylammonium iodide (MAI) into antisolvent to treat the FAPbI₃ QD solution, the SMLE can not only effectively replace the long-chain ligands, but also passivate the A- and X-site vacancies. By combining experimental and theoretical results, this study demonstrates that the SMLE engineered FAPbI₃ QD exhibits lower defect density, which is beneficial for fabricating high-quality QD arrays with desired morphology and carrier transport. Consequently, the SMLE FAPbI₃ QD based solar cell outputs a champion efficiency of 15.10% together with improved long-term ambient storage stability, which is currently the highest reported value for hybrid perovskite QD solar cells. These results would provide new design principle of hybrid perovskite QDs toward high-performance optoelectronic application.