合成孔径雷达原始数据非线性编码压缩及硬件实现

讨论了合成孔径雷达(SAR)原始数据非线性量化编码原理和二维非线性压缩方案设计,并给出了该方法的硬件实现.     

多摄像机在无重叠区域的目标匹配算法

基于颜色特征的目标匹配方法具有很好的区分性和直观性,但是特征本身受光线变化、背景复杂度等影响而对于目标识别准确率存在差异.针对这一现状,提出了一种新的基于时空局部特征和颜色特征的目标匹配方法.利用时空局部特征3-D LSK对待测视频中的运动目标进行行为识别,识别出具有相同行为目标.再结合目标的颜色特征,通过基于区域权重(Weighted Region Matching)的颜色匹配方法来识别出具有相同颜色的目标.对无重叠区域的多个测试视频进行的相关实验表明,该算法能够有效识别出普通场景下的不同目标,对于衣着颜色相近的不同目标也有很高的识别率.     

用Delphi实现计量器具检定系统的设计

主要以数字多用表检定为例,介绍在Windows98操作系统下,用Delphi6.0,Access2000编写计量器具自动检定系统软件的基本设计思想和方法,介绍了系统的配置、功能、特点等。对使用Delphi编写计算机控制及管理软件具有一定的借鉴意义。     

一种基于波导E-T结的新型功分器的设计方法

针对传统功分器的不足,提出了一种改进型波导E-T结功分器。通过三维电磁仿真软件CST对其进行了建模仿真,得到一个合理的设计方案,该结构具有高隔离度、低插入损耗、小体积、宽频带等优点。加工的实物经测试在12~17 GHz的频率范围内,该功分器的插入损耗＜0.12 dB,回波损耗＞18 dB,隔离度＞15 dB,具有良好的工程应用价值。     

微波反射光电导衰退技术在InGaAs台面结器件工艺中的应用

微波反射光电导衰退法是一种非接触式的半导体材料少子寿命表征手段,本文用微波反射光电导衰减法测试了台面InGaAs光电器件制备中各单项工艺(刻蚀、腐蚀、硫化)中InCaAs样品的少子寿命分布,结果表明,离子刻蚀使得样品少子寿命降低,非均匀性增大,而湿法腐蚀能够在一定程度上修复离子刻蚀带来的损伤,损伤区域中心的少子寿命增大,寿命分布也更加均匀,硫化钝化能够进一步提高损伤区域少子的寿命,却使寿命分布均匀性变差.可见,微波反射光电导衰减法可以简单无损地得到样品少子寿命分布,对工艺改进具有重要的指导意义.     

机载雷达罩曲面FSS阵图形制作研究

采用电镀铜箔蚀永不地和图形电镀反贴法,研究了雷达工面ＦＳＳ阵图形制作工艺,解决了液态光抗蚀油墨的立体涂布、底片分割贴装、旋转狭缝曝光及蚀刻问题;另外还解决了图形电镀、压模反贴问题。图形精度分别达到±０．０８ｍｍ和±０．０６ｍｍ,满足≤±０．１０ｍｍ的图形公差要求。     

基于Feistel结构的混沌密码算法

混沌密码学现在已经发展成为现代密码学一个必不可少的分支,利用混沌系统的伪随机性和不可重复、不可预测等特点来构造加密算法,已经是密码学研究关注的焦点,但安全问题一直没有得到很好的解决。针对这一问题,将混沌映射、S盒构造、Feistel结构和密钥扩展相互融合,提出基于混沌映射和Feistel结构的混沌密码算法,并对算法的可行性和安全性进行了分析,通过硬件仿真,证明该算法具有较好的安全性。     

SiNx钝化256元InGaAs短波红外焦平面探测器

为了改善器件的响应均匀性,通过优化台面制作与SiNx钝化工艺制备了高均匀性256元线列正照射InGaAs探测器,实现了该探测器与读出电路的互连,测试了器件的I-V特性、光谱响应、信号和噪声,并利用激光感生电流技术研究了探测器的串音和光敏感区的扩大问题.测试结果表明:在-0.5V偏压下,探测器的暗电流典型值约为0.9nA,平均峰值探测率为7.8×1011cm·Hz1/2·W-1,响应的不均匀性为4.8%.LBIC测试结果表明:光敏元区没有扩大,光敏元之间串音较小,并成功实现了室温扫描成像,图像比较清晰.     

HSQ用于电子束曝光的性能分析

作为一种非化学放大的无机负性电子束光刺抗蚀剂,HSQ(hydrogen silsesquioxane)具有极高的分辨率(约5 nm),由于灵敏度较低,限制了其在微纳米加工方面的应用.从化学结构变化的角度分析了HSQ在电子束曝光中的性能,通过实验验证了其灵敏度及对比度受前烘温度及显影液浓度的影响较大,并且其在电子束曝光中的邻近效应也可以通过改变这两个条件而得到一定的抑制.根据所得优化工艺条件,在450 nm胶层上,制作出100 nm等间距光栅结构胶层图形,且其侧壁陡直性良好.     

可调谐双耦合场作用下的电磁诱导负折射特性

建立了可调谐双耦合场作用下的A型四能级系统模型,研究了系统的介电常数和磁导率随耦合场参数的变化规律,并由此探讨了满足负折射的条件.结果表明,固定耦合场的拉比频率,当两个耦合场中的一个共振、另一个失谐,或两个耦合场均失谐时满足负折射条件,但它们呈现不同的负折射特性.